SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS62WV1288BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288BLL-55TLI 2.2900
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62WV1288 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 156 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 128K x 8 Парлель 55NS
IS25LQ020B-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 3958 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LQ020 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 4500 104 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS25LQ512B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JKLE -
RFQ
 ECAD 7854 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1324 Ear99 8542.32.0071 570 104 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS22TF128G-JCLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JCLA2 78.5928
RFQ
 ECAD 2474 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF128G-JCLA2 152 200 мг NeleTUSHIй 1tbit В.С. 128G x 8 EMMC_5.1 -
IS43TR16K01S2AL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16K01S2AL-125KBL-TR 27.4113
RFQ
 ECAD 2847 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16K01S2AL-125KBL-TR 2000 800 мг Nestabilnый 16 -й Гит 20 млн Ддрам 1G x 16 Парлель 15NS
IS46LD32128B-25BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA2 -
RFQ
 ECAD 7327 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128B-25BPLA2 Ear99 8542.32.0036 1 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS43TR16512S2DL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S2DL-125KBL-TR 18.1944
RFQ
 ECAD 8713 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LWBGA (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16512S2DL-125KBL-TR Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS61LV5128AL-10T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10T-TR -
RFQ
 ECAD 6126 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV5128 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS25WD040-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD040-JBLE -
RFQ
 ECAD 2402 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WD040 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 90 80 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI 3 мс
IS43R86400E-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4138 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS46LQ32128A-062BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128A-062BLA1 -
RFQ
 ECAD 2641 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32128A-062BLA1 136 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl 18ns
IS42S32200E-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7BL -
RFQ
 ECAD 8047 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS62C25616BL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C25616BL-45TLI -
RFQ
 ECAD 2279 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62C25616 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 45 м Шram 256K x 16 Парлель 45NS
IS61NLP25618A-200TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200TQI -
RFQ
 ECAD 5502 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 256K x 18 Парлель -
IS25WP512M-RMLA3-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLA3-TY 9.1840
RFQ
 ECAD 8046 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет 1,7 В ~ 1,95 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WP512M-RMLA3-TY 176 133 мг NeleTUSHIй 512 мб 7,5 млн В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 2 мс
IS61LPS204818B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204818B-200TQLI 80.9126
RFQ
 ECAD 5428 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 36 мб 3.1 м Шram 2m x 18 Парлель -
IS43LR16128B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16128B-6BLI 9.5468
RFQ
 ECAD 6981 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LR16128B-6BLI 300 166 мг Nestabilnый 2 Гит 5 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS63WV1288DBLL-10JLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10JLI-TR 2.1192
RFQ
 ECAD 7208 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS63WV1288 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
IS25LD020-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD020-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 8000 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LD020 В.С. 2,3 В ~ 3,6 В. 8-VVSOP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3500 100 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 5 мс
IS46TR16256BL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256BL-107MBLA1-TR 8.2137
RFQ
 ECAD 6692 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16256BL-107MBLA1-TR 1500 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS49NLC96400-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-33BLI -
RFQ
 ECAD 5663 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC96400 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 300 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 64M x 9 Парлель -
IS43LQ16128AL-062TBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128AL-062TBLI-TR 8.6583
RFQ
 ECAD 4789 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LQ16128AL-062TBLI-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS42S32160B-75TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TL-TR -
RFQ
 ECAD 5473 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS62WV6416ALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416ALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 1608 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV6416 SRAM - Асинров 1,7 В ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 64K x 16 Парлель 55NS
IS62WV1288DBLL-45HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288DBLL-45HLI-TR -
RFQ
 ECAD 7847 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV1288 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 128K x 8 Парлель 45NS
IS25WP256E-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RHLA3 5.1670
RFQ
 ECAD 4208 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP256E-RHLA3 480 166 мг NeleTUSHIй 256 мб 5,5 млн В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS22TF128G-JCLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF128G-JCLA2-TR 78.0045
RFQ
 ECAD 9539 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF128G-JCLA2-TR 2000 200 мг NeleTUSHIй 1tbit В.С. 128G x 8 EMMC_5.1 -
IS42VM32200K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5573 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S16400J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6BL 1.8423
RFQ
 ECAD 4712 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61LPS204818B-200B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS204818B-200B3L-TR 85 6514
RFQ
 ECAD 4642 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 200 200 мг Nestabilnый 36 мб 3.1 м Шram 2m x 18 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть