SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ На Pogruehenee На В конце
IS45S16320D-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7TLA1 18.7367
RFQ
 ECAD 8818 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 108 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV25616DBLL-45CTLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3316 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS65WV25616 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 45 м Шram 256K x 16 Парлель 45NS
IS25WD020-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JKLE -
RFQ
 ECAD 2234 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina o IS25WD020 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 80 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 3 мс
IS46LQ16256A-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 12.8611
RFQ
 ECAD 9186 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16256A-062TBLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Lvstl -
IS25WP016D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JBLE 1.0900
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS42S16160G-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 5706 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE1M16BLL-55555BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1365 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE1M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 16 марта 55 м Псром 1m x 16 Парлель 55NS
IS61QDB21M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB21M18A-250B4LI 32.3796
RFQ
 ECAD 1025 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB21 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта Шram 1m x 18 Парлель -
IS43TR16256AL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-107MBLI -
RFQ
 ECAD 9552 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS42S16800E-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 8152 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61NLP102418-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3I-TR -
RFQ
 ECAD 4504 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS61QDPB42M36A1-500M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-500M3LI 117.1779
RFQ
 ECAD 6457 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 мг Nestabilnый 72 мб 8,4 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS61VPS51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236B-200TQLI 17.2425
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25636B-7.5TQLI-TR 11.4000
RFQ
 ECAD 2959 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
IS46TR16512BL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-125KBLA1 22.9715
RFQ
 ECAD 1989 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16512BL-125KBLA1 136 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS42S32160F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TLI-TR 12.3750
RFQ
 ECAD 6336 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61NLF25618A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25618A-7.5TQLI-TR 7.5837
RFQ
 ECAD 1521 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 4,5 мб 7,5 млн Шram 256K x 18 Парлель -
IS61WV12816BLL-12TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816BLL-12TLI 3.5221
RFQ
 ECAD 7891 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV12816 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 12 млн Шram 128K x 16 Парлель 12NS
IS43TR16256A-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-107MBLI -
RFQ
 ECAD 4889 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61VF102418A-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF102418A-7.5B3I-TR -
RFQ
 ECAD 4854 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VF102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS49NLS93200-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-25BL -
RFQ
 ECAD 4450 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS31LT3172-GRLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3172-GRLS2-TR -
RFQ
 ECAD 7700 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Ох Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). Илинен IS31LT3172 - 8-Sop-Ep СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 200 май 1 В дар - 42 Шyr 5в 42
IS42S16800F-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6B -
RFQ
 ECAD 9574 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61DDPB44M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDPB44M18A-400M3L 100.1770
RFQ
 ECAD 3310 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDPB44 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 72 мб Шram 4m x 18 Парлель -
IS42SM16160D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160D-7BLI -
RFQ
 ECAD 3737 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16160 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S16400F-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400F-5TL -
RFQ
 ECAD 8397 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 200 мг Nestabilnый 64 марта 5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS43LR32640B-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640B-5BLI 10.0364
RFQ
 ECAD 3991 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LR32640B-5BLI 240 208 мг Nestabilnый 2 Гит 5 млн Ддрам 64M x 32 Парлель 15NS
IS42SM16400K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400K-6BLI -
RFQ
 ECAD 2069 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16400 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61LV5128AL-10BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10BI-TR -
RFQ
 ECAD 7344 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS61LV5128 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 36-Minibga (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS25LP128F-RHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-RHLA3 2.6234
RFQ
 ECAD 5422 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP128F-RHLA3 480 166 мг NeleTUSHIй 128 мб 6,5 млн В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть