SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61NVP51236-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 7559 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVP51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS41LV16100C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50KLI-TR -
RFQ
 ECAD 9629 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 42-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS41LV16100 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 42-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS46DR16320C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-25DBLA1-TR 7.2600
RFQ
 ECAD 3841 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS39LV040-70JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV040-70JCE -
RFQ
 ECAD 8043 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 32-LCC (J-Lead) IS39LV040 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 32-PLCC (11.43x13.97) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 32 NeleTUSHIй 4 марта 70 млн В.С. 512K x 8 Парлель 70NS
IS25WP128-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JBLE 2.6300
RFQ
 ECAD 27 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WP128 В.С. 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1443 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS43DR16320C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-25DBLI 6.5170
RFQ
 ECAD 7724 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 209 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42S32160F-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75EBLI 13.0470
RFQ
 ECAD 4006 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR 3.0281
RFQ
 ECAD 6308 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS61WV5128 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS25LP080D-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JKLE 1.0600
RFQ
 ECAD 1140 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP080 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1579 Ear99 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS46LD32640B-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 5061 0,00000000 Issi, ина - МАССА Прохл -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32640B-25BLA2-TR 1 400 мг Nestabilnый 2 Гит 5,5 млн Ддрам 64M x 32 HSUL_12 15NS
IS46DR16320D-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA2-TR 7.5150
RFQ
 ECAD 9997 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS43LR32320B-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-5BL-TR -
RFQ
 ECAD 5458 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS43LR32320 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2500 200 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 32 м x 32 Парлель 15NS
IS49NLC18320-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-33BI -
RFQ
 ECAD 3085 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 300 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS49NLC18320-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-25BI -
RFQ
 ECAD 3776 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS43R16320D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5BL-TR 7,5000
RFQ
 ECAD 5575 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS49NLS18320-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-33BL -
RFQ
 ECAD 9948 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 300 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS43TR16256AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBLI -
RFQ
 ECAD 5204 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61LV12824-8TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8TQ-TR -
RFQ
 ECAD 5904 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LV12824 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 3 марта 8 млн Шram 128K x 24 Парлель 8ns
IS42S32160D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BL 13.5037
RFQ
 ECAD 3860 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43LR32160C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BLI-TR 7.3800
RFQ
 ECAD 4041 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 12NS
IS61LPD25636A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD25636A-200TQLI 15.4275
RFQ
 ECAD 3269 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPD25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS62WV1288BLL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55TLI-TR 1.6971
RFQ
 ECAD 9012 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62WV1288 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 128K x 8 Парлель 55NS
IS61NLP25672-250B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-250B1I -
RFQ
 ECAD 3107 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLP25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS61NLP51236-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 5723 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32800D-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7B -
RFQ
 ECAD 7843 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS43R32800D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-6BL -
RFQ
 ECAD 8976 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 144-LFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 189 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
IS49NLS93200-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-25B -
RFQ
 ECAD 8248 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS42S32400D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6B -
RFQ
 ECAD 5793 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS43R86400E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6BL -
RFQ
 ECAD 5225 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS45S32400F-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7TLA1 5.7340
RFQ
 ECAD 2238 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть