SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS62WV5128BLL-55HI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55HI-TR -
RFQ
 ECAD 5559 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS61VPD51236A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-200B3 -
RFQ
 ECAD 8309 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS25LP256D-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-JLLE-TR 3.4650
RFQ
 ECAD 4590 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP256 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS34ML01G081-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML01G081-TLI-TR 3.6841
RFQ
 ECAD 7248 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34ML01 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1500 NeleTUSHIй 1 Гит 25 млн В.С. 128m x 8 Парлель 25NS
IS43TR16256A-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-093NBL-TR -
RFQ
 ECAD 8566 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16256A-093NBL-TR Ear99 8542.32.0036 1500 1 066 ГОГ Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61LV51216-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV51216-10TLI -
RFQ
 ECAD 5947 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV51216 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS41LV16105B-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-50TLI-TR -
RFQ
 ECAD 3966 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS41LV16105 DRAM - FP 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS45S32400B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-6BLA1 -
RFQ
 ECAD 8550 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 144 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61WV204816ALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-10TLI -
RFQ
 ECAD 5990 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV204816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 32 мб 10 млн Шram 2m x 16 Парлель 10NS
IS66WVC4M16ALL-7010BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ALL-7010BLI -
RFQ
 ECAD 4576 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA IS66WVC4M16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 480 Nestabilnый 64 марта 70 млн Псром 4m x 16 Парлель 70NS
IS43LD16640A-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-25BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1433 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1200 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42S81600D-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600D-7TL -
RFQ
 ECAD 9643 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S81600 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 8 Парлель -
IS62WV102416BLL-25MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416BLL-25MLI-TR 18.5250
RFQ
 ECAD 9566 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV102416 SRAM - Асинров 1,65, ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Шram 1m x 16 Парлель 25NS
IS61WV25616BLL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10KLI 4.2601
RFQ
 ECAD 8150 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 16 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS61NLP25672-250B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-250B1-TR -
RFQ
 ECAD 8222 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLP25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS43LR16800F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16800F-6BLI -
RFQ
 ECAD 2913 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16800 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 300 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель 15NS
IS25LP040E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JYLE-TR 0,4500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka IS25LP040 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP040E-JYLE-TR Ear99 8542.32.0071 5000 104 мг NeleTUSHIй 4 марта 8 млн В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS61LF51236A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3-TR -
RFQ
 ECAD 4948 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS45S16160J-7TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7TLA2 5.1008
RFQ
 ECAD 8932 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61LPD51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200B3I-TR -
RFQ
 ECAD 4751 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 3.135V ~ 3.465V 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS62WV12816ALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816ALL-70BLI -
RFQ
 ECAD 1377 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 70 млн Шram 128K x 16 Парлель 70NS
IS25LP128-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JLLE-TR 1.8341
RFQ
 ECAD 7521 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP128 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 1 мс
IS62WV2568DBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568DBLL-45HLI -
RFQ
 ECAD 9018 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV2568 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 234 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 256K x 8 Парлель 45NS
IS46TR16640A-125JBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-125JBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 8781 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42S32200C1-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7B -
RFQ
 ECAD 8847 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 90-bga (13x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS61DDB24M18A-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB24M18A-250M3L 52,5000
RFQ
 ECAD 9573 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB24 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 72 мб Шram 4m x 18 Парлель -
IS43TR16640A-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640A-125JBL-TR -
RFQ
 ECAD 4931 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS46TR16128DL-107MBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA1 5.6821
RFQ
 ECAD 9504 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16128DL-107MBLA1 190 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS64WV2568EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2568EDBLL-10BLA3 6.6251
RFQ
 ECAD 2855 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS64WV2568 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 256K x 8 Парлель 10NS
IS42S16320B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6BL -
RFQ
 ECAD 9188 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-WBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 144 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть