SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS43TR16512A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-15HBL -
RFQ
 ECAD 9229 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0036 136 667 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS25LQ025B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JVLE -
RFQ
 ECAD 5229 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ025 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-VVSOP - Rohs3 3 (168. DOSTISH 706-IS25LQ025B-JVLE Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 256 8 млн В.С. 32K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS42S32160B-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 6049 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61DDB42M18-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M18-250M3L -
RFQ
 ECAD 2457 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB42 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 5,85 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS25LQ512A-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512A-JNLE-TR -
RFQ
 ECAD 5699 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт - Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 80 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 400 мкс
IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR 4.4904
RFQ
 ECAD 3214 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168. 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR 2500 100 мг Nestabilnый 256 мб 40 млн Псром 32 м х 8 Парлель 40ns
IS45S16320D-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-7BLA2 23.1600
RFQ
 ECAD 6411 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0032 240 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS61NLP51236-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250B3I -
RFQ
 ECAD 3389 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S83200B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 8749 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS43LQ32256A-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32256A-062BLI-TR 19.8968
RFQ
 ECAD 5145 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168. 706-IS43LQ32256A-062BLI-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 8 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 32 Lvstl 18ns
IS21ES64G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES64G-JCLI -
RFQ
 ECAD 3318 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA IS21ES64 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 706-IS21ES64G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 мг NeleTUSHIй 512 Гит В.С. 64G x 8 EMMC -
IS61NLF51236B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236B-6.5TQLI 17.5600
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP Sram - Синроннн, ЗБТ 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 706-IS61NLF51236B-6.5TQLI 72 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS43R16160F-5BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5BI -
RFQ
 ECAD 7722 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 706-IS43R16160F-5BI Управо 242 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61LV6416-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10TL -
RFQ
 ECAD 3625 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV6416 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 135 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
IS42S86400B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 5611 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
IS61LV6416-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10TLI -
RFQ
 ECAD 8079 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV6416 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 135 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
IS43LR16160G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160G-6BL-TR 5.0544
RFQ
 ECAD 5657 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2000 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61NVP51236-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200B3-TR -
RFQ
 ECAD 3293 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVP51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS41LV16100B-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-50TLI-TR -
RFQ
 ECAD 4442 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS41LV16100 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S16160D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6TLI -
RFQ
 ECAD 2431 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS62WV102416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416DBLL-45TLI 11.1800
RFQ
 ECAD 9315 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62WV102416 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 45 м Шram 1m x 16 Парлель 45NS
IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR 15.6750
RFQ
 ECAD 8679 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS46LQ16128AL-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA2 -
RFQ
 ECAD 4289 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168. 706-IS46LQ16128AL-062BLA2 136 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS43DR81280C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBLI-TR 5.1914
RFQ
 ECAD 3636 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS25WP016D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JMLE-TR 0,8263
RFQ
 ECAD 5534 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS64WV10248BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248BLL-10CTLA3 16.3574
RFQ
 ECAD 8250 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS25LQ016-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016-JNLE -
RFQ
 ECAD 6488 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O 2 мс
IS62WV2568BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2568BLL-5555BLI 2.3481
RFQ
 ECAD 7157 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV2568 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 256K x 8 Парлель 55NS
IS43DR81280B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-3DBL-TR 4.3541
RFQ
 ECAD 6496 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS62WV6416DBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45TLI -
RFQ
 ECAD 4579 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV6416 SRAM - Асинров 2,3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168. DOSTISH Ear99 8542.32.0041 135 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 64K x 16 Парлель 45NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть