SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta Тела Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар МАКСИМАЛАНСКА ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS46TR16256AL-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA25 -
RFQ
ECAD 4967 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Управо -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16256AL-125KBLA25 Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS21TF16G-JQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JQLI 33 9200
RFQ
ECAD 8464 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-lbga IS21TF16G Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 100-LFBGA (14x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21TF16G-JQLI 3A991B1A 8542.32.0071 98 200 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 MMC -
IS43R86400D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-6BLI-TR 8.4600
RFQ
ECAD 9516 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS61QDPB41M36A-450M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A-450M3I -
RFQ
ECAD 3591 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB41 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 450 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS42S16400J-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-6TLI-TR 1.6792
RFQ
ECAD 8341 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS49RL36320-093EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-093EBLI 129.6426
RFQ
ECAD 4657 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL36320-093EBLI 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 1152 Гит 8 млн Ддрам 32 м х 36 Парлель -
IS61NLP6432A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP6432A-200TQLI-TR 5.4170
RFQ
ECAD 2530 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP6432 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 2 марта 3.1 м Шram 64K x 32 Парлель -
IS42S83200J-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200J-7TL 2.9802
RFQ
ECAD 8175 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S83200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 8 Парлель -
IS42VM32400G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32400G-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 9404 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32400 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR -
RFQ
ECAD 5809 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS65WV1288 SRAM - Синронн 2,2 В ~ 3,6 В. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3-TR Ear99 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 128K x 8 Парлель 55NS
IS62WV25616ECLL-35BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616ECLL-35BLI-TR 3.6351
RFQ
ECAD 1562 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS62WV25616ECLL-35BLI-TR 2500 Nestabilnый 4 марта 35 м Шram 256K x 16 Парлель 35NS
IS43TR16256AL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-107MBL-TR -
RFQ
ECAD 2524 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS43TR16512S2DL-107MBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512S2DL-107MBL 20.5636
RFQ
ECAD 3836 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LWBGA (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16512S2DL-107MBL 190 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS43R16160F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6BLI 5.5900
RFQ
ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 190 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS29GL064-70TLEB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL064-70TleB-TR 2.9898
RFQ
ECAD 4442 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS29GL064-70TleB-TR 1500 NeleTUSHIй 64 марта 70 млн В.С. 4m x 16 CFI 70NS
IS61NVP51236B-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236B-200B3I -
RFQ
ECAD 8705 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVP51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS43R16320E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6BLI 7.7144
RFQ
ECAD 2486 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42S16800F-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BLI-TR 2.4879
RFQ
ECAD 4731 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61WV25616FBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616FBLL-10TLI-TR 2.7265
RFQ
ECAD 8170 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV25616FBLL-10TLI-TR 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS61LF25636B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636B-7.5TQLI 13.7940
RFQ
ECAD 9496 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
IS46TR16128C-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA25 7.0633
RFQ
ECAD 4324 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16128C-125KBLA25 190 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61NVP204836B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-200TQLI-TR 103 7400
RFQ
ECAD 6710 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRA - MZBT 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61NVP204836B-200TQLI-TR 800 200 мг Nestabilnый 72 мб 3.1 м Шram 2m x 36 Парлель -
IS42S32160B-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BLI -
RFQ
ECAD 2177 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (13x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 144 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR 13.8630
RFQ
ECAD 7420 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS45VM16800H-75BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA1-TR -
RFQ
ECAD 3801 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS32AP2123-ZLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32AP2123-Zla3 -
RFQ
ECAD 3082 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 дюйма, 4,40 мм). Клас d - 1-канадский (моно) 4,5 n 24. 16-йssop СКАХАТА 3 (168 чASOW) 706-IS32AP2123-Zla3 96 24 yt x 1 @ 4omm
IS42S16160D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 3533 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42RM32800D-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BL-TR -
RFQ
ECAD 5905 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS46R16320D-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6BLA2-TR 11.2500
RFQ
ECAD 7530 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS62WV20488BLL-25MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2048888BLL-25MLI-TR 18.5250
RFQ
ECAD 8252 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV20488 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Шram 2m x 8 Парлель 25NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе