SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ На Pogruehenee На В конце Sic programmirueTSARY
IS46R86400D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R86400D-6TLA1-TR 8.6250
RFQ
 ECAD 5054 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS62C1024-70Q ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024-70Q 15000
RFQ
 ECAD 45 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Sop - 3277-IS62C1024-70Q Ear99 8542.32.0041 100 Nestabilnый 1 март Шram 128K x 8 Парлель 70NS Nprovereno
IS46TR16256B-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-107MBLA1-TR 8.0897
RFQ
 ECAD 1850 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16256B-107MBLA1-TR 1500 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS25WJ032F-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ032F-JNLE-TR 0,7291
RFQ
 ECAD 4029 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WJ032F-JNLE-TR 3000 133 мг NeleTUSHIй 32 мб 6 м В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1,6 мс
IS61VPD51236A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-250B3 -
RFQ
 ECAD 5772 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS31FL3719-QFLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3719-QFLS4-TR -
RFQ
 ECAD 2943 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) О том, как Пефер 32-wfqfn otkrыtai-aip-o Илинен - 32-qfn (4x4) СКАХАТА 3 (168 чASOW) 2500 - 9 Не Пост вейн. Ток 5,5 В. I²C 2,7 В. -
IS25LX512M-LHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-LHLE 9.3700
RFQ
 ECAD 1158 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LX512M-LHLE 480 133 мг NeleTUSHIй 512 мб 6 м В.С. 64 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД 1,8 мс
IS43TR16128B-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-15HBL-TR -
RFQ
 ECAD 4929 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25LP256D-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RHLE-TR 3.6908
RFQ
 ECAD 2770 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LP256 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS64WV6416BLL-15TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV6416BLL-15TLA3 4.5034
RFQ
 ECAD 4151 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV6416 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 135 Nestabilnый 1 март 15 млн Шram 64K x 16 Парлель 15NS
IS43R83200F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TL-TR 2.6470
RFQ
 ECAD 6097 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R83200 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 32 м х 8 Парлель 15NS
IS62C1024AL-35QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C1024AL-35QLI-TR 2.6100
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) IS62C1024 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 35 м Шram 128K x 8 Парлель 35NS
IS25LQ040B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JNLE -
RFQ
 ECAD 2320 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ040 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1316 Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS43R86400D-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5TLI-TR 7.8600
RFQ
 ECAD 8247 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS61LF102418B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-6.5TQLI 17.8310
RFQ
 ECAD 7330 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS25LQ080B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JNLE -
RFQ
 ECAD 9553 0,00000000 Issi, ина - МАССА Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ080 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1331 Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS43R16160F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BL-TR 3.6992
RFQ
 ECAD 3721 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43LD32640B-18BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-18BPL -
RFQ
 ECAD 2580 0,00000000 Issi, ина - Поднос Прохл -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS43LD32640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 168 533 мг Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS45S16400F-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA1 -
RFQ
 ECAD 1658 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61VPS102418B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418B-200TQLI-TR 14.2500
RFQ
 ECAD 8699 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS42S32800B-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TI-TR -
RFQ
 ECAD 6618 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS25LP512M-RMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512M-RMLE 10.0000
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1639 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,6 мс
IS46LR32160C-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA1-TR 10.2750
RFQ
 ECAD 6939 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 12NS
IS66WV51216DBLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-70BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7701 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 70 млн Псром 512K x 16 Парлель 70NS
IS61WV51216EDALL-20BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20BLI-TR 12.0000
RFQ
 ECAD 7651 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV51216 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 20 млн Шram 512K x 16 Парлель 20ns
IS42VM16200C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200C-75BLI -
RFQ
 ECAD 3608 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 32 мб 6 м Ддрам 2m x 16 Парлель -
IS61NLP204818B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204818B-200TQLI-TR 74.6250
RFQ
 ECAD 5525 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 36 мб 3.1 м Шram 2m x 18 Парлель -
IS46LQ32128A-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062TBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 7573 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl 18ns
IS42SM16400M-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-75BLI-TR 2.8808
RFQ
 ECAD 6709 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16400 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS46TR16256AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA1 -
RFQ
 ECAD 9893 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть