SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS49NLS18160-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BL -
RFQ
 ECAD 3139 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 300 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 Парлель -
IS42S32800D-75EB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EB-TR -
RFQ
 ECAD 8429 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS42S16100E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7BL -
RFQ
 ECAD 3434 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 286 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS45S16160G-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA1 5.8571
RFQ
 ECAD 3614 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS62WV25616DBLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-55TLI-TR -
RFQ
 ECAD 6064 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS61LV5128AL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10KLI-TR 3.8684
RFQ
 ECAD 1013 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61LV5128 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 36-SOJ СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS42S16320B-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75ETLI-TR -
RFQ
 ECAD 9989 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS25WX128-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX128-JHLE-TR 3.1230
RFQ
 ECAD 8705 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX128 В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 706-IS25WX128-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 200 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS61LPS102418B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418B-200B3LI 16.3574
RFQ
 ECAD 1593 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS66WV51216EALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EALL-70BLI 2.8713
RFQ
 ECAD 4421 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 8 марта 70 млн Псром 512K x 16 Парлель 70NS
IS41LV16100B-60TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60TLI -
RFQ
 ECAD 2177 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS41LV16100 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 Nestabilnый 16 марта 30 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS45S32200E-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7TLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8546 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS64WV102416BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10CTLA3 25.7125
RFQ
 ECAD 9986 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS64WV102416 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS42S32400F-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 6382 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS42S32400E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-7BL -
RFQ
 ECAD 2551 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS63LV1024L-12J ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12J -
RFQ
 ECAD 7984 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 22 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS42S16400J-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TL-TR 1.5184
RFQ
 ECAD 4396 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS25LP020E-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP020E-JNLE-TR 0,4000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LP020 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 706-IS25LP020E-JNLE-TR Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 2 марта 8 млн В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS62WV12816EALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816EALL-5555BLI-TR 2.6189
RFQ
 ECAD 6878 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS45S16800F-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7BLA2-TR 5,7000
RFQ
 ECAD 7288 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS43DR81280B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBL-TR 4.3541
RFQ
 ECAD 6496 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS46TR16256AL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-15HBLA2 -
RFQ
 ECAD 7878 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS25WQ080-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ080-JBLE -
RFQ
 ECAD 9031 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WQ080 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI 700 мкс
IS42SM32800K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800K-75BLI 5.8888
RFQ
 ECAD 9394 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32800 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS62WV2568BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-5555BLI 2.3481
RFQ
 ECAD 7157 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV2568 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 256K x 8 Парлель 55NS
IS46TR16128CL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128CL-125KBLA2-TR 7.2904
RFQ
 ECAD 9549 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS42S86400D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400D-7TLI-TR 13.5300
RFQ
 ECAD 1205 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR 15.6750
RFQ
 ECAD 8679 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS45S16800E-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8198 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS66WVQ8M4DBLL-133BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ8M4DBLL-133BLI 3.8900
RFQ
 ECAD 466 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVQ8M4 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 706-IS66WVQ8M4DBLL-133BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 133 мг Nestabilnый 32 мб Псром 8m x 4 SPI - Quad I/O 45NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть