SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
MT41K2G4TRF-125:E TR Micron Technology Inc. МТ41К2Г4ТРФ-125:Э ТР -
запросить цену
ECAD 8379 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА МТ41К2Г4 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 78-ФБГА (9,5х11,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 800 МГц Неустойчивый 8Гбит 13,5 нс ДРАМ 2Г х 4 Параллельно -
CY7C1643KV18-450BZC Infineon Technologies CY7C1643KV18-450BZC -
запросить цену
ECAD 8226 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1643 SRAM — синхронный, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (15х17) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 105 450 МГц Неустойчивый 144 Мбит СРАМ 8М х 18 Параллельно -
AS7C3256A-10JCN Alliance Memory, Inc. AS7C3256A-10JCN 2,7300
запросить цену
ECAD 1 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Трубка Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 28-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) AS7C3256 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 28-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 25 Неустойчивый 256Кбит 10 нс СРАМ 32К х 8 Параллельно 10 нс
SM662GEA-BESS Silicon Motion, Inc. SM662GEA-БЕСС -
запросить цену
ECAD 2248 0,00000000 Силиконовое Движение, Инк. Ферри-eMMC® Поднос Активный -40°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 100-ЛБГА СМ662 ФЛЕШ-NAND (SLC), ФЛЕШ-NAND (TLC) - 100-БГА (14х18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 1984-SM662GEA-БЕСС 3A991B1A 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 40Гбит ВСПЫШКА 5G х 8 eMMC -
EDB1332BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc. EDB1332BDBH-1DIT-FD -
запросить цену
ECAD 7953 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Масса Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 134-ВФБГА ЭДБ1332 SDRAM — мобильный LPDDR2 1,14 В ~ 1,95 В 134-ВФБГА (10х11,5) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0032 1680 г. 533 МГц Неустойчивый 1Гбит ДРАМ 32М х 32 Параллельно -
AT24C164-10SU-1.8 Microchip Technology АТ24С164-10СУ-1,8 -
запросить цену
ECAD 3849 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) AT24C164 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 16Кбит 900 нс ЭСППЗУ 2К х 8 I²C 10 мс
IS61NLF102418-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61НЛФ102418-6.5Б3 -
запросить цену
ECAD 2951 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ТБГА IS61NLF102418 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 165-ТФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 МГц Неустойчивый 18 Мбит 6,5 нс СРАМ 1М х 18 Параллельно -
S29GL01GT12DHN023 Infineon Technologies S29GL01GT12DHN023 16,8525
запросить цену
ECAD 8351 0,00000000 Инфинеон Технологии ГЛ-Т Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ЛБГА S29GL01 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 64-ФБГА (9х9) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 2200 Энергонезависимый 1Гбит 120 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно 60нс
CY7C1354S-166BGC Infineon Technologies CY7C1354S-166BGC -
запросить цену
ECAD 4882 0,00000000 Инфинеон Технологии - Сумка Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 119-БГА CY7C1354 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 119-ПБГА (14х22) - не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1 166 МГц Неустойчивый 9Мбит 3,5 нс СРАМ 256К х 36 Параллельно -
SFEM004GB1EM1TO-I-LF-11P-SSP Swissbit SFEM004GB1EM1TO-I-LF-11P-SSP -
запросить цену
ECAD 5914 0,00000000 Свиссбит - Поднос Устаревший - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 1052-SFEM004GB1EM1TO-I-LF-11P-SSP УСТАРЕВШИЙ 8542.32.0071 1
71024S12YGI8 Renesas Electronics America Inc 71024S12YGI8 -
запросить цену
ECAD 3359 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) 71024С SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 32-СОЮ скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 1 Мбит 12 нс СРАМ 128 КБ х 8 Параллельно 12нс
AT26DF081A-MU Microchip Technology AT26DF081A-MU -
запросить цену
ECAD 4453 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) AT26DF081 ВСПЫШКА 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 490 70 МГц Энергонезависимый 8Мбит ВСПЫШКА 256 байт х 4096 страниц СПИ 7 мкс, 5 мс
A8423729-C ProLabs А8423729-С 110.0000
запросить цену
ECAD 2443 0,00000000 ПроЛабс * Розничная упаковка Активный - Соответствует RoHS 4932-А8423729-С EAR99 8473.30.5100 1
S25FL132K0XMFI011 Infineon Technologies S25FL132K0XMFI011 -
запросить цену
ECAD 5388 0,00000000 Инфинеон Технологии ФЛ1-К Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) S25FL132 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 2832-S25FL132K0XMFI011 3A991B1A 8542.32.0071 91 108 МГц Энергонезависимый 32Мбит ВСПЫШКА 4М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 3 мс
S34MS01G104BHI910 Cypress Semiconductor Corp S34MS01G104BHI910 -
запросить цену
ECAD 4672 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация МС-1 Поднос Снято с производства в НИЦ -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 63-ВФБГА С34МС01 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 1,7 В ~ 1,95 В 63-БГА (11х9) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 210 Энергонезависимый 1Гбит 45 нс ВСПЫШКА 64М х 16 Параллельно 45нс
CY7C1371KV33-100AXCT Infineon Technologies CY7C1371KV33-100AXCT 30,9750
запросить цену
ECAD 2906 0,00000000 Инфинеон Технологии НоБЛ™ Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP CY7C1371 SRAM – синхронный, SDR 3,135 В ~ 3,6 В 100-ТКФП (14х20) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 750 100 МГц Неустойчивый 18 Мбит 8,5 нс СРАМ 512К х 36 Параллельно -
MB85RS1MTPW-G-APEWE1 Kaga FEI America, Inc. MB85RS1MTPW-G-APEWE1 6.0900
запросить цену
ECAD 9 0,00000000 Кага FEI America, Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-XFBGA, WLCSP МБ85РС1 ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) 1,8 В ~ 3,6 В 8-ЛП (2,28х3,09) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 40 МГц Энергонезависимый 1 Мбит ФРАМ 128 КБ х 8 СПИ -
IDT71V416VL15PH8 Renesas Electronics America Inc ИДТ71В416ВЛ15ПХ8 -
запросить цену
ECAD 8441 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИДТ71В416 SRAM — асинхронный 3 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В416ВЛ15ПХ8 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Неустойчивый 4 Мбит 15 нс СРАМ 256К х 16 Параллельно 15нс
7164L20TP IDT, Integrated Device Technology Inc 7164Л20ТП -
запросить цену
ECAD 3960 0,00000000 IDT, Integrated Device Technology Inc. - Масса Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие 28-ДИП (0,300 дюйма, 7,62 мм) 7164Л SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 28-ПДИП скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) Затронуто REACH EAR99 8542.32.0041 1 Неустойчивый 64Кбит 20 нс СРАМ 8К х 8 Параллельно 20нс
W29N04KZSIBG TR Winbond Electronics W29N04KZSIBG ТР 6,7961
запросить цену
ECAD 9791 0,00000000 Винбонд Электроникс - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) ФЛЕШ-NAND (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В 48-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 256-W29N04KZSIBGTR 3A991B1A 8542.32.0071 1500 Энергонезависимый 4Гбит 25 нс ВСПЫШКА 512М х 8 ОНФИ 35 нс, 700 мкс
CY7C1563XV18-600BZXC Infineon Technologies CY7C1563XV18-600BZXC -
запросить цену
ECAD 5607 0,00000000 Инфинеон Технологии - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 165-ЛБГА CY7C1563 SRAM — синхронный, QDR II+ 1,7 В ~ 1,9 В 165-ФБГА (13х15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 136 600 МГц Неустойчивый 72 Мбит СРАМ 4М х 18 Параллельно -
BR25L020F-WE2 Rohm Semiconductor BR25L020F-WE2 0,5732
запросить цену
ECAD 1429 0,00000000 Ром Полупроводник - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) БР25Л020 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-СОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 5 МГц Энергонезависимый 2Кбит ЭСППЗУ 256 х 8 СПИ 5 мс
AS7C1026B-15TCNTR Alliance Memory, Inc. AS7C1026B-15TCNTR 2,8125
запросить цену
ECAD 8166 0,00000000 Альянс Память, Инк. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) AS7C1026 SRAM — асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 44-ЦОП2 скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 1 Мбит 15 нс СРАМ 64К х 16 Параллельно 15нс
MT41K1G4RH-125:E Micron Technology Inc. MT41K1G4RH-125:E -
запросить цену
ECAD 3649 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА МТ41К1Г4 SDRAM-DDR3 1,283 В ~ 1,45 В 78-ФБГА (9х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 1000 800 МГц Неустойчивый 4Гбит 13,75 нс ДРАМ 1Г х 4 Параллельно -
7025S55FB Renesas Electronics America Inc 7025С55ФБ -
запросить цену
ECAD 9336 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -55°С ~ 125°С (ТА) Поверхностный монтаж 84-ФлэтПак 7025S55 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 84-ФПАК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается 3A001A2C 8542.32.0041 6 Неустойчивый 128Кбит 55 нс СРАМ 8К х 16 Параллельно 55нс
IS61LV2568L-10TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС61ЛВ2568Л-10ТЛ-ТР -
запросить цену
ECAD 1910 год 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) ИС61ЛВ2568 SRAM — асинхронный 3,135 В ~ 3,6 В 44-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Неустойчивый 2Мбит 10 нс СРАМ 256К х 8 Параллельно 10 нс
MT40A512M8RH-075E AIT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E МТА:Б ТР -
запросить цену
ECAD 2289 0,00000000 Микрон Технология Инк. Автомобильная промышленность, AEC-Q100 Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 78-ТФБГА МТ40А512М8 SDRAM-DDR4 1,14 В ~ 1,26 В 78-ФБГА (9х10,5) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0036 2000 г. 1,33 ГГц Неустойчивый 4Гбит ДРАМ 512М х 8 Параллельно -
709349L7PF Renesas Electronics America Inc 709349L7PF -
запросить цену
ECAD 5080 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP 709349Л SRAM — двухпортовый, синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 45 Неустойчивый 72Кбит 7,5 нс СРАМ 4К х 18 Параллельно -
SST49LF016C-33-4C-WHE-T Microchip Technology SST49LF016C-33-4C-WHE-T -
запросить цену
ECAD 4736 0,00000000 Микрочиповая технология SST49 Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,488 дюйма, 12,40 мм) SST49LF016 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 32-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 1500 33 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 Параллельно 10 мкс
AT25SF161-UUD-T Adesto Technologies АТ25СФ161-УУД-Т -
запросить цену
ECAD 7997 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-УФБГА, ВЛЦП АТ25SF161 ВСПЫШКА – НО 2,5 В ~ 3,6 В 8-ВЛЦСП (2,55х1,45) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) EAR99 8542.32.0071 5000 104 МГц Энергонезависимый 16Мбит ВСПЫШКА 2М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 5 мкс, 5 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе