SIC
close
Изображение Номер продукта Цена (долл. США) Количество ЭКАД Доступное количество Вес (кг) Производитель Ряд Упаковка Статус продукта Рабочая температура Тип монтажа Пакет/ключи Базовый номер продукта Технология Напряжение питания Поставщик пакета оборудования Техническая спецификация Статус RoHS Уровень чувствительности к влаге (MSL) Статус REACH Другие имена ECCN ХТСУС Стандартный пакет Тактовая частота Тип Размер Время доступа Формат памяти Организация Интерфейс памяти Время цикла записи — Word, Page
EDFA332A3PB-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA332A3PB-JD-FD -
запросить цену
ECAD 9957 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -30°C ~ 85°C (TC) - - ЭДФА232 SDRAM — мобильный LPDDR3 1,14 В ~ 1,95 В - - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1260 933 МГц Неустойчивый 16Гбит ДРАМ 512М х 32 Параллельно -
MT25QL02GCBB8E12-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL02GCBB8E12-0SIT 34.7400
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-ГАТБ MT25QL02 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 24-Т-ПБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1122 133 МГц Энергонезависимый 2Гбит ВСПЫШКА 256М х 8 СПИ 8 мс, 2,8 мс
DS1609S-50 Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1609S-50 -
запросить цену
ECAD 9447 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 24-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) ДС1609 SRAM — двухпортовый, асинхронный 4,5 В ~ 5,5 В 24-СОИК скачать не соответствует RoHS 1 (без блокировки) REACH не касается DS1609S50 EAR99 8542.32.0041 31 Неустойчивый 2Кбит 50 нс СРАМ 256 х 8 Параллельно 50 нс
DS1225AD-150+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1225AD-150+ 22.2200
запросить цену
ECAD 153 0,00000000 Analog Devices Inc./Maxim Integrated - Трубка Активный 0°С ~ 70°С (ТА) Сквозное отверстие Модуль 28-ДИП (0,600 дюймов, 15,24 мм) DS1225A NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 4,5 В ~ 5,5 В 28-ЭДИП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается -4941-DS1225AD-150+ EAR99 8542.32.0041 12 Энергонезависимый 64Кбит 150 нс НВСРАМ 8К х 8 Параллельно 150 нс
S-93L76AD0I-J8T1U ABLIC Inc. S-93L76AD0I-J8T1U 0,3168
запросить цену
ECAD 7038 0,00000000 АБЛИК Инк. - Лента и катушка (TR) Не для новых дизайнов -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) С-93Л76 ЭСППЗУ 1,6 В ~ 5,5 В 8-СОП скачать 1 (без блокировки) EAR99 8542.32.0051 4000 2 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 512 х 16 СПИ 10 мс
AT24C256-10TU-1.8 Microchip Technology АТ24С256-10ТУ-1,8 -
запросить цену
ECAD 2818 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) AT24C256 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 3,6 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 400 кГц Энергонезависимый 256Кбит 900 нс ЭСППЗУ 32К х 8 I²C 10 мс
IDT71V3578YS133PFI Renesas Electronics America Inc IDT71V3578YS133PFI -
запросить цену
ECAD 5337 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP ИДТ71В3578 SRAM – синхронный, SDR 3135 В ~ 3465 В 100-ТКФП (14х20) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 71В3578ИС133ПФИ 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 МГц Неустойчивый 4,5 Мбит 4,2 нс СРАМ 256К х 18 Параллельно -
M95512-WMN6TP STMicroelectronics M95512-WMN6TP 0,8900
запросить цену
ECAD 8772 0,00000000 СТМикроэлектроника - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) M95512 ЭСППЗУ 2,5 В ~ 5,5 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 2500 16 МГц Энергонезависимый 512Кбит ЭСППЗУ 64К х 8 СПИ 5 мс
S29PL032J70BFA070 Infineon Technologies S29PL032J70BFA070 4,5862
запросить цену
ECAD 2514 0,00000000 Инфинеон Технологии PL-J Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ВФБГА S29PL032 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 48-ВФБГА (8,15х6,15) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1690 г. Энергонезависимый 32 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 2М х 16 Параллельно 70нс
IDT709199L7PF8 Renesas Electronics America Inc IDT709199L7PF8 -
запросить цену
ECAD 6509 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 100-LQFP IDT709199 SRAM — двухпортовый, синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 100-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается 709199L7PF8 3A991B2A 8542.32.0041 750 Неустойчивый 1,125 Мбит 7,5 нс СРАМ 128 КБ х 9 Параллельно -
RM3314-SNI-T Adesto Technologies РМ3314-СНИ-Т -
запросить цену
ECAD 9520 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) 3314 ринггитов ЭСППЗУ 1,17 В ~ 1,23 В, 1,14 В ~ 1,26 В 8-СОИК - Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) 1265-RM3314-СНИ-ТТР УСТАРЕВШИЙ 2500 1 МГц Энергонезависимый 64Кбит ЭСППЗУ 8К х 8 СПИ 2,2 мс, 36 мс
CY14MB064Q2A-SXI Infineon Technologies CY14MB064Q2A-SXI -
запросить цену
ECAD 3741 0,00000000 Инфинеон Технологии - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) CY14MB064 NVSRAM (энергонезависимая SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 8-СОИК скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0041 97 40 МГц Энергонезависимый 64Кбит НВСРАМ 8К х 8 СПИ -
PC28F640P30T85B TR Micron Technology Inc. PC28F640P30T85B ТР -
запросить цену
ECAD 9432 0,00000000 Микрон Технология Инк. СтратаФлэш™ Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 64-ГАТБ ПК28Ф640 ВСПЫШКА – НО 1,7 В ~ 2 В 64-EasyBGA (10x13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 2000 г. 52 МГц Энергонезависимый 64 Мбит 85 нс ВСПЫШКА 4М х 16 Параллельно 85нс
MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCDBJ5-6ITR:D -
запросить цену
ECAD 5849 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж - MT29F128G08 ФЛЕШ-НЕ-НЕ 2,7 В ~ 3,6 В 132-ТБГА (12х18) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B1A 8542.32.0071 1120 167 МГц Энергонезависимый 128Гбит ВСПЫШКА 16Г х 8 Параллельно -
AT45DB081E-UUN-T Adesto Technologies AT45DB081E-UUN-T 2.1300
запросить цену
ECAD 13 0,00000000 Адесто Технологии - Лента и катушка (TR) Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 8-УФБГА, ВЛЦП AT45DB081 ВСПЫШКА 1,7 В ~ 3,6 В 8-ВЛЦСП (2,32x1,61) скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 5000 85 МГц Энергонезависимый 8 Мбит ВСПЫШКА 264 байт х 4096 страниц СПИ 8 мкс, 4 мс
S29GL01GP12TFI010 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GP12TFI010 19.3400
запросить цену
ECAD 25 0,00000000 Сайпресс Полупроводниковая Корпорация ГЛ-П Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) S29GL01 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 56-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 2832-С29ГЛ01ГП12ТФИ010 3A991B1A 8542.32.0071 26 Энергонезависимый 1Гбит 120 нс ВСПЫШКА 128М х 8 Параллельно 120 нс
MX29LV040CT2I-70G Macronix MX29LV040CT2I-70G -
запросить цену
ECAD 9623 0,00000000 Макроникс MX29LV Поднос Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) MX29LV040 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 32-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0071 208 Энергонезависимый 4 Мбит 70 нс ВСПЫШКА 512К х 8 Параллельно 70нс
AT24C01B-TH-B Microchip Technology AT24C01B-TH-B -
запросить цену
ECAD 5746 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) АТ24С01 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-ЦСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 1 МГц Энергонезависимый 1Кбит 550 нс ЭСППЗУ 128 х 8 I²C 5 мс
70914S25PFI Renesas Electronics America Inc 70914S25PFI -
запросить цену
ECAD 1560 г. 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Поднос Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 80-LQFP 70914С SRAM — двухпортовый, синхронный 4,5 В ~ 5,5 В 80-ТКФП (14х14) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0041 90 Неустойчивый 36Кбит 25 нс СРАМ 4К х 9 Параллельно -
FEMC032GCG-T340 Flexxon Pte Ltd FEMC032GCG-T340 108.2500
запросить цену
ECAD 6 0,00000000 Флексксон Пте, ООО - Поднос Активный -25°С ~ 85°С Поверхностный монтаж 153-ВФБГА FEMC032 ФЛЭШ-NAND (pSLC) - 153-ФБГА (11,5х13) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 3052-FEMC032GCG-T340 3A991B1A 8542.32.0071 1 Энергонезависимый 256Гбит ВСПЫШКА 32Г х 8 eMMC -
IS43TR16640ED-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС43ТР16640ЭД-15ХБЛИ 5.8300
запросить цену
ECAD 6587 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Масса Активный -40°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА SDRAM-DDR3 1425 В ~ 1575 В 96-TWBGA (9x13) - Соответствует ROHS3 3 (168 часов) 706-ИС43ТР16640ЭД-15ХБЛИ 190 667 МГц Неустойчивый 1Гбит 20 нс ДРАМ 64М х 16 SSTL_15 15нс
MT46V64M8P-5B:F Micron Technology Inc. МТ46В64М8П-5Б:Ф -
запросить цену
ECAD 6242 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Поднос Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 66-ТССОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МТ46В64М8 SDRAM-DDR 2,5 В ~ 2,7 В 66-ЦОП скачать Соответствует ROHS3 5 (48 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 1000 200 МГц Неустойчивый 512 Мбит 700 пс ДРАМ 64М х 8 Параллельно 15нс
93AA76A-I/MS Microchip Technology 93АА76А-И/МС -
запросить цену
ECAD 4555 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118 дюймов, 3,00 мм) 93АА76 ЭСППЗУ 1,8 В ~ 5,5 В 8-МСОП скачать Соответствует ROHS3 1 (без блокировки) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 100 3 МГц Энергонезависимый 8Кбит ЭСППЗУ 1К х 8 Микропровод 5 мс
IS66WVE4M16EBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc ИС66ВВЭ4М16ЕБЛЛ-70БЛИ-ТР 3,6010
запросить цену
ECAD 7353 0,00000000 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. - Лента и катушка (TR) Активный -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 48-ТФБГА ИС66ВВЭ4М16 PSRAM (псевдо SRAM) 2,7 В ~ 3,6 В 48-ТФБГА (6х8) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Неустойчивый 64 Мбит 70 нс ПСРАМ 4М х 16 Параллельно 70нс
MT41K64M16TW-125:J Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-125:J -
запросить цену
ECAD 1548 г. 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Масса Устаревший 0°C ~ 95°C (TC) Поверхностный монтаж 96-ТФБГА МТ41К64М16 SDRAM-DDR3L 1,283 В ~ 1,45 В 96-ФБГА (8х14) скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается УСТАРЕВШИЙ 0000.00.0000 1 800 МГц Неустойчивый 1Гбит 13,75 нс ДРАМ 64М х 16 Параллельно -
AT28HC256E-90SU Microchip Technology АТ28HC256E-90SU 13.3000
запросить цену
ECAD 1225 0,00000000 Микрочиповая технология - Трубка Активный -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 28-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) AT28HC256 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 28-СОИК скачать Соответствует ROHS3 2 (1 год) REACH не касается EAR99 8542.32.0051 27 Энергонезависимый 256Кбит 90 нс ЭСППЗУ 32К х 8 Параллельно 10 мс
MT48LC128M4A2P-75:C TR Micron Technology Inc. MT48LC128M4A2P-75:C ТР -
запросить цену
ECAD 5026 0,00000000 Микрон Технология Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший 0°С ~ 70°С (ТА) Поверхностный монтаж 54-ЦОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) МТ48LC128M4A2 SDRAM 3 В ~ 3,6 В 54-ЦОП II скачать Соответствует ROHS3 3 (168 часов) REACH не касается EAR99 8542.32.0024 1000 133 МГц Неустойчивый 512 Мбит 5,4 нс ДРАМ 128М х 4 Параллельно 15нс
W25Q64CVZPBG Winbond Electronics W25Q64CVZPBG -
запросить цену
ECAD 5909 0,00000000 Винбонд Электроникс СпиФлэш® Трубка Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 8-WDFN Открытая площадка W25Q64 ВСПЫШКА – НО 2,7 В ~ 3,6 В 8-ВСОН (6х5) скачать 3 (168 часов) REACH не касается 256-W25Q64CVZPBG УСТАРЕВШИЙ 1 80 МГц Энергонезависимый 64 Мбит 6 нс ВСПЫШКА 8М х 8 SPI — четырехканальный ввод-вывод 50 мкс, 3 мс
AT29LV512-20TI Microchip Technology АТ29ЛВ512-20ТИ -
запросить цену
ECAD 9168 0,00000000 Микрочиповая технология - Поднос Устаревший -40°C ~ 85°C (TC) Поверхностный монтаж 32-ТФСОП (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) АТ29LV512 ВСПЫШКА 3 В ~ 3,6 В 32-ЦОП скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) REACH не касается AT29LV51220TI EAR99 8542.32.0071 156 Энергонезависимый 512Кбит 200 нс ВСПЫШКА 64К х 8 Параллельно 20 мс
X28HC256JI-90T1R5699 Renesas Electronics America Inc X28HC256JI-90T1R5699 -
запросить цену
ECAD 2328 0,00000000 Ренесас Электроникс Америка Инк. - Лента и катушка (TR) Устаревший -40°С ~ 85°С (ТА) Поверхностный монтаж 32-LCC (J-вывод) X28HC256 ЭСППЗУ 4,5 В ~ 5,5 В 32-ПЛСС (11,43х13,97) скачать не соответствует RoHS 3 (168 часов) EAR99 8542.32.0051 750 Энергонезависимый 256Кбит 90 нс ЭСППЗУ 32К х 8 Параллельно 5 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднедневной объем запросов предложений

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартная единица продукта

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    В наличии на складе