SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS25LQ032B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ032B-JKLE -
RFQ
 ECAD 1093 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LQ032 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1336 3A991B1A 8542.32.0071 570 104 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS61LPS102418A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-250B3I-TR -
RFQ
 ECAD 4769 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS64WV5128BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128BLL-10CTLA3 8.4950
RFQ
 ECAD 9623 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV5128 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS61QDP2B42M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B42M36A-400M3L 100.1770
RFQ
 ECAD 7088 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDP2 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 мг Nestabilnый 72 мб 8,4 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS61NLP25636A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B3I -
RFQ
 ECAD 4250 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS61LPS12836A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200TQLI-TR 7.5837
RFQ
 ECAD 2573 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 128K x 36 Парлель -
IS61DDP2B251236A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B251236A-400M3L 44.1540
RFQ
 ECAD 4278 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDP2 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 18 марта Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S16400F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-6BLI -
RFQ
 ECAD 2038 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR 6.4861
RFQ
 ECAD 3455 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV10248EEBLL-10TLI-TR 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS43DR16640B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBL 6.1100
RFQ
 ECAD 8360 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1202 Ear99 8542.32.0032 209 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS29GL256-70SLET-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70SLET-TR 5.2027
RFQ
 ECAD 7007 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 56-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) Flash - нет (SLC) 3 В ~ 3,6 В. 56-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS29GL256-70SLET-TR 800 NeleTUSHIй 256 мб 70 млн В.С. 32 м х 8 CFI 70NS, 200 мкс
IS25LP040E-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP040E-JNLE 0,3900
RFQ
 ECAD 9208 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LP040 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP040E-JNLE Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 4 марта 8 млн В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 1,2 мс
IS45S16160G-7TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA1-TR 5.3954
RFQ
 ECAD 8737 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43DR16128B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-3DBL -
RFQ
 ECAD 2859 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TW-BGA (10,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 162 333 мг Nestabilnый 2 Гит 450 с Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61VPD51236A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-200B3I-TR -
RFQ
 ECAD 6575 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32400D-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7TI -
RFQ
 ECAD 8712 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS21TF08G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF08G-JCLI-TR 16.2750
RFQ
 ECAD 5337 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA IS21TF08G Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21TF08G-JCLI-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2000 200 мг NeleTUSHIй 64 Гит В.С. 8G x 8 MMC -
IS46TR16256A-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-15HBLA1 -
RFQ
 ECAD 3996 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS42S16160B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7TI -
RFQ
 ECAD 2567 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43R83200D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200D-5TL-TR 4.9392
RFQ
 ECAD 2946 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R83200 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 32 м х 8 Парлель 15NS
IS43QR16512A-075VBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16512A-075VBLI 19.5230
RFQ
 ECAD 9859 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR16512A-075VBLI 136 1 333 г Nestabilnый 8 Гит 18 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS43R16160D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BL-TR 4.6890
RFQ
 ECAD 6581 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42S32800B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 4782 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS42VM32200M-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200M-75BLI 3.2542
RFQ
 ECAD 9171 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 240 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42SM16160E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160E-6BLI -
RFQ
 ECAD 1150 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16160 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 348 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61DDB41M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB41M36C-250M3 -
RFQ
 ECAD 5549 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB41 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS43R86400E-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5BLI -
RFQ
 ECAD 5738 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS46LD32640C-18BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640C-18BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8721 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32640C-18BLA2-TR 1 533 мг Nestabilnый 2 Гит 5,5 млн Ддрам 64M x 32 HSUL_12 15NS
IS42S32800J-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBL-TR 5.6100
RFQ
 ECAD 8134 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61WV12816EDBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816EDBLL-10TLI 2.6286
RFQ
 ECAD 3632 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV12816 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть