Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page | Программируемый НИЦ |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS46TR81280CL-125JBLA2 | - | ![]() | 6776 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поднос | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | IS46TR81280 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-TWBGA (8х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS46TR81280CL-125JBLA2 | EAR99 | 8542.32.0032 | 136 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | 71Т75802С133ПФИ | - | ![]() | 3429 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 71Т75802 | SRAM - синхронный, SDR (ZBT) | 2375 В ~ 2625 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | S99FL132KBIS3 | - | ![]() | 7320 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 TR | - | ![]() | 4200 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | Поверхностный монтаж | 121-ВФБГА | 121-ВФБГА (8х7,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | |||||||||||||||
![]() | S29WS064RABBHI010 | - | ![]() | 2029 год | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | WS-R | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-ВФБГА | S29WS064 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 1,95 В | 84-ФБГА (11,6х8) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 200 | 108 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | 80 нс | ВСПЫШКА | 4М х 16 | Параллельно | 60нс | |||
![]() | А7910489-С | 268.7500 | ![]() | 1189 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А7910489-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| AS7C34098A-15ТИНТР | 4,5617 | ![]() | 1244 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C34098 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 4 Мбит | 15 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 15нс | |||||
![]() | ИС42С16100Х-7ТЛИ-ТР | 1,5600 | ![]() | 6 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 50-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС42С16100 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 50-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 1000 | 143 МГц | Неустойчивый | 16Мбит | 5,5 нс | ДРАМ | 1М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | MT53E2G64D8TN-046 ААТ:А ТР | 122,8500 | ![]() | 1909 год | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 105°C (TC) | Поверхностный монтаж | 556-ЛФБГА | SDRAM — мобильный LPDDR4X | 1,06 В ~ 1,17 В | 556-ЛФБГА (12,4х12,4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT:ATR | 2000 г. | 2133 ГГц | Неустойчивый | 128Гбит | 3,5 нс | ДРАМ | 2Г х 64 | Параллельно | 18нс | ||||||||
![]() | FEMC002GTTE7-T14-17 | 26.1400 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Флексксон Пте, ООО | Экстра III | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 153-ВФБГА | FEMC002 | ФЛЭШ-NAND (pSLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 153-ФБГА (11,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3052-FEMC002GTTE7-T14-17 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 200 МГц | Энергонезависимый | 16Гбит | ВСПЫШКА | 2G х 8 | eMMC | - | ||||
![]() | МЕМ-RSP720-CF512M-C | 85.0000 | ![]() | 19 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-MEM-RSP720-CF512M-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | КАТ28LV64H13I-15 | - | ![]() | 7034 | 0,00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | КАТ28LV64 | ЭСППЗУ | 3 В ~ 3,6 В | 28-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Энергонезависимый | 64Кбит | 150 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | Параллельно | 5 мс | ||||
![]() | MT28HL64GRBA6EBL-0GCT | - | ![]() | 8251 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | MT28HL64 | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 270 | ||||||||||||||||||
![]() | CY27H256-35ZC | 3.1300 | ![]() | 379 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-ТССОП (ширина 0,465 дюйма, 11,80 мм) | CY27H256 | СППЗУ - УФ | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЦОП I | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 256Кбит | 35 нс | СППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | - | ||||
![]() | MT62F4G32D8DV-023 WT ES:B | 90.4650 | ![]() | 6434 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Коробка | Активный | -25°С ~ 85°С | - | - | SDRAM — мобильный LPDDR5 | - | - | - | 557-MT62F4G32D8DV-023WTES:B | 1 | 4266 ГГц | Неустойчивый | 128Гбит | ДРАМ | 4G х 32 | Параллельно | - | |||||||||
| W25M02GWTCIG ТР | - | ![]() | 5751 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | W25M02 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 24-ТФБГА (8х6) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25M02GWTCIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 г. | 104 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | 8 нс | ВСПЫШКА | 256М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 700 мкс | |||
![]() | S99GL256S90DHI020 | - | ![]() | 7443 | 0,00000000 | Аналоговые устройства Inc. | - | Масса | Активный | - | 2156-С99ГЛ256С90ДХИ020 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | CY62128EV30LL-45ZXI | 2.7000 | ![]() | 2 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МоБЛ® | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | CY62128 | SRAM — асинхронный | 2,2 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП I | скачать | не соответствует RoHS | Непригодный | Поставщик не определен | 137 | Неустойчивый | 1Мбит | 45 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 45нс | Не проверено | |||||
![]() | AS4C1G8D4-75BCNTR | 8.7115 | ![]() | 5726 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 78-ФБГА (7,5х12) | скачать | 3 (168 часов) | 1450-AS4C1G8D4-75BCNTR | 2500 | 1333 ГГц | Неустойчивый | 8Гбит | 18 нс | ДРАМ | 1Г х 8 | ПОД | 15нс | |||||||
![]() | MT53B384M64D4EZ-062 WT:B | - | ![]() | 5330 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | МТ53Б384 | SDRAM — мобильный LPDDR4 | 1,1 В | - | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1120 | 1,6 ГГц | Неустойчивый | 24Гбит | ДРАМ | 384 м х 64 | - | - | |||||
![]() | BR24L08FVT-WE2 | 0,7100 | ![]() | 8842 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | BR24L08 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ТССОП-Б | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3000 | 400 кГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8 | I²C | 5 мс | ||||
![]() | S34ML02G200TFA003 | - | ![]() | 8855 | 0,00000000 | SkyHigh Память ограничена | - | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | S34ML02 | - | Соответствует RoHS | 3 (168 часов) | 2120-С34МЛ02Г200ТФА003 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1000 | Не проверено | ||||||||||||||||
![]() | ИС42ВМ32160Д-75БЛИ-ТР | - | ![]() | 3245 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 90-ТФБГА | ИС42ВМ32160 | SDRAM – мобильная версия | 1,7 В ~ 1,95 В | 90-ТФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0028 | 2500 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 6 нс | ДРАМ | 16М х 32 | Параллельно | - | |||
![]() | НМ24C02ULEM8X | 0,3400 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | НМ24C02 | ЭСППЗУ | 2,7 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 100 кГц | Энергонезависимый | 2Кбит | 3,5 мкс | ЭСППЗУ | 128 х 16 | I²C | 15 мс | |||
| CAT25C64S-TE13 | - | ![]() | 2144 | 0,00000000 | онсеми | * | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ25C64 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 6 В | 8-СОИК | - | не соответствует RoHS | Поставщик не определен | 2156-CAT25C64S-TE13-488 | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 5 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 100 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
![]() | S25FL128SAGMFV010 | - | ![]() | 2703 | 0,00000000 | Расширение | ФЛ-С | Масса | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | S25FL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||||||
| MT40A2G4SA-075 C:E | - | ![]() | 5780 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Трубка | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | МТ40А2Г4 | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 78-ФБГА (7,5х11) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 557-MT40A2G4SA-075C:E | УСТАРЕВШИЙ | 1260 | 1,33 ГГц | Неустойчивый | 8Гбит | 19 нс | ДРАМ | 2Г х 4 | Параллельно | 15нс | |||||
![]() | IDT71V67602S133BQI8 | - | ![]() | 3873 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | ИДТ71В67602 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-КАБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В67602С133БКИ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2000 г. | 133 МГц | Неустойчивый | 9 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | IS61WV51216EEBLL-10T2LI-TR | 6,9269 | ![]() | 7395 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | IS61WV51216 | SRAM — асинхронный | 2,4 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 8Мбит | 10 нс | СРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 10 нс | ||||
![]() | NDB56PFC-4DIT ТР | 2,4448 | ![]() | 5373 | 0,00000000 | Инсигнис Технолоджик Корпорейшн | НДБ5 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 84-ТФБГА | SDRAM-DDR2 | 1,7 В ~ 1,9 В | 84-ФБГА (8х12,5) | - | 1982-NDB56PFC-4DITTR | 2500 | 400 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 400 пс | ДРАМ | 32М х 16 | SSTL_18 | 15нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)