SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS43R86400D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BLI-TR 8.9850
RFQ
 ECAD 9622 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS42S32160A-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75BL-TR -
RFQ
 ECAD 3351 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61C64AL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C64AL-10JLI-TR 1.2505
RFQ
 ECAD 5203 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS61C64 SRAM - Асинров 4,75 -5,25. 28-soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 64 10 млн Шram 8K x 8 Парлель 10NS
IS43LD32128A-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPLI -
RFQ
 ECAD 7721 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD32128A-25BPLI Ear99 8542.32.0036 100 400 мг Nestabilnый 4 Гит Ддрам 128m x 32 Парлель 15NS
IS43R32800D-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5BI -
RFQ
 ECAD 4036 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 144-LFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 189 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
IS25WX128-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX128-JHLE 3.3203
RFQ
 ECAD 3870 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX128 В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX128-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 200 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS43R16320F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-5TLI 5.8923
RFQ
 ECAD 2955 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS43LD32640B-25BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BPLI-TR -
RFQ
 ECAD 4369 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 400 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS42S16320F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6TLI 12.0885
RFQ
 ECAD 4412 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS42S32800J-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6TLI 6.4315
RFQ
 ECAD 2731 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61WV10248EEBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10B2LI 6.9125
RFQ
 ECAD 5145 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI 480 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS43DR82560B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-3DBLI -
RFQ
 ECAD 5894 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-tWBGA (10,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Q8667869 Ear99 8542.32.0036 100 333 мг Nestabilnый 2 Гит 450 с Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS61VF204836B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF204836B-7.5TQLI-TR 117.0000
RFQ
 ECAD 3158 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VF204836 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 72 мб 7,5 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS43DR16320E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBLI 6.2200
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1557 Ear99 8542.32.0028 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR81024BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBLI 28,7000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR81024 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR81024BL-125KBLI Ear99 8542.32.0036 136 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS43TR16640B-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBLI-TR -
RFQ
 ECAD 7248 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42S16800F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7BL-TR 2.1838
RFQ
 ECAD 4973 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS42S32160F-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBLI-TR 12.9150
RFQ
 ECAD 2785 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS25WP064A-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JMLE -
RFQ
 ECAD 9518 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25WP064 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS42S16400F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 6095 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS45S32200E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 2119 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS46LQ16128A-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062TBLA2 11.6916
RFQ
 ECAD 4969 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16128A-062TBLA2 136 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS42S32200L-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BLI-TR 4.1562
RFQ
 ECAD 3963 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS46TR16640C-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-107MBLA2 4.2332
RFQ
 ECAD 7810 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16640C-107MBLA2 190 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR16640BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-107MBL-TR -
RFQ
 ECAD 1453 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS62C256AL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-45TLI 1.5200
RFQ
 ECAD 919 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) IS62C256 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 234 Nestabilnый 256 45 м Шram 32K x 8 Парлель 45NS
IS42S32160D-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-7BL 12.8490
RFQ
 ECAD 3175 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43QR16256B-083RBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBL 12.0800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-BGA IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-BGA СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1733 Ear99 8542.32.0036 198 1,2 -е Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR 3.5832
RFQ
 ECAD 8644 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SRAM - Синронн 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR 3000 45 мг Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 512K x 8 SPI - Quad I/O, SDI -
IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 2.2324
RFQ
 ECAD 6620 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-Soj - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 800 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть