Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MT53B768M64D8BV-062 WT ES:B TR | - | ![]() | 2317 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | МТ53Б768 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 48Гбит | ДРАМ | 768 м х 64 | - | - | ||||
![]() | С99-50306 | - | ![]() | 6617 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | - | Поставщик не определен | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71В124СА12ФИ | - | ![]() | 4853 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | 71В124 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП II | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 1Мбит | 12 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 12нс | ||||
![]() | MR10Q010CSCR | 7.1939 г. | ![]() | 9696 | 0,00000000 | Эверспин Технологии Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | MR10Q010 | MRAM (магниторезистивное ОЗУ) | 3 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 819-MR10Q010CSCRTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1Мбит | 7 нс | БАРАН | 128 КБ х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | - | ||
| MT46V64M8CV-5B:J ТР | - | ![]() | 3014 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ВФБГА | МТ46В64М8 | SDRAM-DDR | 2,5 В ~ 2,7 В | 60-ФБГА (8х12,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15нс | |||||
![]() | S99GL256P11FFI010 | - | ![]() | 2402 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Последняя покупка | - | 1 | |||||||||||||||||||||||
![]() | ИС61ВФ102418А-7.5Б3 | - | ![]() | 9633 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИС61ВФ102418 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | S29GL01GT11DHB023 | 20.3000 | ![]() | 4770 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-T | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL01 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2200 | Энергонезависимый | 1Гбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 60нс | ||||
![]() | CY7C144E-15AXC | 1,0000 | ![]() | 1861 г. | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | CY7C144 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 64Кбит | 15 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 15нс | Не проверено | |||||
![]() | W25Q16JWSSIM ТР | 0,4992 | ![]() | 6302 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | W25Q16 | ВСПЫШКА – НО | 1,65 В ~ 1,95 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q16JWSSIMTR | EAR99 | 8542.32.0071 | 2000 г. | 133 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | |||
![]() | 25АА02Е48-И/СН | 0,5600 | ![]() | 1248 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 25АА02Е48 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 25АА02Е48ИСН | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8 | СПИ | 5 мс | |||
![]() | S25FL164K0XMFV003 | - | ![]() | 8753 | 0,00000000 | Нексперия США Инк. | - | Масса | Активный | - | 2156-С25ФЛ164К0ХМФВ003 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MB85RS256TYPNF-GS-AWE2 | 3.1288 | ![]() | 9201 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | МБ85RS256 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 865-MB85RS256TYPNF-GS-AWE2TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 85 | 33 МГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 13 нс | ФРАМ | 32К х 8 | СПИ | - | |||
![]() | S29AL016J70TFI010A | - | ![]() | 4200 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 2832-С29АЛ016ДЖ70ТФИ010А | УСТАРЕВШИЙ | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | 71V3558SA100BQGI | 10,5878 | ![]() | 3222 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | 71В3558 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 100 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 5 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | MT28F400B3WG-8 Т ТР | - | ![]() | 8538 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | МТ28Ф400Б3 | ВСПЫШКА – НО | 3 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 80 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8, 256К х 16 | Параллельно | 80нс | ||||
![]() | 684066-B21-C | 58.5000 | ![]() | 3906 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-684066-В21-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CT8G3ERSLS4160B-C | 36.2500 | ![]() | 9019 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-CT8G3ERSLS4160B-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | S27KS0641DPBHA020 | 3.9400 | ![]() | 207 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, HyperRAM™ KS | Масса | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ВБГА | С27КС0641 | PSRAM (псевдо SRAM) | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-ФБГА (6х8) | скачать | 77 | 166 МГц | Неустойчивый | 64 Мбит | 40 нс | ПСРАМ | 8М х 8 | Параллельно | - | Не проверено | |||||||
![]() | 71321SA17PFI | - | ![]() | 2861 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Последняя покупка | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-LQFP | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 64-ТКФП (14х14) | - | 800-71321SA17PFI | 1 | Неустойчивый | 16Кбит | 17 нс | СРАМ | 2К х 8 | Параллельно | 17нс | |||||||||
| 7026L20JI8 | - | ![]() | 5892 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-LCC (J-вывод) | 7026Л20 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ПЛЦК (29,31х29,31) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Неустойчивый | 256Кбит | 20 нс | СРАМ | 16К х 16 | Параллельно | 20нс | |||||
![]() | С-3200Д4ДР4РН/64ГШ | 770.0000 | ![]() | 2677 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-С-3200Д4ДР4РН/64ГШ | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | CY7C1474BV25-167BGIT | - | ![]() | 1232 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 209-БГА | CY7C1474 | SRAM – синхронный, SDR | 2375 В ~ 2625 В | 209-ФБГА (14х22) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 167 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | 3,4 нс | СРАМ | 1М х 72 | Параллельно | - | |||
![]() | АТ27К2048-55Ю | 6.3900 | ![]() | 3035 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 44-LCC (J-вывод) | AT27C2048 | СППЗУ-ОТП | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ПЛСС (16,6х16,6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | AT27C204855JU | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 27 | Энергонезависимый | 2Мбит | 55 нс | СППЗУ | 128 КБ х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | 593923-B21-C | 35.0000 | ![]() | 9704 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-593923-В21-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | W25Q256FVBIF ТР | - | ![]() | 7271 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25Q256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 г. | 104 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 50 мкс, 3 мс | ||||
![]() | MT29F128G08AUCBBH3-12:B | - | ![]() | 8531 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | MT29F128G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 100-LBGA (12x18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | 83 МГц | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | Параллельно | - | |||||
![]() | МТ53Е256М32Д1КС-046 МТА:Л ТР | 11.6800 | ![]() | 8256 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | Поверхностный монтаж | 200-ВФБГА | 200-ВФБГА (10х14,5) | - | REACH не касается | 557-MT53E256M32D1KS-046AIT:LTR | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | 70В06С20Ж | - | ![]() | 1532 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 68-LCC (J-вывод) | 70В06С | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 68-ПЛКЦ (24,21х24,21) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Неустойчивый | 128Кбит | 20 нс | СРАМ | 16К х 8 | Параллельно | 20нс | ||||
![]() | S34ML02G200TFA000 | - | ![]() | 8337 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, ML-2 | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S34ML02 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 2Гбит | ВСПЫШКА | 256М х 8 | Параллельно | 25нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)