SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61QDPB42M36A1-550M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-550M3L -
RFQ
 ECAD 1529 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 SRAM - Quad Port, Синронн 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 мг Nestabilnый 72 мб Шram 2m x 36 Парлель -
IS61DDB44M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB44M18A-300M3L 74.4172
RFQ
 ECAD 4982 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB44 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 300 мг Nestabilnый 72 мб Шram 4m x 18 Парлель -
IS61WV102416EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10BLI 12.4781
RFQ
 ECAD 3558 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV102416 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS43LD32320C-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320C-25BL-TR -
RFQ
 ECAD 3457 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) IS43LD32320 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1200 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 32 м x 32 Парлель 15NS
IS49RL36160-093EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-093EBL -
RFQ
 ECAD 1063 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 168-lbga IS49RL36160 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 8 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
IS66WVS1M8ALL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is66wvs1m8all-104nli-tr 1.8392
RFQ
 ECAD 9495 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PSRAM (Psewdo sram) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVS1M8ALL-104NLI-TR 3000 104 мг Nestabilnый 8 марта 7 млн Псром 1m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12832EC-200TQLA3-TR 9.9825
RFQ
 ECAD 9279 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS64LPS12832 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 4 марта 3.1 м Шram 128K x 32 Парлель -
IS49RL18640-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18640-093EBLI 129.6426
RFQ
 ECAD 9103 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL18640-093EBLI 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 1152 Гит 8 млн Ддрам 64 м х 18 Парлель -
IS61DDPB251236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB251236A-400M3L 44.1540
RFQ
 ECAD 9754 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDPB251236 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 18 марта Шram 512K x 36 Парлель -
IS43DR16320B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320B-3DBI -
RFQ
 ECAD 8605 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TW-BGA (10,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43DR16320B-3DBI Управо 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS45S16800E-7TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7TLA2 -
RFQ
 ECAD 3578 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS45S32400F-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7TLA1-TR 5.2853
RFQ
 ECAD 3001 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS25LP256H-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256H-RMLE -
RFQ
 ECAD 5303 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP256H-RMLE Управо 1 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS43TR16512AL-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-15HBL-TR 20.1150
RFQ
 ECAD 3258 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS42S16160D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TLI -
RFQ
 ECAD 2436 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S83200G-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TL 5.6461
RFQ
 ECAD 3031 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS61VPS102418A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 9025 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS43R86400D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BLI 8.9966
RFQ
 ECAD 3761 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS49NLC36800A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-18WBLI 33 5439
RFQ
 ECAD 4103 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC36800A-18WBLI 104 533 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 8m x 36 HSTL -
IS43TR16640C-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640C-125JBL 3.9500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16640C-125JBL Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128EDBLL-10KLI-TR 3.2797
RFQ
 ECAD 2905 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61WV5128 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 36-SOJ СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS42S32160C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-75BLI -
RFQ
 ECAD 9015 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-WBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43QR85120B-075UBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-075UBL-TR 8.9376
RFQ
 ECAD 2602 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR85120B-075UBL-TR 2000 1 333 г Nestabilnый 4 Гит 19 млн Ддрам 512M x 8 Капсул 15NS
IS42S16320D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BLI 15.2763
RFQ
 ECAD 3604 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS42S32400B-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 8597 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS45S16320B-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320B-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 2513 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 108 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS46LQ32256A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256A-062BLA1-TR 21.2800
RFQ
 ECAD 6620 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32256A-062BLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 8 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 32 Lvstl 18ns
IS46DR16320E-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-25DBLA2-TR 4.8869
RFQ
 ECAD 5772 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS61LF204818B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF204818B-7.5TQLI 80.9126
RFQ
 ECAD 7045 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS42VM32160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160E-75BLI-TR 8.9400
RFQ
 ECAD 9513 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть