SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS43TR16256B-093NBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-093NBLI -
RFQ
ECAD 8226 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16256B-093NBLI Ear99 8542.32.0036 190 1 066 ГОГ Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS25LX512M-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHLA3 8.4300
RFQ
ECAD 1178 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LX512M В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LX512M-JHLA3TR 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EDBLL-10BA3-TR -
RFQ
ECAD 4971 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS46R16160D-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-5TLA1 6.4828
RFQ
ECAD 8963 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR 2.2094
RFQ
ECAD 3603 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) SRAM - Синронн 2,7 В ~ 3,6 В. 8 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS62WVS2568GBLL-45NLI-TR 3000 45 мг Nestabilnый 2 марта 15 млн Шram 256K x 8 SPI - Quad I/O, SDI -
IS49NLS93200-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-33BI -
RFQ
ECAD 4856 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 300 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS45S16400F-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7TLA2-TR -
RFQ
ECAD 8404 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS45S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS43TR16128C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBL-TR 5.0226
RFQ
ECAD 6541 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS64WV6416BLL-15TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416BLL-15TLA3-TR 4.0426
RFQ
ECAD 6439 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV6416 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
IS43DR16128B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-25EBL-TR -
RFQ
ECAD 9046 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TW-BGA (10,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 400 мг Nestabilnый 2 Гит 400 с Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43R86400E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6TL-TR -
RFQ
ECAD 8043 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43R86400E-6TL-TR 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 SSTL_2 15NS
IS25LE512M-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LE512M-RMLE-TR 7.2904
RFQ
ECAD 9868 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LE512M-RMLE-TR 1000 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS46LD32128B-18BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-18BPLA1 -
RFQ
ECAD 1401 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128B-18BPLA1 Ear99 8542.32.0036 1 533 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS43DR86400E-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBL-TR 2.4369
RFQ
ECAD 5920 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43DR86400E-25DBL-TR 2000 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 64 м х 8 SSTL_18 15NS
IS42S32800D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7TLI -
RFQ
ECAD 1289 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS42S16160G-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6TLI-TR 3.7224
RFQ
ECAD 6178 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S32160F-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-75ETLI-TR 13.2000
RFQ
ECAD 9756 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS43LD32640B-18BPL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18BPL-TR -
RFQ
ECAD 4950 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 533 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS42S16800E-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75EBLI -
RFQ
ECAD 3322 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS42RM16160K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160K-6BLI-TR 5.2523
RFQ
ECAD 8517 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16160 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43DR16160B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBI -
RFQ
ECAD 3647 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 209 333 мг Nestabilnый 256 мб 450 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42VM32160D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32160D-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 3500 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS46DR81280B-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-3DBLA1 -
RFQ
ECAD 5182 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 242 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS42S32200E-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6BL-TR -
RFQ
ECAD 2382 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S81600E-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-6TL -
RFQ
ECAD 5148 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S81600 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 8 Парлель -
IS42S16320D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6TL 12.7725
RFQ
ECAD 1647 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43LD32320A-3BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-3BLI-TR -
RFQ
ECAD 2774 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 134-TFBGA IS43LD32320 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1200 333 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 32 м x 32 Парлель 15NS
IS49NLC18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-33BI -
RFQ
ECAD 9018 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC18160 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 300 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 Парлель -
IS42S16400D-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TLI -
RFQ
ECAD 1344 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS25WP512M-JLLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-JLLE-TR 6.2776
RFQ
ECAD 6882 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP512M-JLLE-TR 4000 112 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе