SIC
close

СПАМАТА (5712)

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDBLL-8BLI-TR 9.5894
RFQ
 ECAD 3305 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 8 млн Шram 512K x 16 Парлель 8ns
IS42VM32160E-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160E-6BLI-TR 9.3900
RFQ
 ECAD 8479 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61NLF102418-6.5TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5TQ -
RFQ
 ECAD 4862 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS45S16400J-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7TLA1-TR 3.2592
RFQ
 ECAD 7718 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS62WV5128BLL-55T2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55T2LI 4.6900
RFQ
 ECAD 5 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-soic (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 117 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS61LF51236A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5B3 -
RFQ
 ECAD 3124 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS45S16320F-7TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7TLA2 15.9034
RFQ
 ECAD 1599 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS46TR16640B-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-125JBLA25-TR -
RFQ
 ECAD 5159 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640B-125JBLA25-TR Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS46TR16640BL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125KBLA2 -
RFQ
 ECAD 8767 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640BL-125KBLA2 Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43R86400D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6TL-TR 5.1123
RFQ
 ECAD 3211 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS42SM16200D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16200D-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 3458 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16200 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 32 мб 6 м Ддрам 2m x 16 Парлель -
IS42S83200D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200D-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5184 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS46TR16640B-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-107MBLA2 -
RFQ
 ECAD 9474 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640B-107MBLA2 Ear99 8542.32.0032 190 933 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR81024BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBL-TR 19.0323
RFQ
 ECAD 4487 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR81024BL-125KBL-TR 2000 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS25WE256E-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE256E-RMLE-TY 4.8475
RFQ
 ECAD 9399 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 16 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WE256E-RMLE-TY 176 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 2 мс
IS46LQ16256AL-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 4251 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16256AL-062BLA1 136 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 16 Lvstl 18ns
IS61NLP25636A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B3I -
RFQ
 ECAD 4250 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS61LV10248-10T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV10248-10T-TR -
RFQ
 ECAD 3169 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV10248 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS26KS256S-DPBLI00 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS26KS256S-DPBLI00 7.8600
RFQ
 ECAD 1335 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-VBGA IS26KS256 Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 24-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS26KS256S-DPBLI00 3A991B1A 8542.32.0071 338 166 мг NeleTUSHIй 256 мб 96 м В.С. 32 м х 8 Парлель -
IS25WP128-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JKLE 2.8700
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS43TR16128D-093NBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-093NBL-TR -
RFQ
 ECAD 5494 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16128D-093NBL-TR Ear99 8542.32.0036 1500 1 066 ГОГ Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43R83200B-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200B-5TL -
RFQ
 ECAD 9073 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R83200 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 32 м х 8 Парлель 15NS
IS46TR16640B-125KBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-125KBLA3-TR -
RFQ
 ECAD 5633 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640B-125KBLA3-TR Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR85120A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 3866 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (9x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS42S32800J-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6BLI-TR 6.1050
RFQ
 ECAD 7535 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61NVF51236-7.5TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-7.5TQI -
RFQ
 ECAD 3960 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS61VF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-6.5b3i-tr -
RFQ
 ECAD 6923 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS61QDB22M36A-333B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M36A-333B4LI 74.4172
RFQ
 ECAD 5979 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB22 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 333 мг Nestabilnый 72 мб 1,35 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS43TR16128C-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBL 5.5338
RFQ
 ECAD 8707 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61LF25636A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636A-7.5TQI-TR -
RFQ
 ECAD 9301 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF25636 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть