SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE4M16TBLL-70BLI-TR 4.1105
RFQ
ECAD 5017 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE4M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 64 марта 70 млн Псром 4m x 16 Парлель 70NS
IS49NLC93200-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-33BLI -
RFQ
ECAD 7787 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 300 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS46LQ32128A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062BLA1-TR -
RFQ
ECAD 7960 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32128A-062BLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl 18ns
IS43DR16160A-37CBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-37CBL -
RFQ
ECAD 4897 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 209 266 мг Nestabilnый 256 мб 500 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42S32400E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400E-6BLI -
RFQ
ECAD 1739 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR -
RFQ
ECAD 4320 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA IS66WVC4M16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 64 марта 70 млн Псром 4m x 16 Парлель 70NS
IS43TR16640A-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640A-125JBL -
RFQ
ECAD 5133 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43LR16200D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200D-6BL-TR 2.5043
RFQ
ECAD 6578 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16200 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2000 166 мг Nestabilnый 32 мб 5,5 млн Ддрам 2m x 16 Парлель 15NS
IS21ES64G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES64G-JQLI -
RFQ
ECAD 5050 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-lbga IS21ES64 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 100-LFBGA (14x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21ES64G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 мг NeleTUSHIй 512 Гит В.С. 64G x 8 EMMC -
IS61LV12824-10TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQLI-TR -
RFQ
ECAD 7913 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LV12824 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 3 марта 10 млн Шram 128K x 24 Парлель 10NS
IS61NLP51236B-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3LI-TR 14.6300
RFQ
ECAD 3640 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42SM16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800G-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 6171 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16800 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61QDPB41M36A-450B4I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A-450B4I -
RFQ
ECAD 9774 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB41 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 450 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS25WP256E-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLE 4.0905
RFQ
ECAD 8791 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP256E-RHLE 480 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS21TF32G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF32G-JCLI 48.1300
RFQ
ECAD 147 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA IS21TF32G Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21TF32G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 мг NeleTUSHIй 256 Гит В.С. 32G x 8 MMC -
IS42S83200G-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200G-6TL-TR 5.2066
RFQ
ECAD 4719 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS61C3216AL-12KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C3216AL-12KLI-TR 2.0882
RFQ
ECAD 2806 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61C3216 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 800 Nestabilnый 512 12 млн Шram 32K x 16 Парлель 12NS
IS62LV256AL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45TLI 1.4200
RFQ
ECAD 4923 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) IS62LV256 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 28-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 234 Nestabilnый 256 45 м Шram 32K x 8 Парлель 45NS
IS61NLF51218A-7.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218A-7.5B3I -
RFQ
ECAD 6440 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLF51218 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
IS43TR16640CL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640CL-107MBLI 4.6700
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16640CL-107MBLI Ear99 8542.32.0032 190 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS46TR16256BL-107MBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA3-TR -
RFQ
ECAD 4993 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16256BL-107MBLA3-TR Ear99 8542.32.0036 1500 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS42S32160B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-7TL -
RFQ
ECAD 5503 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS42S32400D-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7TI-TR -
RFQ
ECAD 9919 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61LF51236A-7.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3-TR -
RFQ
ECAD 1829 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32400F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7TL-TR 3.7059
RFQ
ECAD 1394 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS45S16160G-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7BLA2-TR 8.9700
RFQ
ECAD 6657 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S16100F-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7TLI -
RFQ
ECAD 3410 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S81600F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-7TL-TR 2.2033
RFQ
ECAD 5200 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S81600 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 8 Парлель -
IS25LP128F-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLE-TR 1.8644
RFQ
ECAD 8435 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP128 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4000 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS42SM32160E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160E-75BLI 10.2110
RFQ
ECAD 8226 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32160 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе