SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS42RM32100D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32100D-75BLI-TR 2.3162
RFQ
 ECAD 7647 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32100 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 32 мб 6 м Ддрам 1m x 32 Парлель -
IS43R32800D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 8241 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 144-LFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
IS42RM16200D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16200D-75BLI 2.3842
RFQ
 ECAD 4717 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16200 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 32 мб 6 м Ддрам 2m x 16 Парлель -
IS63LV1024-12KL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12KL -
RFQ
 ECAD 9209 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 21 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS61WV25616EDBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI 69500
RFQ
 ECAD 459 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV25616 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 4 марта 8 млн Шram 256K x 16 Парлель 8ns
IS43TR81280A-15GBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280A-15GBL 2.2300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Issi, ина - МАССА Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 242 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR 3.4373
RFQ
 ECAD 5099 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA IS66WVC2M16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 32 мб 70 млн Псром 2m x 16 Парлель 70NS
IS43QR16256B-075UBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-07555555UBLI-TR 9.5760
RFQ
 ECAD 5027 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-TWBGA (7,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR16256B-07555BOUBLI-TR 2500 1 333 г Nestabilnый 4 Гит 19 млн Ддрам 256 м x 16 Капсул 15NS
IS42S32400B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6TL -
RFQ
 ECAD 7461 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS42S16100C1-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4186 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S32200C1-55T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-55T-TR -
RFQ
 ECAD 7444 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 183 мг Nestabilnый 64 марта 5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43DR16160A-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-25EBLI-TR -
RFQ
 ECAD 2808 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 400 мг Nestabilnый 256 мб 400 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43TR16256AL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBL -
RFQ
 ECAD 9963 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS43TR16256A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 6520 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61WV51216EDALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20BLI 12.1000
RFQ
 ECAD 9506 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV51216 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 8 марта 20 млн Шram 512K x 16 Парлель 20ns
IS61LV12816L-10LQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10LQI -
RFQ
 ECAD 3301 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-LQFP IS61LV12816 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-LQFP (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 160 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS61WV204816ALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-10TLI -
RFQ
 ECAD 5990 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV204816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 32 мб 10 млн Шram 2m x 16 Парлель 10NS
IS61NLP102418B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3L 19.2532
RFQ
 ECAD 8538 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS46TR16640A-15GBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-15GBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8407 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42S32800J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BL-TR 5.3250
RFQ
 ECAD 6045 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61WV102416FALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FALL-20TLI 9.5453
RFQ
 ECAD 7469 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV102416FALL-20TLI 96 Nestabilnый 16 марта 20 млн Шram 1m x 16 Парлель 20ns
IS45S16100H-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7TLA2-TR 2.4051
RFQ
 ECAD 9948 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS45S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS25LD040-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 8299 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LD040 В.С. 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 100 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI 5 мс
IS42S16160D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1702 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43DR86400D-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI 6.0805
RFQ
 ECAD 8535 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 242 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS46DR81280C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-25DBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6296 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS42VM32200K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4154 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S16800E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6BL -
RFQ
 ECAD 7063 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS45S16320F-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA1-TR 12.6600
RFQ
 ECAD 6158 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS62WV12816DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45BLI -
RFQ
 ECAD 8645 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 128K x 16 Парлель 45NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть