Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | МТ41К2Г4ТРФ-125:Э ТР | - | ![]() | 8379 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | МТ41К2Г4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (9,5х11,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 МГц | Неустойчивый | 8Гбит | 13,5 нс | ДРАМ | 2Г х 4 | Параллельно | - | ||
![]() | CY7C1643KV18-450BZC | - | ![]() | 8226 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1643 | SRAM — синхронный, QDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (15х17) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 450 МГц | Неустойчивый | 144 Мбит | СРАМ | 8М х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | AS7C3256A-10JCN | 2,7300 | ![]() | 1 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | AS7C3256 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 28-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 25 | Неустойчивый | 256Кбит | 10 нс | СРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 10 нс | |||
![]() | SM662GEA-БЕСС | - | ![]() | 2248 | 0,00000000 | Силиконовое Движение, Инк. | Ферри-eMMC® | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 100-ЛБГА | СМ662 | ФЛЕШ-NAND (SLC), ФЛЕШ-NAND (TLC) | - | 100-БГА (14х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 1984-SM662GEA-БЕСС | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 40Гбит | ВСПЫШКА | 5G х 8 | eMMC | - | |||
![]() | EDB1332BDBH-1DIT-FD | - | ![]() | 7953 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 134-ВФБГА | ЭДБ1332 | SDRAM — мобильный LPDDR2 | 1,14 В ~ 1,95 В | 134-ВФБГА (10х11,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0032 | 1680 г. | 533 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | ДРАМ | 32М х 32 | Параллельно | - | |||
![]() | АТ24С164-10СУ-1,8 | - | ![]() | 3849 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | AT24C164 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 кГц | Энергонезависимый | 16Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 2К х 8 | I²C | 10 мс | ||
![]() | ИС61НЛФ102418-6.5Б3 | - | ![]() | 2951 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | IS61NLF102418 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 165-ТФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 6,5 нс | СРАМ | 1М х 18 | Параллельно | - | ||
![]() | S29GL01GT12DHN023 | 16,8525 | ![]() | 8351 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-Т | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL01 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2200 | Энергонезависимый | 1Гбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 60нс | |||
![]() | CY7C1354S-166BGC | - | ![]() | 4882 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Сумка | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 119-БГА | CY7C1354 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 119-ПБГА (14х22) | - | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 166 МГц | Неустойчивый | 9Мбит | 3,5 нс | СРАМ | 256К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | SFEM004GB1EM1TO-I-LF-11P-SSP | - | ![]() | 5914 | 0,00000000 | Свиссбит | - | Поднос | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 1052-SFEM004GB1EM1TO-I-LF-11P-SSP | УСТАРЕВШИЙ | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
![]() | 71024S12YGI8 | - | ![]() | 3359 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | 71024С | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-СОЮ | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 12 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 12нс | |||
![]() | AT26DF081A-MU | - | ![]() | 4453 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | AT26DF081 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 70 МГц | Энергонезависимый | 8Мбит | ВСПЫШКА | 256 байт х 4096 страниц | СПИ | 7 мкс, 5 мс | |||
![]() | А8423729-С | 110.0000 | ![]() | 2443 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А8423729-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | S25FL132K0XMFI011 | - | ![]() | 5388 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ1-К | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | S25FL132 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 2832-S25FL132K0XMFI011 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | 108 МГц | Энергонезависимый | 32Мбит | ВСПЫШКА | 4М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 3 мс | ||
![]() | S34MS01G104BHI910 | - | ![]() | 4672 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МС-1 | Поднос | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 63-ВФБГА | С34МС01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 63-БГА (11х9) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Энергонезависимый | 1Гбит | 45 нс | ВСПЫШКА | 64М х 16 | Параллельно | 45нс | |||
![]() | CY7C1371KV33-100AXCT | 30,9750 | ![]() | 2906 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | НоБЛ™ | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | CY7C1371 | SRAM – синхронный, SDR | 3,135 В ~ 3,6 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | 100 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 8,5 нс | СРАМ | 512К х 36 | Параллельно | - | ||
![]() | MB85RS1MTPW-G-APEWE1 | 6.0900 | ![]() | 9 | 0,00000000 | Кага FEI America, Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-XFBGA, WLCSP | МБ85РС1 | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ЛП (2,28х3,09) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 40 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ФРАМ | 128 КБ х 8 | СПИ | - | |||
![]() | ИДТ71В416ВЛ15ПХ8 | - | ![]() | 8441 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИДТ71В416 | SRAM — асинхронный | 3 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В416ВЛ15ПХ8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1500 | Неустойчивый | 4 Мбит | 15 нс | СРАМ | 256К х 16 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | 7164Л20ТП | - | ![]() | 3960 | 0,00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc. | - | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | 28-ДИП (0,300 дюйма, 7,62 мм) | 7164Л | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ПДИП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Затронуто REACH | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Неустойчивый | 64Кбит | 20 нс | СРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 20нс | |||
| W29N04KZSIBG ТР | 6,7961 | ![]() | 9791 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 1,7 В ~ 1,95 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 256-W29N04KZSIBGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1500 | Энергонезависимый | 4Гбит | 25 нс | ВСПЫШКА | 512М х 8 | ОНФИ | 35 нс, 700 мкс | |||||
![]() | CY7C1563XV18-600BZXC | - | ![]() | 5607 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ЛБГА | CY7C1563 | SRAM — синхронный, QDR II+ | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 600 МГц | Неустойчивый | 72 Мбит | СРАМ | 4М х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | BR25L020F-WE2 | 0,5732 | ![]() | 1429 | 0,00000000 | Ром Полупроводник | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | БР25Л020 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 5 МГц | Энергонезависимый | 2Кбит | ЭСППЗУ | 256 х 8 | СПИ | 5 мс | |||
| AS7C1026B-15TCNTR | 2,8125 | ![]() | 8166 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | AS7C1026 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 44-ЦОП2 | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 1 Мбит | 15 нс | СРАМ | 64К х 16 | Параллельно | 15нс | ||||
![]() | MT41K1G4RH-125:E | - | ![]() | 3649 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | МТ41К1Г4 | SDRAM-DDR3 | 1,283 В ~ 1,45 В | 78-ФБГА (9х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 1000 | 800 МГц | Неустойчивый | 4Гбит | 13,75 нс | ДРАМ | 1Г х 4 | Параллельно | - | ||
![]() | 7025С55ФБ | - | ![]() | 9336 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -55°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 84-ФлэтПак | 7025S55 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 84-ФПАК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 3A001A2C | 8542.32.0041 | 6 | Неустойчивый | 128Кбит | 55 нс | СРАМ | 8К х 16 | Параллельно | 55нс | |||
| ИС61ЛВ2568Л-10ТЛ-ТР | - | ![]() | 1910 год | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | ИС61ЛВ2568 | SRAM — асинхронный | 3,135 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 2Мбит | 10 нс | СРАМ | 256К х 8 | Параллельно | 10 нс | ||||
![]() | MT40A512M8RH-075E МТА:Б ТР | - | ![]() | 2289 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 78-ТФБГА | МТ40А512М8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 В ~ 1,26 В | 78-ФБГА (9х10,5) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 2000 г. | 1,33 ГГц | Неустойчивый | 4Гбит | ДРАМ | 512М х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | 709349L7PF | - | ![]() | 5080 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | 709349Л | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Неустойчивый | 72Кбит | 7,5 нс | СРАМ | 4К х 18 | Параллельно | - | |||
![]() | SST49LF016C-33-4C-WHE-T | - | ![]() | 4736 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | SST49 | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) | SST49LF016 | ВСПЫШКА | 3 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 1500 | 33 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | Параллельно | 10 мкс | |||
![]() | АТ25СФ161-УУД-Т | - | ![]() | 7997 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-УФБГА, ВЛЦП | АТ25SF161 | ВСПЫШКА – НО | 2,5 В ~ 3,6 В | 8-ВЛЦСП (2,55х1,45) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0071 | 5000 | 104 МГц | Энергонезависимый | 16Мбит | ВСПЫШКА | 2М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 5 мкс, 5 мс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)