SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page Программируемый НИЦ
IS62WV51216BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС62ВВ51216БЛЛ-55БИ -
запросить цену
ECAD 9324 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА IS62WV51216 SRAM — асинхронный 2,5 В ~ 3,6 В 48-ТФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 312 Неустойчивый 8Мбит 55 нс СРАМ 512К х 16 Параллельно 55нс
MD28F020-90/R Rochester Electronics, LLC МД28Ф020-90/Р 193.1200
запросить цену
ECAD 4 0,00000000 Рочестер Электроникс, ООО * Масса Активный скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 0000.00.0000 1
CY15B108QI-20LPXC Infineon Technologies CY15B108QI-20LPXC 37.9300
запросить цену
ECAD 303 0,00000000 Инфинеон Технологии Excelon™-LP, F-RAM™ Поднос Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-УКФН CY15B108 ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 1,8 В ~ 3,6 В 8-ГКФН (3,23х3,28) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 490 20 МГц Энергонезависимый 8Мбит ФРАМ 1М х 8 СПИ -
CY7C1049BNL-17VCT Cypress Semiconductor Corp CY7C1049BNL-17VCT 10.2500
запросить цену
ECAD 500 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 36-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) CY7C1049 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 36-СОЮ скачать Непригодный 3A991B2A 8542.32.0041 30 Неустойчивый 4 Мбит 17 нс СРАМ 512К х 8 Параллельно 17нс Не проверено
NDL26PFG-9MI TR Insignis Technology Corporation НДЛ26ПФГ-9МИ ТР -
запросить цену
ECAD 6170 0,00000000 Инсигнис Технолоджик Корпорейшн - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА НДЛ26 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ФБГА (9х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0036 2500 933 МГц Неустойчивый 2Гбит 20 нс ДРАМ 128М х 16 Параллельно 15нс
HM1-6514-9 Harris Corporation ХМ1-6514-9 -
запросить цену
ECAD 7063 0,00000000 Харрис Корпорейшн - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 18-CDIP (0,300 дюймов, 7,62 мм) ХМ1-6514 SRAM – синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 18-ЦЕРДИП скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Поставщик не определен EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 4Кбит 320 нс СРАМ 1К х 4 Параллельно 420 нс
CY7C1381D-133AXIT Infineon Technologies CY7C1381D-133AXIT -
запросить цену
ECAD 5944 0,00000000 Инфинеон Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1381 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 750 133 МГц Неустойчивый 18 Мбит 6,5 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
GD25Q20EEAGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q20EEAGR 0,5656
запросить цену
ECAD 4992 0,00000000 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-XFDFN Открытая площадка ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 8-УСОН (3х2) - 1970-GD25Q20EEAGRTR 3000 133 МГц Энергонезависимый 2Мбит 7 нс ВСПЫШКА 256К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 140 мкс, 4 мс
CY7C1370DV25-250AXCT Infineon Technologies CY7C1370DV25-250AXCT -
запросить цену
ECAD 6892 0,00000000 Инфинеон Технологии НоБЛ™ Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1370 SRAM – синхронный, SDR 2375 В ~ 2625 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 750 250 МГц Неустойчивый 18 Мбит 2,6 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
MSP14LV640-E1-TJ-001 Infineon Technologies MSP14LV640-E1-TJ-001 -
запросить цену
ECAD 5168 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 1
A5180168-C ProLabs А5180168-С 95.7500
запросить цену
ECAD 8067 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А5180168-С EAR99 8473.30.5100 1
CY14B256PA-SFXI Cypress Semiconductor Corp CY14B256PA-SFXI 1,0000
запросить цену
ECAD 9802 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) CY14B256 NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК скачать 1 40 МГц Энергонезависимый 256Кбит НВСРАМ 32К х 8 СПИ - Не проверено
CY7C1543V18-333BZI Cypress Semiconductor Corp CY7C1543V18-333BZI 159.2200
запросить цену
ECAD 33 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1543 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3A991B2A 8542.32.0041 2 333 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 4М х 18 Параллельно - Не проверено
CAT24C16LI-G Catalyst Semiconductor Inc. КАТ24К16ЛИ-Г -
запросить цену
ECAD 1379 0,00000000 Catalyst Semiconductor Inc. - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Сквозное отверстие 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) КАТ24C16 ЭСППЗУ 1,7 В ~ 5,5 В 8-ПДИП скачать Соответствует ROHS3 EAR99 8542.32.0051 50 400 кГц Энергонезависимый 16Кбит 900 нс ЭСППЗУ 2К х 8 I²C 5 мс
IDT7164L20Y Renesas Electronics America Inc IDT7164L20Y -
запросить цену
ECAD 5817 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Трубка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) IDT7164 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОЮ скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 7164L20Y EAR99 8542.32.0041 27 Неустойчивый 64Кбит 20 нс СРАМ 8К х 8 Параллельно 20нс
GD55T01GEB2RY GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD55T01GEB2RY 16,8378
запросить цену
ECAD 8172 0,00000000 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ГД55Т Поднос Активный -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ ВСПЫШКА-НОР (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В 24-ТФБГА (6х8) - 1970-GD55T01GEB2RY 4800 200 МГц Энергонезависимый 1Гбит ВСПЫШКА 128М х 8 SPI — ввод четырехвывода, DTR -
IS29GL512S-11DHB01 Infineon Technologies ИС29ГЛ512С-11ДХБ01 -
запросить цену
ECAD 4009 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-С Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА ИС29ГЛ512 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (9х9) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 512 Мбит 110 нс ВСПЫШКА 64М х 8 Параллельно 60нс
CAT25128VE-GD onsemi CAT25128VE-GD -
запросить цену
ECAD 7837 0,00000000 онсеми - Трубка Устаревший -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) КАТ25128 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК - 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 100 10 МГц Энергонезависимый 128Кбит ЭСППЗУ 16К х 8 СПИ 5 мс
S25FL064P0XMFI000S Infineon Technologies S25FL064P0XMFI000S -
запросить цену
ECAD 3483 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ-П Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) S25FL064 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 16-СОИК - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1 104 МГц Энергонезависимый 64 Мбит ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мкс, 3 мс
CY7C1426SV18-250BZC Infineon Technologies CY7C1426SV18-250BZC -
запросить цену
ECAD 9485 0,00000000 Инфинеон Технологии - Сумка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1426 SRAM — синхронный, QDR II 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) - не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается -CY7C1426SV18 3A991B2A 8542.32.0041 1 250 МГц Неустойчивый 36Мбит СРАМ 4М х 9 Параллельно -
W988D6FBGX7I Winbond Electronics W988D6FBGX7I -
запросить цену
ECAD 9241 0,00000000 Винбонд Электроникс - Поднос Последняя покупка -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 54-ТФБГА W988D6 SDRAM — мобильный LPSDR 1,7 В ~ 1,95 В 54-ВФБГА (8х9) - 3 (168 часов) REACH не касается 256-W988D6FBGX7I 1 133 МГц Неустойчивый 256Мбит 5,4 нс ДРАМ 16М х 16 LVCMOS 15нс
CY7C11701KV18-400BZXC Cypress Semiconductor Corp CY7C11701KV18-400BZXC 39.3300
запросить цену
ECAD 541 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C11701 SRAM — синхронный, DDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3A991B2A 8542.32.0041 8 400 МГц Неустойчивый 18 Мбит СРАМ 512К х 36 Параллельно - Не проверено
MT53E4DADT-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4DADT-DC ТР 22.5000
запросить цену
ECAD 4253 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный МТ53Е4 - Соответствует ROHS3 REACH не касается 557-MT53E4DADT-DCTR 2000 г.
SST25LF020A-33-4I-QAE Microchip Technology SST25LF020A-33-4I-QAE 1,0800
запросить цену
ECAD 5455 0,00000000 Микрочиповая технология ССТ25 Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка SST25LF020 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 8-ВСОН скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 98 33 МГц Энергонезависимый 2Мбит ВСПЫШКА 256К х 8 СПИ 20 мкс
AT25FF321A-UUN-T Adesto Technologies АТ25ФФ321А-УУН-Т 0,7595
запросить цену
ECAD 4853 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 12-XFBGA, WLCSP АТ25ФФ321 ВСПЫШКА – НО 1,65 В ~ 3,6 В 12-ВЛЦСП (2,39х1,77) - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается -1415-AT25FF321A-UUN-TTRINACTIVE EAR99 8542.32.0071 5000 104 МГц Энергонезависимый 32Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 22 мкс, 8 мс
SST26VF016B-80E/SN70SVAO Microchip Technology ССТ26ВФ016Б-80Э/СН70СВАО -
запросить цену
ECAD 1319 0,00000000 Микрочиповая технология Автомобильная промышленность, AEC-Q100, нержавеющая сталь SST26 SQI® Трубка Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) SST26VF016 ВСПЫШКА 2,3 В ~ 3,6 В 8-СОИК - 1 (без блокировки) REACH не касается 150-ССТ26ВФ016Б-80Э/СН70СВАО EAR99 8542.32.0071 100 80 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 1,5 мс
71V67603S166PFG8 Renesas Electronics America Inc 71В67603С166ПФГ8 33,4167
запросить цену
ECAD 8423 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 71В67603 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 166 МГц Неустойчивый 9Мбит 3,5 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
MT28EW128ABA1HJS-0SIT TR Micron Technology Inc. MT28EW128ABA1HJS-0SIT ТР 5,5648
запросить цену
ECAD 6756 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) MT28EW128 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 56-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1600 Энергонезависимый 128Мбит 95 нс ВСПЫШКА 16м х 8, 8м х 16 Параллельно 60нс
GD25Q40CEJGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25Q40CEJGR 0,7100
запросить цену
ECAD 7 0,00000000 GigaDevice Semiconductor (HK) Limited - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°С ~ 105°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-XFDFN Открытая площадка GD25Q40 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-УСОН (2х3) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 3000 80 МГц Энергонезависимый 4 Мбит ВСПЫШКА 512К х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 50 мкс, 2,4 мс
CY7C1355C-133AXIT Cypress Semiconductor Corp CY7C1355C-133AXIT 7.3000
запросить цену
ECAD 325 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация НоБЛ™ Масса Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1355 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Непригодный 3 (168 часов) Поставщик не определен 3A991B2A 8542.32.0041 750 133 МГц Неустойчивый 9Мбит 6,5 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе