Тел: +86-0755-83501315
Электронная почта:sales@sic-comComponents.com
| Изображение | Номер продукта | Цена (долл. США) | Количество | ЭКАД | Доступное количество | Вес (кг) | Производитель | Ряд | Упаковка | Статус продукта | Рабочая температура | Тип монтажа | Пакет/ключи | Базовый номер продукта | Технология | Напряжение питания | Поставщик пакета оборудования | Техническая спецификация | Статус RoHS | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Статус REACH | Другие имена | ECCN | ХТСУС | Стандартный пакет | Тактовая частота | Тип | Размер | Время доступа | Формат памяти | Организация | Интерфейс памяти | Время цикла записи — Word, Page |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LP128F-JBLA3 | 3.1700 | ![]() | 9 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Трубка | Активный | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,209 дюйма, 5,30 мм) | ИС25ЛП128 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 706-IS25LP128F-JBLA3 | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 90 | 166 МГц | Энергонезависимый | 128Мбит | ВСПЫШКА | 16М х 8 | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 800 мкс | ||
![]() | МТ54В512Х36БФ-7,5 | 23.6300 | ![]() | 170 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | КДР® | Масса | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 165-ТБГА | SRAM – синхронный | 1,7 В ~ 1,9 В | 165-ФБГА (13х15) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 МГц | Неустойчивый | 18 Мбит | 500 пс | СРАМ | 512К х 36 | ХСТЛ | - | |||
![]() | SNPTN78YC/32G-C-TAA | 337,5000 | ![]() | 9475 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-SNPTN78YC/32G-C-TAA | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| АТ25040А-10ТИ-1,8 | - | ![]() | 5537 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | АТ25040 | ЭСППЗУ | 1,8 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | не соответствует RoHS | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 20 МГц | Энергонезависимый | 4Кбит | ЭСППЗУ | 512 х 8 | СПИ | 5 мс | ||||
![]() | S25FL256SAGMFI011 | 6.6500 | ![]() | 50 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ФЛ-С | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 16-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | S25FL256 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 16-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 47 | 133 МГц | Энергонезависимый | 256Мбит | ВСПЫШКА | 32М х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | - | |||
![]() | MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 | - | ![]() | 3687 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Править | MT29F1G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | Править | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | Энергонезависимый | 1Гбит | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | - | ||||
| SFEM4096B1EA1TO-I-GE-111-STD | 19.8400 | ![]() | 8871 | 0,00000000 | Свиссбит | ЭМ-20 | Поднос | Не для новых дизайнов | -40°С ~ 85°С | Поверхностный монтаж | 153-ВФБГА | SFEM4096 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (MLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 153-БГА (11,5х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1 | 200 МГц | Энергонезависимый | 32Гбит | ВСПЫШКА | 4G х 8 | eMMC | - | ||||
![]() | MT29F512G08CKCABH7-10:А | - | ![]() | 9323 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 557-MT29F512G08CKCABH7-10:А | УСТАРЕВШИЙ | 980 | ||||||||||||||||||
![]() | MT29F256G08EBHAFB16A3WC1ES | - | ![]() | 9497 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Масса | Устаревший | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | Править | MT29F256G08 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ (TLC) | 2,5 В ~ 3,6 В | Править | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | УСТАРЕВШИЙ | 0000.00.0000 | 1 | 333 МГц | Энергонезависимый | 256Гбит | ВСПЫШКА | 32Г х 8 | Параллельно | - | ||||
| CAT25640VE-GE | - | ![]() | 3434 | 0,00000000 | онсеми | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 125°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | КАТ25640 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | - | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 488-CAT25640VE-GE | УСТАРЕВШИЙ | 100 | 10 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ЭСППЗУ | 8К х 8 | СПИ | 5 мс | |||||
| IS25LQ010B-JDLE | - | ![]() | 2854 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | IS25LQ010 | ВСПЫШКА – НО | 2,3 В ~ 3,6 В | 8-ЦСОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 МГц | Энергонезависимый | 1 Мбит | ВСПЫШКА | 128 КБ х 8 | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 800 мкс | ||||
![]() | CY14B101LA-BA25XI | 23.9750 | ![]() | 3990 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-ТФБГА | CY14B101 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ФБГА (6х10) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0041 | 598 | Энергонезависимый | 1 Мбит | 25 нс | НВСРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 25нс | |||
![]() | МТ29С4Г48МАЗБААКС-5 WT TR | - | ![]() | 5923 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -25°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 137-ВФБГА | MT29C4G48 | ФЛЕШ-NAND, мобильная LPDRAM | 1,7 В ~ 1,95 В | 137-ВФБГА (13х10,5) | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | 200 МГц | Энергонезависимый, Летучий | 4 Гбит (NAND), 2 Гбит (LPDRAM) | ФЛЕШ, ОЗУ | 256 М x 16 (NAND), 128 М x 16 (LPDRAM) | Параллельно | - | ||||
![]() | 24LC00T/СН | 0,3000 | ![]() | 3 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Лента и катушка (TR) | Активный | 0°С ~ 70°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | 24LC00 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0051 | 3300 | 400 кГц | Энергонезависимый | 128бит | 3,5 мкс | ЭСППЗУ | 16 х 8 | I²C | 4 мс | ||
![]() | S29GL128S11DHBV13 | 5.7400 | ![]() | 6066 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | ГЛ-С | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 64-ЛБГА | S29GL128 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 64-ФБГА (9х9) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 2200 | Энергонезависимый | 128Мбит | 110 нс | ВСПЫШКА | 8М х 16 | Параллельно | 60нс | |||
![]() | S34MS01G200TFA003 | - | ![]() | 2431 | 0,00000000 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | МС-2 | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | С34МС01 | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | 1,7 В ~ 1,95 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 1Гбит | 45 нс | ВСПЫШКА | 128М х 8 | Параллельно | 45нс | |||
![]() | С99-50249 П | - | ![]() | 3654 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Масса | Устаревший | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 91 | |||||||||||||||||
| IS66WV51216EBLL-70TLI-TR | 2,2706 | ![]() | 9745 | 0,00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | - | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 44-ТСОП (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) | IS66WV51216 | PSRAM (псевдо SRAM) | 2,5 В ~ 3,6 В | 44-ЦОП II | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1000 | Неустойчивый | 8 Мбит | 70 нс | ПСРАМ | 512К х 16 | Параллельно | 70нс | ||||
| FM24C64FLZEMT8X | - | ![]() | 6718 | 0,00000000 | Фэйрчайлд Полупроводник | - | Масса | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 8-ТССОП (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм) | FM24C64 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ЦСОП | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | Поставщик не определен | EAR99 | 8542.32.0051 | 2500 | 400 кГц | Энергонезависимый | 64Кбит | 900 нс | ЭСППЗУ | 8К х 8 | I²C | 6 мс | |||
![]() | IDT71024S15TYI | - | ![]() | 8052 | 0,00000000 | Ренесас Электроникс Америка Инк. | - | Трубка | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-BSOJ (ширина 0,300 дюймов, 7,62 мм) | IDT71024 | SRAM — асинхронный | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-СОЮ | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | 71024S15TYI | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | Неустойчивый | 1 Мбит | 15 нс | СРАМ | 128 КБ х 8 | Параллельно | 15нс | ||
![]() | SST39VF3201-70-4I-EKE | 5.4700 | ![]() | 9728 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | ССТ39 МПФ™ | Поднос | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | ССТ39ВФ3201 | ВСПЫШКА | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | SST39VF3201704IEKE | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 96 | Энергонезависимый | 32 Мбит | 70 нс | ВСПЫШКА | 2М х 16 | Параллельно | 10 мкс | ||
![]() | CY14E256LA-SZ45XQT | - | ![]() | 5838 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 105°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 32-SOIC (ширина 0,295 дюйма, 7,50 мм) | CY14E256 | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | 4,5 В ~ 5,5 В | 32-СОИК | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | СП005644017 | EAR99 | 8542.32.0041 | 1000 | Энергонезависимый | 256Кбит | 45 нс | НВСРАМ | 32К х 8 | Параллельно | 45нс | ||
![]() | МТ46В64М8БН-6 ИТ:Ф ТР | - | ![]() | 9394 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | МТ46В64М8 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ФБГА (10х12,5) | скачать | не соответствует RoHS | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 167 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 700 пс | ДРАМ | 64М х 8 | Параллельно | 15нс | ||
| 93ЛК46-И/П | 0,7050 | ![]() | 7822 | 0,00000000 | Микрочиповая технология | - | Трубка | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Сквозное отверстие | 8-ДИП (0,300 дюймов, 7,62 мм) | 93LC46 | ЭСППЗУ | 2,5 В ~ 5,5 В | 8-ПДИП | скачать | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | REACH не касается | 93LC46-И/П-НДР | EAR99 | 8542.32.0051 | 60 | 2 МГц | Энергонезависимый | 1Кбит | ЭСППЗУ | 128 х 8, 64 х 16 | Микропровод | 10 мс | |||
![]() | МТ46В32М16БН-75 ИТ:С | - | ![]() | 4018 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | - | Поднос | Устаревший | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 60-ТФБГА | МТ46В32М16 | SDRAM-DDR | 2,3 В ~ 2,7 В | 60-ФБГА (10х12,5) | - | Соответствует ROHS3 | 5 (48 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0024 | 1000 | 133 МГц | Неустойчивый | 512 Мбит | 750 пс | ДРАМ | 32М х 16 | Параллельно | 15нс | ||
| MT29F8G08ADAFAWP-AIT:F TR | 8.4150 | ![]() | 1181 | 0,00000000 | Микрон Технология Инк. | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Лента и катушка (TR) | Активный | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 48-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | MT29F8G08 | ФЛЕШ-NAND (SLC) | 2,7 В ~ 3,6 В | 48-ЦОП I | - | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | MT29F8G08ADAFAWP-AIT:FTR | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 8Гбит | ВСПЫШКА | 1Г х 8 | Параллельно | - | ||||
![]() | А9652462-С | 93.7500 | ![]() | 6121 | 0,00000000 | ПроЛабс | * | Розничная упаковка | Активный | - | Соответствует RoHS | 4932-А9652462-С | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
![]() | RM3004-XSNI-T | - | ![]() | 6058 | 0,00000000 | Адесто Технологии | - | Лента и катушка (TR) | Устаревший | - | Поверхностный монтаж | 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм) | RM3004 | ЭСППЗУ | 1,65 В ~ 2,75 В | 8-СОИК | - | Соответствует ROHS3 | 1 (без блокировки) | 1265-RM3004-XSNI-TTR | УСТАРЕВШИЙ | 2500 | 1 МГц | Энергонезависимый | 64Кбит | ЭСППЗУ | 8К х 8 | СПИ | - | ||||
![]() | S29GL064N90TFA023 | - | ![]() | 9705 | 0,00000000 | Инфинеон Технологии | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GL-N | Лента и катушка (TR) | Снято с производства в НИЦ | -40°С ~ 85°С (ТА) | Поверхностный монтаж | 56-TFSOP (ширина 0,724 дюйма, 18,40 мм) | S29GL064 | ВСПЫШКА – НО | 2,7 В ~ 3,6 В | 56-ЦОП | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | 3А991Б1А | 8542.32.0071 | 1000 | Энергонезависимый | 64 Мбит | 90 нс | ВСПЫШКА | 8м х 8, 4м х 16 | Параллельно | 90 нс | |||
| АС4К128М16Д3ЛА-12БКН | 6.7600 | ![]() | 20 | 0,00000000 | Альянс Память, Инк. | - | Поднос | Устаревший | 0°C ~ 95°C (TC) | Поверхностный монтаж | 96-ВФБГА | AS4C128 | SDRAM-DDR3L | 1,283 В ~ 1,45 В | 96-ФБГА (8х13) | скачать | Соответствует ROHS3 | 3 (168 часов) | REACH не касается | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 800 МГц | Неустойчивый | 2Гбит | 20 нс | ДРАМ | 128М х 16 | Параллельно | 15нс |

Среднедневной объем запросов предложений

Стандартная единица продукта

Мировые производители

В наличии на складе
Список желаний (0 шт.)