SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61LV2568L-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-10TL-TR -
RFQ
 ECAD 1910 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV2568 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 256K x 8 Парлель 10NS
IS43DR81280C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-25DBL 4.2900
RFQ
 ECAD 242 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1574 Ear99 8542.32.0032 242 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS43QR16512A-083TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-083TBLI-TR 17.2767
RFQ
 ECAD 6410 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR16512A-083TBLI-TR 2000 1,2 -е Nestabilnый 8 Гит 18 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS42S32200C1-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BL-TR -
RFQ
 ECAD 8512 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 90-bga (13x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS61LF102418A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-6.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 6418 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS43LR16200C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200C-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 4617 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16200 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2000 166 мг Nestabilnый 32 мб 5,5 млн Ддрам 2m x 16 Парлель 12NS
IS43TR82560BL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-15HBLI -
RFQ
 ECAD 4670 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 242 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS61LP6432A-133TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6432A-133TQ-TR -
RFQ
 ECAD 1161 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LP6436 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 мг Nestabilnый 2 марта 4 млн Шram 64K x 32 Парлель -
IS61LPD51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 3461 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 3.135V ~ 3.465V 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32400F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7TL 4.6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1272 Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS42S81600E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-7TL -
RFQ
 ECAD 2885 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S81600 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 8 Парлель -
IS61VPS204836B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-200TQLI 123,9810
RFQ
 ECAD 6414 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS204836 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 72 мб 3.1 м Шram 2m x 36 Парлель -
IS43DR16320D-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBL 2.8719
RFQ
 ECAD 5481 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42SM32400G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-6BLI -
RFQ
 ECAD 2625 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32400 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS43TR16128A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-15HBL -
RFQ
 ECAD 9365 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS45S32400E-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-6BLA1 -
RFQ
 ECAD 8374 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS25CD512-JDLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JDLE-TR -
RFQ
 ECAD 5295 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-tssop (0,173 », ширина 4,40 мм) IS25CD512 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 8-tssop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3500 100 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI 5 мс
IS42S32800J-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6BLI 7 9900
RFQ
 ECAD 14 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS42S83200J-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-6TLI-TR 3.1765
RFQ
 ECAD 2324 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS43QR16256A-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-083RBLI -
RFQ
 ECAD 2319 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1474 Ear99 8542.32.0036 50 1,2 -е Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель -
IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10BLI-TR 12.3750
RFQ
 ECAD 8552 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV102416 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS61WV102416EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10TLI 12.4385
RFQ
 ECAD 3749 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV102416 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS61NVF102418-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF102418-6.5b3i-tr -
RFQ
 ECAD 7255 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVF102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS43LR16320B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320B-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 2955 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16320 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2000 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель 12NS
IS66WVH16M8DBLL-100B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DBLL-100B1LI 5.0400
RFQ
 ECAD 7 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVH16M8 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 100 мг Nestabilnый 128 мб 40 млн Псром 16m x 8 Парлель 40ns
IS25LD020-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD020-JNLE -
RFQ
 ECAD 4825 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LD020 В.С. 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 100 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 5 мс
IS42S32400D-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7T -
RFQ
 ECAD 3682 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS46LQ32640AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6028 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32640AL-062BLA2-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 64M x 32 Lvstl 18ns
IS25WP016-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JMLE-TR -
RFQ
 ECAD 5655 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 7 млн В.С. 2m x 8 Серриал 800 мкс
IS42S32800B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4526 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть