SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS45S16320D-7CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA1 20.0828
RFQ
 ECAD 4678 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 108 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS62WV25616ECLL-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35TLI 4.1774
RFQ
 ECAD 6952 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV25616ECLL-35TLI 135 Nestabilnый 4 марта 35 м Шram 256K x 16 Парлель 35NS
IS25WP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JNLE 0,8600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25WP080 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 133 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DBLL-100B1LI 4.8440
RFQ
 ECAD 7449 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI 480 100 мг Nestabilnый 256 мб 40 млн Псром 32 м х 8 Парлель 40ns
IS43LQ16128AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128AL-062BLI -
RFQ
 ECAD 2173 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LQ16128AL-062BLI 136 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS42S16320B-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-75ETL-TR -
RFQ
 ECAD 7257 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43TR16256AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBL-TR -
RFQ
 ECAD 5255 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS46LQ16256A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 4120 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16256A-062BLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Lvstl -
IS42S16400D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 2162 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-Minibga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS42S16320F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7BL-TR 10.4550
RFQ
 ECAD 7176 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43TR16512A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 1889 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS43DR16160B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBL-TR 2.3989
RFQ
 ECAD 3886 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 333 мг Nestabilnый 256 мб 450 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61NLP25672-250B1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-250B1 -
RFQ
 ECAD 4554 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLP25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS25WP512M-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLE -
RFQ
 ECAD 2882 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WP512M-RMLE Управо 1 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 2 мс
IS61LPS204818B-200B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204818B-200B3L 89 7750
RFQ
 ECAD 2839 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 36 мб 3.1 м Шram 2m x 18 Парлель -
IS42S16160G-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BI -
RFQ
 ECAD 7376 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 348 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS45S16800F-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-6TLA1 4.4232
RFQ
 ECAD 2490 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS46QR16512A-083TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-083TBLA2-TR 20.8943
RFQ
 ECAD 1215 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46QR16512A-083TBLA2-TR 2000 1,2 -е Nestabilnый 8 Гит 18 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS46DR16320E-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA1 5.1360
RFQ
 ECAD 9989 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR 11.2024
RFQ
 ECAD 9926 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS64LF12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 117 мг Nestabilnый 4,5 мб 7,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
IS43R16160F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6TLI-TR 2.6967
RFQ
 ECAD 7512 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43TR16128CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-125KBL-TR 5.3700
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43TR81280BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-107MBL-TR -
RFQ
 ECAD 4283 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS65WV102416EBLL-55BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416EBLL-55BLA3 9.6935
RFQ
 ECAD 6435 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3 480 Nestabilnый 16 марта 55 м Шram 1m x 16 Парлель 55NS
IS61C64AL-10JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10JLI 1.3059
RFQ
 ECAD 7629 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS61C64 SRAM - Асинров 4,75 -5,25. 28-soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 25 Nestabilnый 64 10 млн Шram 8K x 8 Парлель 10NS
IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10TLI-TR 2.8952
RFQ
 ECAD 7390 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS42S16400D-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7BL -
RFQ
 ECAD 8155 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-Minibga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 286 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS49NLC93200-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25BLI -
RFQ
 ECAD 9156 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS42S16400D-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7T -
RFQ
 ECAD 3257 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS45S16160G-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7BLA2 9.0269
RFQ
 ECAD 2379 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 348 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть