SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ На Pogruehenee На В конце
IS62WV25616EALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EALL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 8109 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Управо 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS46LD32128C-18BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128C-18BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 6254 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128C-18BPLA2-TR Ear99 8542.32.0036 1 533 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS61LV6416-10T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-10T -
RFQ
 ECAD 9389 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV6416 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 135 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 64K x 16 Парлель 10NS
IS61LF12836EC-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836EC-6.5TQLI 7.8683
RFQ
 ECAD 9494 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 мг Nestabilnый 4,5 мб 6,5 млн Шram 128K x 36 Парлель -
IS43TR85120B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBLI-TR 7.7140
RFQ
 ECAD 9865 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR85120B-125KBLI-TR 2000 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS61NLF102418-6.5B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5b3i -
RFQ
 ECAD 2885 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLF102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS62WV12816BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TI-TR -
RFQ
 ECAD 7901 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS49NLS18160-33WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-3333WBLI -
RFQ
 ECAD 5594 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 300 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 Парлель -
IS42S86400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TLI -
RFQ
 ECAD 5783 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
IS43QR16256B-083RBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBL 12.0800
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-BGA IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-BGA СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1733 Ear99 8542.32.0036 198 1,2 -е Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61WV10248EEBLL-10B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10B2LI 6.9125
RFQ
 ECAD 5145 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV10248EEBLL-10B2LI 480 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS42S16160D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7B-TR -
RFQ
 ECAD 4415 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS25WP256E-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256E-JLLE 4.0444
RFQ
 ECAD 5161 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP256E-JLLE 480 166 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS46R16160F-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-6TLA2 5.3646
RFQ
 ECAD 6088 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS49RL18320-125BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125BL -
RFQ
 ECAD 1413 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 168-lbga IS49RL18320 Ддрам 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 119 800 мг Nestabilnый 576 мб 12 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS25WP128F-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-RMLE-TR 2.0788
RFQ
 ECAD 1091 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP128F-RMLE-TR 1000 166 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS45VM16800H-75BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8284 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS43TR81024B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024B-107MBLI 22.8583
RFQ
 ECAD 9132 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR81024B-107MBLI 136 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS42SM32160C-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32160C-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7627 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42SM32160 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 90-WBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61QDPB42M36A2-550M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-550M3L -
RFQ
 ECAD 2551 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 SRAM - Quad Port, Синронн 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 мг Nestabilnый 72 мб Шram 2m x 36 Парлель -
IS61VF204836B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF204836B-7.5TQLI 123,9810
RFQ
 ECAD 8445 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VF204836 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 72 мб 7,5 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS61VVPS204818B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVPS204818B-166B3LI 139,9172
RFQ
 ECAD 1135 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VVPS204818 SRAM - Synchronous, SDR 1,71 В ~ 1,89 В. 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 166 мг Nestabilnый 36 мб 3,8 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS31FL3216A-QFLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3216A-QFLS2-TR -
RFQ
 ECAD 7164 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Пефер 28-wfqfn otkrыtai-anploщaudka Илинен IS31FL3216 - 28-QFN (4x4) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 20 май 16 В дар - 5,5 В. Шyr 2,7 В. -
IS43LR16160G-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160G-6BL 5.7300
RFQ
 ECAD 4544 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 300 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS46R16160D-6TLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160D-6TLA1-TR 5.6024
RFQ
 ECAD 8574 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS49NLS93200-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-25WBLI -
RFQ
 ECAD 6753 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS43R32800D-5BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800D-5BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1208 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 144-LFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
IS45S16400J-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6BLA1 4.2265
RFQ
 ECAD 7164 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS46TR16640B-15GBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-15GBLA2 -
RFQ
 ECAD 3279 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61NLP102418-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418-200B3LI-TR -
RFQ
 ECAD 2426 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 1m x 18 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список RFQ (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть