SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS62WV102416GBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416GBLL-45TLI 8.7377
RFQ
 ECAD 6281 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62WV102416 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 45 м Шram 1m x 16 Парлель 45NS
IS46LQ32128AL-062TBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32128AL-062TBLA1 -
RFQ
 ECAD 7420 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32128AL-062TBLA1 136 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 32 Lvstl 18ns
IS25LQ080B-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 1575 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LQ080 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS45S16320F-7CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7CTLA1-TR 12.6600
RFQ
 ECAD 8231 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43TR81024B-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-107MBL 21.5163
RFQ
 ECAD 4465 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR81024B-107MBL 136 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS25WE512M-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE512M-RMLE-TR 75522
RFQ
 ECAD 5268 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WE512M-RMLE-TR 1000 112 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS25WP016-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JKLE -
RFQ
 ECAD 9946 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 16 марта 7 млн В.С. 2m x 8 Серриал 800 мкс
IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 17.9550
RFQ
 ECAD 3069 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-tsop i - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR 1500 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS43LR16160G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160G-6BLI-TR 5.4750
RFQ
 ECAD 7796 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2000 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43DR16160B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI 4.4500
RFQ
 ECAD 9086 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 209 333 мг Nestabilnый 256 мб 450 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61WV102416FALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FALL-20BLI 9.5225
RFQ
 ECAD 5187 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV102416FALL-20BLI 480 Nestabilnый 16 марта 20 млн Шram 1m x 16 Парлель 20ns
IS43DR16128C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128C-25DBLI-TR 11.9250
RFQ
 ECAD 6513 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2500 400 мг Nestabilnый 2 Гит 400 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43QR85120B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-083RBLI 10.6342
RFQ
 ECAD 8798 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR85120B-083RBLI 136 1,2 -е Nestabilnый 4 Гит 19 млн Ддрам 512M x 8 Капсул 15NS
IS46TR81280B-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-125JBLA25-TR -
RFQ
 ECAD 1167 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR81280B-125JBLA25-TR Ear99 8542.32.0032 2000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS46TR16640B-125JBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-125JBLA1 -
RFQ
 ECAD 9722 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS62WV5128EALL-55HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55HLI -
RFQ
 ECAD 8144 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV5128 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR 3.0653
RFQ
 ECAD 1684 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR 2500 200 мг Nestabilnый 64 марта 40 млн Псром 8m x 8 Гипербус 400NS
IS42S32200E-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-7TLI -
RFQ
 ECAD 2194 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S16320D-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7BL 19.8100
RFQ
 ECAD 155 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1206 Ear99 8542.32.0028 240 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS25WP01G-RILE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP01G-RILE-TR 10.6799
RFQ
 ECAD 5173 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-lbga Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-LFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP01G-RILE-TR 2500 104 мг NeleTUSHIй 1 Гит 10 млн В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS42SM32200M-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200M-6BLI-TR 3.3554
RFQ
 ECAD 2686 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32200 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS49NLC36160A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 8628 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC36160A-25WBLI 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 16m x 36 HSTL -
IS62WV2568BLL-55HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-55HLI-TR 1.8198
RFQ
 ECAD 8394 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV2568 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 256K x 8 Парлель 55NS
IS61LF25618EC-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25618EC-7.5TQLI 7.5262
RFQ
 ECAD 5227 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 4,5 мб 7,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
IS41LV16100C-50TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50TI-TR -
RFQ
 ECAD 1194 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50-тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм), 44 Свина IS41LV16100 Драм - эdo 2,97 В ~ 3,63 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель 85ns
IS61LV12816L-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10TLI-TR -
RFQ
 ECAD 9784 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV12816 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS66WVE4M16BLL-70BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is66wve4m16bll-70bli-tr -
RFQ
 ECAD 1308 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE4M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 64 марта 70 млн Псром 4m x 16 Парлель 70NS
IS42S32400B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400B-7T -
RFQ
 ECAD 9247 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61WV102416DALL-12BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-12BLI 10.9618
RFQ
 ECAD 9943 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV102416DALL-12BLI 480 Nestabilnый 16 марта 12 млн Шram 1m x 16 Парлель 12NS
IS25LP080D-JNLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JNLA3-TR 0,7291
RFQ
 ECAD 8937 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP080D-JNLA3-TR 3000 133 мг NeleTUSHIй 8 марта 7 млн В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть