SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS45S16100C1-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100C1-7BLA1 -
RFQ
 ECAD 7125 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS45S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-Minibga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 286 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S16100C1-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7BL -
RFQ
 ECAD 5301 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 286 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS34ML04G081-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G081-TLI-TR 8.4321
RFQ
 ECAD 2517 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34ML04 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1500 NeleTUSHIй 4 Гит 25 млн В.С. 512M x 8 Парлель 25NS
IS45S32400F-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-6BLA1 6.9670
RFQ
 ECAD 1821 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS62WV25616EALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 8109 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS43TR16512S2DL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S2DL-107MBL-TR 18.7397
RFQ
 ECAD 8444 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LWBGA (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16512S2DL-107MBL-TR 1500 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS49NLS93200-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-25BLI -
RFQ
 ECAD 9531 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS42SM16320E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16320E-75BLI 10.2571
RFQ
 ECAD 4005 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16320 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 348 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS49NLS18160-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-25BLI -
RFQ
 ECAD 2479 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 Парлель -
IS37SML01G1-LLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is37sml01g1 -lli -tr 3.5652
RFQ
 ECAD 7397 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS37SML01 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 104 мг NeleTUSHIй 1 Гит 8 млн В.С. 128m x 8 SPI -
IS61LF6436A-8.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF6436A-8.5TQLI 5.9867
RFQ
 ECAD 7951 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF6436 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 90 мг Nestabilnый 2 марта 8,5 млн Шram 64K x 36 Парлель -
IS42S16320B-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 3957 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS64WV102416BLL-10MLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416BLL-10MLA3-TR 26.0250
RFQ
 ECAD 8080 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV102416 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS61NVP204818B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204818B-200TQLI-TR 69 6500
RFQ
 ECAD 7574 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVP204818 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 36 мб 3.1 м Шram 2m x 18 Парлель -
IS25WP128-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JLLE-TR 1.9402
RFQ
 ECAD 9184 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS66WV51216EBLL-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70TLI 2.4473
RFQ
 ECAD 5649 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS66WV51216 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 8 марта 70 млн Псром 512K x 16 Парлель 70NS
IS43DR16640A-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640A-3DBL -
RFQ
 ECAD 8828 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x13.65) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43R86400F-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400F-5TL-TR 3.2532
RFQ
 ECAD 7255 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43R86400F-5TL-TR 1500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 SSTL_2 15NS
IS25WE256E-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE256E-RMLE-TR 4.2125
RFQ
 ECAD 6322 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WE256E-RMLE-TR 1000 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS42VM16160K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-75BLI 6.6300
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1313 Ear99 8542.32.0024 348 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS34MW02G084-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW02G084-BLI-TR 4.3621
RFQ
 ECAD 4179 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS34MW02G084-BLI-TR 2500 NeleTUSHIй 2 Гит 30 млн В.С. 256 м х 8 Парлель 45NS
IS61QDPB42M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M18A-400M3L 71.5551
RFQ
 ECAD 1268 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS34ML02G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G084-TLI 68500
RFQ
 ECAD 890 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34ML02 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1633 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 2 Гит 25 млн В.С. 256 м х 8 Парлель 25NS
IS45VM16800H-75BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA2 -
RFQ
 ECAD 7111 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61LPD51236A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200TQI-TR -
RFQ
 ECAD 7824 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPD51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS43R86400D-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5TLI 8.3656
RFQ
 ECAD 2664 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS42SM16400M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-75BLI 3.0706
RFQ
 ECAD 5473 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16400 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS62WV5128DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45BLI -
RFQ
 ECAD 4147 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 4 марта 45 м Шram 512K x 8 Парлель 45NS
IS42VM16160D-8TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8TLI -
RFQ
 ECAD 1948 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42VM16160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 125 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42SM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800D-75BLI -
RFQ
 ECAD 4084 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32800 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть