SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta Тела Випа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж МАКСИМАЛАНСКА ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 7656 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS25LX512M-JHA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHA3-TR -
RFQ
 ECAD 1490 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LX512M В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LX512M-JHA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS61LF102436A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102436A-7.5TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 7400 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF102436 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR -
RFQ
 ECAD 4830 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 96-BGA SDRAM - DDR3L - 96-BGA - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR 2000 800 мг Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель -
IS61DDB21M18A-300B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18A-300B4L 32.3796
RFQ
 ECAD 9363 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB21 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 144 300 мг Nestabilnый 18 марта Шram 1m x 18 Парлель -
IS42RM32800D-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BL-TR -
RFQ
 ECAD 5905 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS25LP032D-JTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JTLA3-TR 1.1525
RFQ
 ECAD 8519 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-udfn oTkrыtaiNA-anploщadka Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (4x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP032D-JTLA3-TR 5000 133 мг NeleTUSHIй 32 мб 7 млн В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS62C256-70U ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256-70U -
RFQ
 ECAD 9184 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-Sop IS62C256 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 28-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 25 Nestabilnый 256 70 млн Шram 32K x 8 Парлель 70NS
IS42S32160B-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4165 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (13x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS42S16320F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7TL-TR 10.1250
RFQ
 ECAD 5107 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS61QDB42M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB42M18C-250M3 -
RFQ
 ECAD 7464 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB42 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS25WP128F-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128F-JKLE-TR 1.9251
RFQ
 ECAD 6852 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 4500 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS61C5128AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AL-10TLI-TR 3.3088
RFQ
 ECAD 8114 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61C5128 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS45S32400F-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-6BLA2-TR 9.4050
RFQ
 ECAD 4088 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS46DR16640B-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA2 10.6309
RFQ
 ECAD 7583 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 209 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61QDB44M18A-300M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB44M18A-300M3L 74.4172
RFQ
 ECAD 6110 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB44 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 300 мг Nestabilnый 72 мб 8,4 млн Шram 4m x 18 Парлель -
IS42S32200E-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6BI-TR -
RFQ
 ECAD 6539 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43LR16320C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16320C-6BLI-TR 6.5100
RFQ
 ECAD 7351 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16320 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2000 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS61LV6416-8TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-8TL -
RFQ
 ECAD 5789 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV6416 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 135 Nestabilnый 1 март 8 млн Шram 64K x 16 Парлель 8ns
IS64LF102436B-7.5TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF102436B-7.5TQLA3 132.3258
RFQ
 ECAD 7589 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS64LF102436 SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS61LV5128AL-10K-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10K-TR -
RFQ
 ECAD 1301 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61LV5128 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 36-SOJ СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS64LPS25636A-166TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS25636A-166TQLA3 24.0718
RFQ
 ECAD 6359 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS64LPS25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 мг Nestabilnый 9 марта 3,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
IS43TR16512AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512AL-15HBLI -
RFQ
 ECAD 8777 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-LFBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 136 667 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS25LP128-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JKLE 2.4700
RFQ
 ECAD 17 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP128 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 570 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 1 мс
IS45S32400B-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-7BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6186 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS32AP2123-ZLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32AP2123-Zla3 -
RFQ
 ECAD 3082 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 дюйма, 4,40 мм). Клас d - 1-канадский (моно) 4,5 n 24. 16-йssop СКАХАТА 3 (168 чASOW) 706-IS32AP2123-Zla3 96 24 yt x 1 @ 4omm
IS46R16320D-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6BLA2-TR 11.2500
RFQ
 ECAD 7530 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS62WV20488BLL-25MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2048888BLL-25MLI-TR 18.5250
RFQ
 ECAD 8252 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV20488 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Шram 2m x 8 Парлель 25NS
IS41LV16100B-60TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60TL-TR -
RFQ
 ECAD 1751 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS41LV16100 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 30 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR 11.9035
RFQ
 ECAD 8248 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR 2500 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть