SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Sic programmirueTSARY
IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-8BLI-TR 4.7956
RFQ
 ECAD 2718 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV25616 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 8 млн Шram 256K x 16 Парлель 8ns
IS61LV6416-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10bli-tr -
RFQ
 ECAD 8177 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61LV6416 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
IS25LQ010B-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JDLE -
RFQ
 ECAD 2854 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) IS25LQ010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-tssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 1 март В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS43LR16640C-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-6BLI 7.7181
RFQ
 ECAD 4633 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LR16640C-6BLI 300 166 мг Nestabilnый 1 Гит 5 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS46R16160F-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-6BLA2 6.4315
RFQ
 ECAD 8212 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 190 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS62WV1288BLL-55QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55QLI-TR 1.6819
RFQ
 ECAD 4779 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) IS62WV1288 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 128K x 8 Парлель 55NS
IS61QDB42M18C-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3L -
RFQ
 ECAD 7927 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB42 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS61NLF25672-7.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25672-7.5b1i -
RFQ
 ECAD 8925 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLF25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS43TR16512BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-107MBL-TR 18.3008
RFQ
 ECAD 9409 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16512BL-107MBL-TR 2000 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS25WP256D-JMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JMLE-TY 4.2121
RFQ
 ECAD 9978 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WP256D-JMLE-TY 176 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS61NVF25672-6.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5b1i -
RFQ
 ECAD 3918 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NVF25672 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS42S16160B-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-6BL -
RFQ
 ECAD 5461 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-LFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43TR82560B-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-15HBL -
RFQ
 ECAD 8242 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 242 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI 6.3864
RFQ
 ECAD 6355 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32800 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
IS61LPS25618EC-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618EC-200TQLI-TR 6.8099
RFQ
 ECAD 9720 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 256K x 18 Парлель -
IS49NLC93200-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25BL -
RFQ
 ECAD 7720 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS25WJ064F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JBLE-TR 0,9320
RFQ
 ECAD 6199 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WJ064F-JBLE-TR 2000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 6 м В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1,6 мс
IS43QR16256A-093PBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBL -
RFQ
 ECAD 6892 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 1 066 ГОГ Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS43DR16320D-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-25DBL-TR 2.6025
RFQ
 ECAD 6908 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS41LV16100C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50KLI-TR -
RFQ
 ECAD 9629 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 42-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS41LV16100 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 42-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS25LP080D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JBLE 0,8200
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LP080 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1578 Ear99 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS46DR16640C-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-25DBLA1 6.1065
RFQ
 ECAD 7965 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 209 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61NLP12836EC-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836EC-200B3LI-TR 7.7561
RFQ
 ECAD 1239 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 128K x 36 Парлель -
IS42S32800J-75ETL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75ETL-TR 5.3436
RFQ
 ECAD 7282 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS43LD32640B-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18BLI 11.6591
RFQ
 ECAD 3570 0,00000000 Issi, ина - Поднос Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 171 533 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 6197 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS42S32160D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BL-TR 13.3800
RFQ
 ECAD 1964 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель - Nprovereno
IS41LV16105B-60KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60KLI -
RFQ
 ECAD 8347 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 42-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS41LV16105 DRAM - FP 3 В ~ 3,6 В. 42-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 16 Nestabilnый 16 марта 30 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS46TR16256A-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-125KBLA1 -
RFQ
 ECAD 9877 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR 3.0281
RFQ
 ECAD 8859 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть