Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | EDFA332A3PB-JD-FD | - | ![]() | 9957 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | ЭДФА232 | SDRAM — мобильный LPDDR3 | 1,14 В ~ 1,95 В | - | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1260 | 933 МГц | Неустойчивый | 16Гбит | ДРАМ | 512М х 32 | Параллельно | - | ||||
![]() | MT25QL02GCBB8E12-0SIT | 34.7400 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-ГАТБ | MT25QL02 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 24-Т-ПБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1122 | 133 МГц | Энергонезависимый | 2Гбит | ВСПЫШКА | 256М х 8 | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | |||
![]() | DS1609S-50 | - | ![]() | 9447 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 24-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | ДС1609 | SRAM — двухпортовый, асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 24-СОИК | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | DS1609S50 | EAR99 | 8542.32.0041 | 31 | Неустойчивый | 2Кбит | 50 нс | СРАМ | 256 х 8 | Параллельно | 50 нс | ||
![]() | DS1225AD-150+ | 22.2200 | ![]() | 153 | 0,00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Трубка | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Сквозное отверстие | Модуль 28-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) | DS1225A | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-ЭДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | -4941-DS1225AD-150+ | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | Энергонезависимый | 64Кбит | 150 нс | НВСРАМ | 8К х 8 | Параллельно | 150 нс | ||
![]() | S-93L76AD0I-J8T1U | 0,3168 | ![]() | 7038 | 0,00000000 | АБЛИК Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | С-93Л76 | ЭСППЗУ | 1,6 В ~ 5,5 В | 8-СОП | скачать | 1 (без блокировки) | EAR99 | 8542.32.0051 | 4000 | 2 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 16 | СПИ | 10 мс | |||||
| АТ24С256-10ТУ-1,8 | - | ![]() | 2818 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | AT24C256 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 3,6 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 кГц | Энергонезависимый | 256Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | I²C | 10 мс | |||
![]() | IDT71V3578YS133PFI | - | ![]() | 5337 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | ИДТ71В3578 | SRAM – синхронный, SDR | 3135 В ~ 3465 В | 100-ТКФП (14х20) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71В3578ИС133ПФИ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 МГц | Неустойчивый | 4,5 Мбит | 4,2 нс | СРАМ | 256К х 18 | Параллельно | - | |
![]() | M95512-WMN6TP | 0,8900 | ![]() | 8772 | 0,00000000 | СТМикроэлектроника | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | M95512 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 16 МГц | Энергонезависимый | 512Кбит | ЭСППЗУ | 64К х 8 | СПИ | 5 мс | |||
![]() | S29PL032J70BFA070 | 4,5862 | ![]() | 2514 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | PL-J | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ВФБГА | S29PL032 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ВФБГА (8,15х6,15) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1690 г. | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 2М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
![]() | IDT709199L7PF8 | - | ![]() | 6509 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 100-LQFP | IDT709199 | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 100-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 709199L7PF8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | Неустойчивый | 1,125 Мбит | 7,5 нс | СРАМ | 128 КБ х 9 | Параллельно | - | ||
![]() | РМ3314-СНИ-Т | - | ![]() | 9520 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 3314 ринггитов | ЭСППЗУ | 1,17 В ~ 1,23 В, 1,14 В ~ 1,26 В | 8-СОИК | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 1265-RM3314-СНИ-ТТР | УСТАРЕВШИЙ | 2500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ЭСППЗУ | 8К х 8 | СПИ | 2,2 мс, 36 мс | ||||
![]() | CY14MB064Q2A-SXI | - | ![]() | 3741 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | CY14MB064 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 97 | 40 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | НВСРАМ | 8К х 8 | СПИ | - | |||
![]() | PC28F640P30T85B ТР | - | ![]() | 9432 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | СтратаФлэш™ | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ГАТБ | ПК28Ф640 | ВСПЫШКА – НО | 1,7 В ~ 2 В | 64-EasyBGA (10x13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2000 г. | 52 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | 85 нс | ВСПЫШКА | 4М х 16 | Параллельно | 85нс | ||
![]() | MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D | - | ![]() | 5849 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | - | MT29F128G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 2,7 В ~ 3,6 В | 132-ТБГА (12х18) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1120 | 167 МГц | Энергонезависимый | 128Гбит | ВСПЫШКА | 16Г х 8 | Параллельно | - | |||
![]() | AT45DB081E-UUN-T | 2.1300 | ![]() | 13 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 8-УФБГА, ВЛЦП | AT45DB081 | ВСПЫШКА | 1,7 В ~ 3,6 В | 8-ВЛЦСП (2,32x1,61) | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 5000 | 85 МГц | Энергонезависимый | 8 Мбит | ВСПЫШКА | 264 байт х 4096 страниц | СПИ | 8 мкс, 4 мс | |||
![]() | S29GL01GP12TFI010 | 19.3400 | ![]() | 25 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | ГЛ-П | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL01 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 2832-С29ГЛ01ГП12ТФИ010 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 26 | Энергонезависимый | 1Гбит | 120 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 120 нс | ||||
| MX29LV040CT2I-70G | - | ![]() | 9623 | 0,00000000 | Макроникс | MX29LV | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | MX29LV040 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | Энергонезависимый | 4 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 512К х 8 | Параллельно | 70нс | ||||
| AT24C01B-TH-B | - | ![]() | 5746 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | АТ24С01 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | 550 нс | ЭСППЗУ | 128 х 8 | I²C | 5 мс | |||
![]() | 70914S25PFI | - | ![]() | 1560 г. | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 80-LQFP | 70914С | SRAM — двухпортовый, синхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 80-ТКФП (14х14) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Неустойчивый | 36Кбит | 25 нс | СРАМ | 4К х 9 | Параллельно | - | ||||
![]() | FEMC032GCG-T340 | 108.2500 | ![]() | 6 | 0,00000000 | Флексксон Пте, ООО | - | Поднос | Активный | -25°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 153-ВФБГА | FEMC032 | ФЛЭШ-NAND (pSLC) | - | 153-ФБГА (11,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3052-FEMC032GCG-T340 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | eMMC | - | ||||
![]() | ИС43ТР16640ЭД-15ХБЛИ | 5.8300 | ![]() | 6587 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Масса | Активный | -40°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | SDRAM-DDR3 | 1425 В ~ 1575 В | 96-TWBGA (9x13) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 706-ИС43ТР16640ЭД-15ХБЛИ | 190 | 667 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 20 нс | ДРАМ | 64М х 16 | SSTL_15 | 15нс | |||||
![]() | МТ46В64М8П-5Б:Ф | - | ![]() | 6242 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ46В64М8 | SDRAM-DDR | 2,5 В ~ 2,7 В | 66-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 5 (48 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 200 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | 93АА76А-И/МС | - | ![]() | 4555 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) | 93АА76 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-МСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 МГц | Энергонезависимый | 8Кбит | ЭСППЗУ | 1К х 8 | Микропровод | 5 мс | |||
![]() | ИС66ВВЭ4М16ЕБЛЛ-70БЛИ-ТР | 3,6010 | ![]() | 7353 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | ИС66ВВЭ4М16 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ТФБГА (6х8) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2500 | Неустойчивый | 64 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 4М х 16 | Параллельно | 70нс | |||
| MT41K64M16TW-125:J | - | ![]() | 1548 г. | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ТФБГА | МТ41К64М16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х14) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | 800 МГц | Неустойчивый | 1Гбит | 13,75 нс | ДРАМ | 64М х 16 | Параллельно | - | |||
![]() | АТ28HC256E-90SU | 13.3000 | ![]() | 1225 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | AT28HC256 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 28-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 2 (1 год) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 27 | Энергонезависимый | 256Кбит | 90 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | 10 мс | |||
![]() | MT48LC128M4A2P-75:C ТР | - | ![]() | 5026 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | МТ48LC128M4A2 | SDRAM | 3 В ~ 3,6 В | 54-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 5,4 нс | ДРАМ | 128М х 4 | Параллельно | 15нс | ||
| W25Q64CVZPBG | - | ![]() | 5909 | 0,00000000 | Винбонд Электроникс | СпиФлэш® | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-WDFN Открытая площадка | W25Q64 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 8-ВСОН (6х5) | скачать | 3 (168 часов) | REACH не касается | 256-W25Q64CVZPBG | УСТАРЕВШИЙ | 1 | 80 МГц | Энергонезависимый | 64 Мбит | 6 нс | ВСПЫШКА | 8М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 50 мкс, 3 мс | ||||
![]() | АТ29ЛВ512-20ТИ | - | ![]() | 9168 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Поднос | Устаревший | -40°C ~ 85°C (TC) | Поверхностный монтаж | 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | АТ29LV512 | ВСПЫШКА | 3 В ~ 3,6 В | 32-ЦОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | AT29LV51220TI | EAR99 | 8542.32.0071 | 156 | Энергонезависимый | 512Кбит | 200 нс | ВСПЫШКА | 64К х 8 | Параллельно | 20 мс | ||
| X28HC256JI-90T1R5699 | - | ![]() | 2328 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-LCC (J-вывод) | X28HC256 | ЭСППЗУ | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-ПЛСС (11,43х13,97) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | EAR99 | 8542.32.0051 | 750 | Энергонезависимый | 256Кбит | 90 нс | ЭСППЗУ | 32К х 8 | Параллельно | 5 мс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)