Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | AT25FF041A-DWF | 124.0000 | ![]() | 6208 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Масса | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | Править | АТ25ФФ041 | ВСПЫШКА | 1,65 В ~ 3,6 В | вафля | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 1265-AT25FF041A-DWF | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 МГц | Энергонезависимый | 4 Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 2 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 22 мкс, 6,5 мс | |||
![]() | S29GL01GS11TFV020 | 11.1900 | ![]() | 93 | 0,00000000 | Расширение | ГЛ-С | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL01 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 27 | Энергонезависимый | 1Гбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 64М х 16 | Параллельно | 60нс | Не проверено | ||||||
![]() | 7024L20FB | - | ![]() | 9821 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -55°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-ФлэтПак | 7024L20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ФПАК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 6 | Неустойчивый | 64Кбит | 20 нс | СРАМ | 4К х 16 | Параллельно | 20нс | ||||
| S25FL128SAGBHIA10 | 5.1100 | ![]() | 8382 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128 Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||||
![]() | IS22TF64G-JCLA1 | 50,6532 | ![]() | 7392 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 153-ВФБГА | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 153-ВФБГА (11,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-IS22TF64G-JCLA1 | 152 | 200 МГц | Энергонезависимый | 512Гбит | ВСПЫШКА | 64Г х 8 | eMMC_5.1 | - | |||||||
| 24FC02T-I/СТ | 0,3000 | ![]() | 3183 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | 24FC02 | ЭСППЗУ | 1,7 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 450 нс | ЭСППЗУ | 256 х 8 | I²C | 5 мс | ||||
![]() | AT49BV040A-90TI | - | ![]() | 5791 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | AT49BV040 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 50 мкс | ||||
![]() | MT25QU02GCBB8E12-0SIT | 34.7400 | ![]() | 643 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | MT25QU02 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1122 | 133 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | ВСПЫШКА | 256М х 8 | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | ||||
![]() | МТ61М512М32КПА-14 НИТ:С | 46.3200 | ![]() | 6467 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | - | 557-МТ61М512М32КПА-14НИТ:С | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | 93С46А-И/МС | 0,3600 | ![]() | 2405 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | 93С46А | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 93C46A-I/МС-НДР | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 2 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8 | Микропровод | 2 мс | |||
![]() | CY7C024-55JXCT | - | ![]() | 2948 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | CY7C024 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Неустойчивый | 64Кбит | 55 нс | СРАМ | 4К х 16 | Параллельно | 55нс | ||||
| MT46H64M32LFCM-6 IT:A TR | - | ![]() | 6052 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ВФБГА | МТ46Х64М32 | SDRAM — мобильный LPDDR | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ВФБГА (10х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 166 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 5 нс | ДРАМ | 64М х 32 | Параллельно | 15нс | ||||
![]() | CY7C107D-10VXIT | 38.5000 | ![]() | 2094 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C107 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 1Мбит | 10 нс | СРАМ | 1М х 1 | Параллельно | 10 нс | ||||
![]() | AM28F020-200EC | 2.0000 | ![]() | 1 | 0,00000000 | АМД | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ВСПЫШКА – НО | 12 В | 32-ЦОП | - | не соответствует RoHS | 3277-AM28F020-200EC | EAR99 | 8542.32.0070 | 100 | Энергонезависимый | 2Мбит | 200 нс | ВСПЫШКА | 256К х 8 | Параллельно | 200 нс | Не проверено | |||||
![]() | CY7C1041BN-15VI | - | ![]() | 8532 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | CY7C1041 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 4 Мбит | 15 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 15нс | ||||
![]() | МТ53Е2Г64Д8ТН-046 ААТ:А | 122,8500 | ![]() | 7137 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Коробка | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 556-ЛФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В | 556-ЛФБГА (12,4х12,4) | - | 557-МТ53Е2Г64Д8ТН-046ААТ:А | 1 | 2133 ГГц | Неустойчивый | 128Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 2Г х 64 | Параллельно | 18нс | ||||||||
![]() | W97AH6KBVX2I | - | ![]() | 2406 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | W97AH6 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ВФБГА (10х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 168 | 400 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | 15нс | ||||
![]() | CG7848AA | - | ![]() | 4476 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 1 | ||||||||||||||||||||
![]() | S25FL132K0XBHIS20Y | - | ![]() | 2592 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ФЛ1-К | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | S25FL132 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-БГА (8х6) | скачать | Непригодный | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 108 МГц | Энергонезависимый | 32Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||||
![]() | 70В08Л12ПФ | - | ![]() | 3791 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х14) | - | 800-70В08Л12ПФ | 1 | Неустойчивый | 512Кбит | 12 нс | СРАМ | 64К х 8 | ЛВТТЛ | 12нс | |||||||||
![]() | S34ML02G200BHB000 | - | ![]() | 5029 | 0,00000000 | SkyHigh Память ограничена | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | S34ML02 | - | Соответствует RoHS | 3 (168 часов) | 2120-С34МЛ02Г200БХБ000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Не проверено | ||||||||||||||||
![]() | ИС42СМ16800Х-75БИ | - | ![]() | 9813 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ТФБГА | ИС42СМ16800 | SDRAM – мобильная версия | 3 В ~ 3,6 В | 54-ТФБГА (8х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 МГц | Неустойчивый | 128 Мбит | 6 нс | ДРАМ | 8М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | S29GL01GS11FAIV20 | 12,4950 | ![]() | 6555 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL01 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (13х11) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 900 | Энергонезависимый | 1Гбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 64М х 16 | Параллельно | 60нс | ||||
![]() | CY7C1474BV33-200BGIT | - | ![]() | 2810 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 209-БГА | CY7C1474 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 209-ФБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 200 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | 3 нс | СРАМ | 1М х 72 | Параллельно | - | |||
| ИС62ВВ5128ДБЛЛ-45БЛИ | - | ![]() | 4147 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 36-ТФБГА | ИС62ВВ5128 | SRAM — асинхронный | 2,3 В ~ 3,6 В | 36-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Неустойчивый | 4 Мбит | 45 нс | СРАМ | 512К х 8 | Параллельно | 45нс | |||||
![]() | IDT71V3556S100BQ8 | - | ![]() | 3993 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИДТ71В3556 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В3556С100БК8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 100 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 5 нс | СРАМ | 128К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | S25FS064SDSMFB010 | 2,9225 | ![]() | 5218 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФС-С | Поднос | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | S25FS064 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2800 | 80 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | ||||
![]() | CY7C12681KV18-400BZC | - | ![]() | 1015 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C12681 | SRAM — синхронный, DDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 МГц | Неустойчивый | 36Мбит | СРАМ | 2М х 18 | Параллельно | - | ||||
![]() | MX25L12835EMI-10G | - | ![]() | 5335 | 0,00000000 | Макроникс | MX25xxx35/36 — MXSMIO™ | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MX25L12835 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 104 МГц | Энергонезависимый | 128 Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | СПИ | 300 мкс, 5 мс | ||||
![]() | АТ27К010-45ПУ | - | ![]() | 3356 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Сквозное отверстие | 32-ДИП (0,600", 15,24 мм) | AT27C010 | СППЗУ-ОТП | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 12 | Энергонезависимый | 1Мбит | 45 нс | СППЗУ | 128 КБ х 8 | Параллельно | - |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)