SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS42S83200D-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-75ETLI -
RFQ
 ECAD 2856 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS43LD32320A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-3BLI -
RFQ
 ECAD 7166 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 171 333 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 32 м x 32 Парлель 15NS
IS61DDPB24M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB24M18A-400M3L 100.1770
RFQ
 ECAD 1062 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDPB24 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 72 мб Шram 4m x 18 Парлель -
IS42S16320D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BI -
RFQ
 ECAD 6717 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS42S16320D-6BI Управо 240 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43LD16128B-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128B-25BL-TR 9.3750
RFQ
 ECAD 4030 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS43LD16128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 400 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43TR16512AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-15HBLI-TR -
RFQ
 ECAD 2751 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45T2LI-TR -
RFQ
 ECAD 7503 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-soic (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 32-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 45 м Шram 512K x 8 Парлель 45NS
IS63LV1024-12J-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12J-TR -
RFQ
 ECAD 6685 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS61QDPB42M36A-550M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-550M3L -
RFQ
 ECAD 6448 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 SRAM - Quad Port, Синронн 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 мг Nestabilnый 72 мб Шram 2m x 36 Парлель -
IS61LPD51236A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-200TQI -
RFQ
 ECAD 2461 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPD51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS61NLP51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3LI 20.7400
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS46LD32320A-3BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BLA2 -
RFQ
 ECAD 2517 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS46LD32320 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 171 333 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 32 м x 32 Парлель 15NS
IS46TR81280B-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-125JBLA25 -
RFQ
 ECAD 4060 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR81280B-125JBLA25 Ear99 8542.32.0032 136 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS46LQ16128AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 8140 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16128AL-062BLA1 136 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS25LQ032B-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JMLE -
RFQ
 ECAD 8579 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LQ032 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS46TR16128BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-125KBLA1 -
RFQ
 ECAD 8796 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS46LQ32128A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062TBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 7878 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32128A-062TBLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl 18ns
IS64WV10248EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EDBLL-10CTLA3-TR 12.9738
RFQ
 ECAD 3880 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS42S16320F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6BL 10.8395
RFQ
 ECAD 6368 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS46TR16640BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA1 -
RFQ
 ECAD 8583 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640BL-125KBLA1 Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43DR86400C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-25DBL 6.1873
RFQ
 ECAD 5652 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 242 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS46DR16640C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640C-3DBLA1-TR 5.2523
RFQ
 ECAD 3329 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2500 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS49RL18320A-093FBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-093FBLI 73.2461
RFQ
 ECAD 9151 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL18320A-093FBLI 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 7,5 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS42S16100H-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6TL-TR 1.0897
RFQ
 ECAD 4391 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 1000 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS45S16320D-6CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-6CTLA1-TR 20.6400
RFQ
 ECAD 5179 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43LD32128A-18BPLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-18BPLI-TR -
RFQ
 ECAD 2851 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43LD32128A-18BPLI-TR Управо 1 533 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS25WP128-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JKLE-TR 1.8948
RFQ
 ECAD 1743 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4500 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS66WV1M16DBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-70BLI -
RFQ
 ECAD 3450 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WV1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 16 марта 70 млн Псром 1m x 16 Парлель 70NS
IS43R16320E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TLI 7.0644
RFQ
 ECAD 4916 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR16128D-093NBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-093NBLI-TR -
RFQ
 ECAD 6292 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16128D-093NBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1500 1 066 ГОГ Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть