SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS43DR82560C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBLI 17.1700
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1572 Ear99 8542.32.0036 242 400 мг Nestabilnый 2 Гит 400 с Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS29GL032-70BLED-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL032-70BLD-TR 2.6208
RFQ
 ECAD 6804 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS29GL032-70BLD-TR 2500 NeleTUSHIй 32 мб 70 млн В.С. 2m x 16 CFI 70NS
IS42S16800E-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75ETLI -
RFQ
 ECAD 4326 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS43DR16160B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI-TR 3.8973
RFQ
 ECAD 9016 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 333 мг Nestabilnый 256 мб 450 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43TR16512A-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-15HBL-TR -
RFQ
 ECAD 2626 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS42S32160B-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BL -
RFQ
 ECAD 9759 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (13x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 144 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43TR16256A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 1326 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS43DR16640C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-25DBLI 6.7100
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1564 Ear99 8542.32.0032 209 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS49NLS18320-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-25B -
RFQ
 ECAD 6985 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS43TR16640C-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-107MBLI-TR 3.3306
RFQ
 ECAD 1719 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16640C-107MBLI-TR 1500 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS46TR16128A-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-15HBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 4833 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61WV25616BLS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLS-25TLI 4.4433
RFQ
 ECAD 3313 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 25 млн Шram 256K x 16 Парлель 25NS
IS43LQ32640AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32640AL-062BLI -
RFQ
 ECAD 9199 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LQ32640AL-062BLI 136 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 64M x 32 Lvstl 18ns
IS25LP128F-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLE-TR 1.9519
RFQ
 ECAD 3506 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP128F-RHLE-TR 2500 166 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS25CD025-JDLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD025-JDLE -
RFQ
 ECAD 3201 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) IS25CD025 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 8-tssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 100 мг NeleTUSHIй 256 В.С. 32K x 8 SPI 5 мс
IS42S16400D-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-6T -
RFQ
 ECAD 1916 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 64 марта 5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS49NLS96400-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS96400-33BI -
RFQ
 ECAD 6163 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS96400 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 300 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 64M x 9 Парлель -
IS45S32800J-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32800J-6TLA1-TR 7.3684
RFQ
 ECAD 7891 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS61C1024AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12TLI-TR 18501
RFQ
 ECAD 4249 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61C1024 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS42S16400J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TLI 1.7537
RFQ
 ECAD 6486 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61WV10248EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EDBLL-10BLI 10.9354
RFQ
 ECAD 7549 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS61LF51236A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3I -
RFQ
 ECAD 9371 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS43LR32320C-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-5BLI-TR 8.3524
RFQ
 ECAD 2827 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LR32320C-5BLI-TR 2500 208 мг Nestabilnый 1 Гит 5 млн Ддрам 32 м x 32 Парлель 14.4ns
IS63LV1024-12KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12KL-TR -
RFQ
 ECAD 9656 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 800 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS61NLP51218A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51218A-200TQLI 15.4275
RFQ
 ECAD 9926 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP51218 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 512K x 18 Парлель -
IS61LPS25636B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636B-200TQLI-TR 11.4000
RFQ
 ECAD 9806 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS43R16160F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BL-TR 3.6992
RFQ
 ECAD 3721 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS62C10248AL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C10248AL-55TLI-TR 9.7500
RFQ
 ECAD 6404 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62C10248 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 55 м Шram 1m x 8 Парлель 55NS
IS61NVF51236-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5b3i -
RFQ
 ECAD 2938 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS43TR16640A-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640A-125JBLI-TR -
RFQ
 ECAD 1373 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть