SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Sic programmirueTSARY Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61LV25616AL-10T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10T-TR -
RFQ
 ECAD 4443 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV25616 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS42VM16160K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160K-6BLI-TR 5.1153
RFQ
 ECAD 8327 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS49NLS93200A-18WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-18WBLI 33 5439
RFQ
 ECAD 8996 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS93200A-18WBLI 104 533 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 32 м х 9 HSTL -
IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV1M16DBLL-70BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WV1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 70 млн Псром 1m x 16 Парлель 70NS
IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8BLL-100B1LI-TR 3.6010
RFQ
 ECAD 1707 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVH8M8 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2500 100 мг Nestabilnый 64 марта 40 млн Псром 8m x 8 Парлель 40ns
IS43DR16320D-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBI-TR -
RFQ
 ECAD 1211 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42S16160G-6TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TI-TR -
RFQ
 ECAD 1917 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S32800B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BLI -
RFQ
 ECAD 4514 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS64WV5128BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128BLL-10CTLA3 8.4950
RFQ
 ECAD 9623 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV5128 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS64WV51216EDBLL-10BLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10BLA3 14.9738
RFQ
 ECAD 5733 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS46TR16640BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 9746 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640BL-125KBLA2-TR Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR16512AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 2467 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LFBGA (10x14) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16512AL-107MBLI Ear99 8542.32.0036 136 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS42S32200C1-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4228 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 90-bga (13x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43DR16640B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBL 6.1100
RFQ
 ECAD 8360 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1202 Ear99 8542.32.0032 209 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS25WP016-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JLLE -
RFQ
 ECAD 2976 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (8x6) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 7 млн В.С. 2m x 8 Серриал 800 мкс
IS46R16160D-6TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA2-TR 6.6529
RFQ
 ECAD 2890 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 3.8489
RFQ
 ECAD 8743 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR 2500 Nestabilnый 8 марта 45 м Шram 512K x 16 Парлель 45NS
IS25LQ016B-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JLLE -
RFQ
 ECAD 8512 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LQ016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 480 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 2.2990
RFQ
 ECAD 1336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI-TR 2500 200 мг Nestabilnый 16 марта Псром 4m x 4 SPI - Quad I/O 40ns
IS25CD512-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CD512-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 8547 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25CD512 В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 100 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI 5 мс
IS45S16320B-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320B-7BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6522 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-WBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS21ES08GA-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08GA-JCLI 15.6400
RFQ
 ECAD 4274 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA IS21ES08 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21ES08GA-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 EMMC -
IS42S16100E-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4948 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S32400D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6T-TR -
RFQ
 ECAD 4804 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS62WV25616EALL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BLI 4.4671
RFQ
 ECAD 8814 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS42S16400F-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-7BL -
RFQ
 ECAD 9308 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM Nprovereno 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS49NLS93200A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200A-25EWBLI 31.9177
RFQ
 ECAD 8301 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLS93200A-25EWBLI 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 15 млн Ддрам 32 м х 9 HSTL -
IS42S32160F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TL-TR 11.2500
RFQ
 ECAD 2011 год 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43DR86400D-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-25DBLI 6.0878
RFQ
 ECAD 6147 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 242 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS46LD32640B-18BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-18BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 7597 0,00000000 Issi, ина - МАССА Прохл -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32640B-18BLA2-TR 1 533 мг Nestabilnый 2 Гит 5,5 млн Ддрам 64M x 32 HSUL_12 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть