SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta Тела Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар МАКСИМАЛАНСКА ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS42RM16160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160E-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 9248 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16160 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S16160D-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 6712 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS62WV5128BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-5555BLI 4.1765
RFQ
 ECAD 2330 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 7656 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR -
RFQ
 ECAD 4830 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 96-BGA SDRAM - DDR3L - 96-BGA - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR 2000 800 мг Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель -
IS42RM32800D-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BL-TR -
RFQ
 ECAD 5905 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) ПРЕКРЕВО 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS62C256-70U ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256-70U -
RFQ
 ECAD 9184 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-Sop IS62C256 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 25 Nestabilnый 256 70 млн Шram 32K x 8 Парлель 70NS
IS42S32160B-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4165 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (13x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS42S16320F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7TL-TR 10.1250
RFQ
 ECAD 5107 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS25WP128F-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JKLE-TR 1.9251
RFQ
 ECAD 6852 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4500 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS61C5128AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AL-10TLI-TR 3.3088
RFQ
 ECAD 8114 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61C5128 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS46DR16640B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA2 10.6309
RFQ
 ECAD 7583 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 209 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61LV5128AL-10K-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10K-TR -
RFQ
 ECAD 1301 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61LV5128 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 36-SOJ СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS64LPS25636A-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS25636A-166TQLA3 24.0718
RFQ
 ECAD 6359 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS64LPS25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 мг Nestabilnый 9 марта 3,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
IS45S32400B-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-7BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6186 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS32AP2123-ZLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32AP2123-Zla3 -
RFQ
 ECAD 3082 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 дюйма, 4,40 мм). Клас d - 1-канадский (моно) 4,5 n 24. 16-йssop СКАХАТА 3 (168 чASOW) 706-IS32AP2123-Zla3 96 24 yt x 1 @ 4omm
IS46R16320D-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6BLA2-TR 11.2500
RFQ
 ECAD 7530 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS62WV20488BLL-25MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2048888BLL-25MLI-TR 18.5250
RFQ
 ECAD 8252 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV20488 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Шram 2m x 8 Парлель 25NS
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR 11.9035
RFQ
 ECAD 8248 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR 2500 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS42S16160D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 3533 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43DR16160A-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-37CBLI-TR -
RFQ
 ECAD 2203 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 266 мг Nestabilnый 256 мб 500 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42S16320D-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-7TL 14.4000
RFQ
 ECAD 725 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1268 Ear99 8542.32.0028 108 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS61LPS51236A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200B3I -
RFQ
 ECAD 2184 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS43LR32100C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100C-6BL -
RFQ
 ECAD 5993 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32100 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 32 мб 5,5 млн Ддрам 1m x 32 Парлель 12NS
IS42S16160D-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7BL -
RFQ
 ECAD 1984 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61NLP25672-200B1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-200B1-TR -
RFQ
 ECAD 4003 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLP25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS49RL36160-107BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-107BLI -
RFQ
 ECAD 3155 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 168-lbga IS49RL36160 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 119 933 мг Nestabilnый 576 мб 10 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
IS61LV6416-8TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-8TL-TR -
RFQ
 ECAD 7742 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV6416 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 1 март 8 млн Шram 64K x 16 Парлель 8ns
IS42VM32400G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400G-75BLI -
RFQ
 ECAD 9085 0,00000000 Issi, ина - Поднос ПРЕКРЕВО -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32400 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 133 мг Nestabilnый 128 мб 6 м Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61VPD51236A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-200B3 -
RFQ
 ECAD 8309 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть