SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Nabahuvый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61QDB22M36A-333B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M36A-333B4LI 74.4172
RFQ
 ECAD 5979 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB22 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 333 мг Nestabilnый 72 мб 1,35 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS43TR16128A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 6282 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25LP064A-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064A-JBLE-TR 1.1760
RFQ
 ECAD 5690 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LP064 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 800 мкс
IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10CTLA3 5.6074
RFQ
 ECAD 7661 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV12816 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS41LV16105B-60KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-60KL-TR -
RFQ
 ECAD 6910 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 42-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS41LV16105 DRAM - FP 3 В ~ 3,6 В. 42-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 30 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S16160G-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BLI-TR 5.1800
RFQ
 ECAD 11 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43TR16256AL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 7527 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS46R86400D-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R86400D-6BLA1 9.9837
RFQ
 ECAD 8637 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS42VM32200M-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200M-6BLI 3.3934
RFQ
 ECAD 1095 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42SM32160E-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160E-75BL 9.2883
RFQ
 ECAD 6314 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32160 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS42S16800E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 6507 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS25WP020E-JYLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP020E-JYLE-TR 0,3919
RFQ
 ECAD 3917 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP020E-JYLE-TR 5000 104 мг NeleTUSHIй 2 марта 8 млн В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O, QPI 40 мкс, 1,2 мс
IS61LPS102418B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418B-200TQLI-TR 13.9821
RFQ
 ECAD 3962 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS42VM32200K-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-75BLI -
RFQ
 ECAD 9181 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42VS16160J-75TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VS16160J-75TLI -
RFQ
 ECAD 2025 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42VS16160 SDRAM 1,7 В ~ 1,9 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 348 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS29GL256-70DLET ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLET 7.7700
RFQ
 ECAD 66 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-lbga IS29GL256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-LFBGA (9x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS29GL256-70DLET 3A991B1A 8542.32.0071 260 NeleTUSHIй 256 мб 70 млн В.С. 32 м х 8 Парлель 200 мкс
IS62WV102416FBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416FBLL-45BLI 10.3200
RFQ
 ECAD 4989 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA IS62WV102416 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 16 марта 45 м Шram 1m x 16 Парлель 45NS
IS43DR16320D-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320D-3DBL-TR 2.6025
RFQ
 ECAD 3855 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS29LV032T-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29LV032T-70BLI -
RFQ
 ECAD 3457 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS29LV032T Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 0000.00.0000 480 NeleTUSHIй 32 мб 70 млн В.С. 4m x 8, 2m x 16 Парлель 70NS
IS46QR81024A-075VBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-075VBLA1-TR 18.3540
RFQ
 ECAD 3163 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46QR81024A-075VBLA1-TR 2000 1 333 г Nestabilnый 8 Гит 18 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS42S16100E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100E-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5458 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51218A-7.5TQLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 9259 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF51218 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 512K x 18 Парлель -
IS62WV12816FBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816FBLL-45BLI-TR 1.5491
RFQ
 ECAD 6937 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV12816FBLL-45BLI-TR 2500 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 128K x 16 Парлель 45NS
IS43TR16640B-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125JBLI -
RFQ
 ECAD 7436 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS46R16320D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA1-TR 8.6250
RFQ
 ECAD 8607 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42S83200B-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-6TL -
RFQ
 ECAD 7374 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS61DDPB21M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB21M18A-400M3L 45 0000
RFQ
 ECAD 5694 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDPB21 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 18 марта Шram 1m x 18 Парлель -
IS25WD040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD040-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 8632 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25WD040 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-VVSOP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3500 80 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI 3 мс
IS41C16100C-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16100C-50TLI-TR -
RFQ
 ECAD 1562 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50-тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм), 44 Свина IS41C16100 Драм - эdo 4,5 n 5,5. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S32200L-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BL 4.1904
RFQ
 ECAD 1993 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть