SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 2.2324
RFQ
 ECAD 6620 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-Soj - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV6416EEBLL-10KLI-TR 800 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
IS45S16320D-7CTLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7CTLA2-TR 24.7650
RFQ
 ECAD 3487 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43TR16640BL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-107MBL-TR -
RFQ
 ECAD 1453 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS64WV6416BLL-15TA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416BLL-15TA3-TR -
RFQ
 ECAD 7840 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV6416 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
IS42S86400F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400F-7TLI-TR 12.0000
RFQ
 ECAD 8897 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
IS45S16100E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 3819 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS45S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS43LD32640B-18BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18BPLI -
RFQ
 ECAD 9113 0,00000000 Issi, ина - Поднос Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 168 533 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS42RM16200D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16200D-6BLI 2.4745
RFQ
 ECAD 9655 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16200 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 32 мб 6 м Ддрам 2m x 16 Парлель -
IS42S32800J-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75ETLI-TR 5.9374
RFQ
 ECAD 9907 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS46LD32128A-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8671 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128A-25BPLA2-TR Управо 1 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS43TR16512A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-125KBL -
RFQ
 ECAD 2787 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1459 Ear99 8542.32.0036 136 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS62WV5128EALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 2685 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV5128 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS45S32200E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 2119 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS61LV25616AL-10TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10TI-TR -
RFQ
 ECAD 9110 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV25616 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS25WQ020-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 5953 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WQ020 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 4500 104 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 1 мс
IS25WP256E-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLA3-TR 4.7898
RFQ
 ECAD 2549 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP256E-RHLA3-TR 2500 166 мг NeleTUSHIй 256 мб 5,5 млн В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS46TR16640C-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-107MBLA2 4.2332
RFQ
 ECAD 7810 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16640C-107MBLA2 190 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43DR16128B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-3DBL-TR -
RFQ
 ECAD 3595 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TW-BGA (10,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 333 мг Nestabilnый 2 Гит 450 с Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS46LR32160C-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA1-TR 10.2750
RFQ
 ECAD 6939 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 12NS
IS49NLC96400-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-25BLI -
RFQ
 ECAD 1412 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC96400 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 64M x 9 Парлель -
IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 8557 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF102436 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR 3.5832
RFQ
 ECAD 8644 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SRAM - Синронн 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS62WVS5128GBLL-45NLI-TR 3000 45 мг Nestabilnый 4 марта 15 млн Шram 512K x 8 SPI - Quad I/O, SDI -
IS43TR82560CL-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBL 6.1042
RFQ
 ECAD 8748 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 242 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS61NVF25672-7.5B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-7.5b1i-tr -
RFQ
 ECAD 9927 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NVF25672 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS46LR32160B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160B-6BLA1 -
RFQ
 ECAD 3435 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 12NS
IS43LD32640B-18BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18BLI-TR 11.0850
RFQ
 ECAD 5098 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 533 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS42S81600D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600D-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 3991 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S81600 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 8 Парлель -
IS63WV1024BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12TLI 2.4900
RFQ
 ECAD 117 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-soic (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS63WV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 117 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR -
RFQ
 ECAD 2450 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVH16M8 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 36 млн Псром 16m x 8 Парлель 36NS
IS46TR81280C-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280C-125JBLA25-TR -
RFQ
 ECAD 4470 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR81280C-125JBLA25-TR Ear99 8542.32.0032 2000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть