SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ На Pogruehenee На В конце
IS61NLP6432A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP6432A-200TQLI-TR 5.4170
RFQ
 ECAD 2530 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP6432 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 2 марта 3.1 м Шram 64K x 32 Парлель -
IS62WV12816BLL-55T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55T -
RFQ
 ECAD 7550 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS46TR16640ED-15HBLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-15HBLA3 -
RFQ
 ECAD 3928 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16640ED-15HBLA3 190 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 SSTL_15 15NS
IS42S32800D-75EB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EB -
RFQ
 ECAD 3916 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS42S16100C1-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7B -
RFQ
 ECAD 1247 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 286 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42VM16320E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320E-75BLI 8.1965
RFQ
 ECAD 4031 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16320 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 348 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS42RM32800E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-6BLI 9.2729
RFQ
 ECAD 5441 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61NVF25672-6.5B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5B1-TR -
RFQ
 ECAD 5218 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NVF25672 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS62C5128EL-45QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C5128EL-45QLI 3.5516
RFQ
 ECAD 7679 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Sop - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62C5128EL-45QLI 84 Nestabilnый 4 марта 45 м Шram 512K x 8 Парлель 45NS
IS61WV1288EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV1288EEBLL-10TLI 2.2900
RFQ
 ECAD 10 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-soic (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS61WV1288 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 32-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 117 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
IS61NVP51236-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200TQLI -
RFQ
 ECAD 7240 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVP51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42RM32800D-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BLI -
RFQ
 ECAD 9542 0,00000000 Issi, ина - Поднос ПРЕКРЕВО -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS62WV25616DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TLI-TR -
RFQ
 ECAD 8694 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 45 м Шram 256K x 16 Парлель 45NS
IS42S32800B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7TL -
RFQ
 ECAD 3731 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS43DR16320E-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-3DBL-TR 2.2990
RFQ
 ECAD 1458 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 84-TFBGA SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43DR16320E-3DBL-TR 2500 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 SSTL_18 15NS
IS45S16400F-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-6TLA1-TR -
RFQ
 ECAD 1528 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS46TR16128BL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-125KBLA2 -
RFQ
 ECAD 5323 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS43R16800E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TLI-TR 2.3378
RFQ
 ECAD 3767 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16800 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 128 мб 700 с Ддрам 8m x 16 Парлель 12NS
IS42S32800J-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-6BL-TR 5.4750
RFQ
 ECAD 7114 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS42S32160F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-6TLI 13.0430
RFQ
 ECAD 3253 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS46DR81280B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA1 -
RFQ
 ECAD 3752 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 242 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS34ML04G084-TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G084-TLI-TR 8.4321
RFQ
 ECAD 8452 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34ML04 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1500 NeleTUSHIй 4 Гит 25 млн В.С. 512M x 8 Парлель 25NS
IS25LQ010B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 2622 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LQ010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 104 мг NeleTUSHIй 1 март В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS43TR82560D-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560D-107MBL-TR 4.0485
RFQ
 ECAD 7575 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR82560D-107MBL-TR 2000 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS43TR16256A-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBL -
RFQ
 ECAD 3788 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS43TR16128AL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128AL-15HBLI-TR -
RFQ
 ECAD 7263 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25WP128F-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JLLE 2.1987
RFQ
 ECAD 1451 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP128F-JLLE 480 166 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS31FL3716-QFLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3716-QFLS4-TR -
RFQ
 ECAD 4732 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) О том, как Пефер 20-wfqfn otkrыtai-anploщadka Илинен - 20-qfn (3x3) СКАХАТА 3 (168 чASOW) 2500 40 май 7 Не - 5,5 В. I²C 2,7 В. -
IS45S16100H-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7BLA2-TR 3.3391
RFQ
 ECAD 5910 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS45S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS25LP256H-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256H-RHLE-TR 3.4791
RFQ
 ECAD 7285 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP256H-RHLE-TR 2500 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть