SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236B-6.5B3LI-TR 15.2600
RFQ
 ECAD 8281 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS61WV204816ALL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-10TLI-TR -
RFQ
 ECAD 2011 год 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV204816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 32 мб 10 млн Шram 2m x 16 Парлель 10NS
IS42S32200L-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6TLI-TR 4.0367
RFQ
 ECAD 6761 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S16800E-75ETLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75ETLI-TR -
RFQ
 ECAD 9573 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS64WV51216BLL-10MLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10MLA3 18.0792
RFQ
 ECAD 6399 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 210 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS42S16100C1-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TL -
RFQ
 ECAD 1216 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR 6.4497
RFQ
 ECAD 9540 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI-TR 2500 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS43LD16640A-25BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-25BL-TR -
RFQ
 ECAD 8158 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1200 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61LPS12836A-200TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200TQI-TR -
RFQ
 ECAD 2519 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 128K x 36 Парлель -
IS66WVE1M16EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16EBLL-5555BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7031 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 55 м Псром 1m x 16 Парлель 55NS
IS64WV102416FBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416FBLL-10CTLA3 19.7868
RFQ
 ECAD 5928 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-tsop i - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3 96 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS66WVQ2M4DALL-200BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ2M4DALL-200BLI 3.0900
RFQ
 ECAD 480 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVQ2M4 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS66WVQ2M4DALL-200BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 200 мг Nestabilnый 8 марта Псром 2m x 4 SPI - Quad I/O 40ns
IS43DR16640C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640C-3DBLI-TR 4.7803
RFQ
 ECAD 4083 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2500 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS25LP128F-RHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLE 2.1310
RFQ
 ECAD 4479 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP128F-RHLE 480 166 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS61NLP25672-200B1I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1I-TR -
RFQ
 ECAD 6836 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLP25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS46TR16640ED-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-15HBLA2-TR 8.0208
RFQ
 ECAD 8397 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16640ED-15HBLA2-TR 1500 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 SSTL_15 15NS
IS43LR32200B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32200B-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7464 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32200 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель 15NS
IS25LQ010B-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 1591 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LQ010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 4500 104 мг NeleTUSHIй 1 март В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS63LV1024L-12JL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12JL -
RFQ
 ECAD 8909 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 22 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS25WP064D-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064D-RHLA3-TR 1.7350
RFQ
 ECAD 4764 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP064D-RHLA3-TR 2500 166 мг NeleTUSHIй 64 марта 5,5 млн В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS46TR16640B-15GBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-15GBLA25 -
RFQ
 ECAD 5943 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640B-15GBLA25 Ear99 8542.32.0032 190 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS22TF64G-JQLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF64G-JQLA1 50.8542
RFQ
 ECAD 4252 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-lbga Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 100-LFBGA (14x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF64G-JQLA1 98 200 мг NeleTUSHIй 512 Гит В.С. 64G x 8 EMMC_5.1 -
IS43LD16160B-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16160B-25BLI-TR 4.8511
RFQ
 ECAD 1831 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LD16160B-25BLI-TR 2000 400 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 HSUL_12 15NS
IS42S16100E-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-6TLI -
RFQ
 ECAD 1787 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61NLP12836B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200TQLI 8.3815
RFQ
 ECAD 2252 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 128K x 36 Парлель -
IS49NLC36160A-25WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25WBL 47.1690
RFQ
 ECAD 1478 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC36160A-25WBL 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 16m x 36 HSTL -
IS46TR16128AL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-15HBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3590 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS62WV102416ALL-35MI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416ALL-35MI -
RFQ
 ECAD 9440 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV102416 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS62WV102416ALL-35MI Управо 210 Nestabilnый 16 марта 35 м Шram 1m x 16 Парлель 35NS
IS43LR16128B-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16128B-5BLI 9.8204
RFQ
 ECAD 5191 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LR16128B-5BLI 300 208 мг Nestabilnый 2 Гит 5 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25WP256E-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-RMLE-TR 4.0063
RFQ
 ECAD 9019 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP256E-RMLE-TR 1000 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть