SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Фуевшии Baзowый nomer prodikta Тела Втипа Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар МАКСИМАЛАНСКА ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61LF25636B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF25636B-7.5TQLI 13.7940
RFQ
 ECAD 9496 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
IS46TR16128C-125KBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA25 7.0633
RFQ
 ECAD 4324 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16128C-125KBLA25 190 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61NVP204836B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP204836B-200TQLI-TR 103 7400
RFQ
 ECAD 6710 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP SRA - MZBT 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61NVP204836B-200TQLI-TR 800 200 мг Nestabilnый 72 мб 3.1 м Шram 2m x 36 Парлель -
IS42S32160B-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BLI -
RFQ
 ECAD 2177 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (13x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 144 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS63LV1024L-12H ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-12H -
RFQ
 ECAD 1060 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 234 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216EDBLL-10BLA3-TR 13.8630
RFQ
 ECAD 7420 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
IS61LF51236B-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236B-6.5TQLI-TR 15.0000
RFQ
 ECAD 6413 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS45VM16800H-75BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 3801 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61QDB41M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB41M36-250M3L -
RFQ
 ECAD 5697 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB41 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS32AP2123-ZLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32AP2123-Zla3 -
RFQ
 ECAD 3082 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 16-tssop (0,173 дюйма, 4,40 мм). Клас d - 1-канадский (моно) 4,5 n 24. 16-йssop СКАХАТА 3 (168 чASOW) 706-IS32AP2123-Zla3 96 24 yt x 1 @ 4omm
IS61QDB22M18-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M18-250M3 -
RFQ
 ECAD 2919 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDB22 Sram - Синронн, квадран 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS42S16160D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TLI-TR -
RFQ
 ECAD 3533 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42RM32800D-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BL-TR -
RFQ
 ECAD 5905 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS46R16320D-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6BLA2-TR 11.2500
RFQ
 ECAD 7530 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS62WV20488BLL-25MLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV2048888BLL-25MLI-TR 18.5250
RFQ
 ECAD 8252 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV20488 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Шram 2m x 8 Парлель 25NS
IS42S32160B-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4165 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (13x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS71LD32160WP128-3BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS71LD32160WP128-3BPLI -
RFQ
 ECAD 4013 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер - IS71LD32160 Flash - Nor, DRAM - LPDDR2 1,2 В, 1,8 В. 168-BGA - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Q9572210 3A991B1A 8542.32.0071 10 133 мг NeleTUSHIй, neStabilnый 128 мсбейт (vspышka), 512 мсбейт (DRAM) Flash, Ram - Парлель -
IS43DR16160A-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-37CBLI-TR -
RFQ
 ECAD 2203 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 266 мг Nestabilnый 256 мб 500 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS61DDB21M18A-300B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB21M18A-300B4L 32.3796
RFQ
 ECAD 9363 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB21 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 144 300 мг Nestabilnый 18 марта Шram 1m x 18 Парлель -
IS25LX512M-JHA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHA3-TR -
RFQ
 ECAD 1490 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LX512M В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LX512M-JHA3-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS42S16320F-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7TL-TR 10.1250
RFQ
 ECAD 5107 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236B-7.5TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 7656 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS25WP032A-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JLLE -
RFQ
 ECAD 1272 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP032 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS46DR16640B-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-3DBLA1 8.5436
RFQ
 ECAD 1793 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 209 333 мг Nestabilnый 1 Гит 450 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR -
RFQ
 ECAD 4830 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 96-BGA SDRAM - DDR3L - 96-BGA - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR 2000 800 мг Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель -
IS62WV5128BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-5555BLI 4.1765
RFQ
 ECAD 2330 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS42RM16160E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16160E-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 9248 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16160 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61WV6416BLL-12BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416BLL-12BLI-TR 1.8198
RFQ
 ECAD 6901 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV6416 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 64K x 16 Парлель 12NS
IS42S16160J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BLI 3.9100
RFQ
 ECAD 3 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 348 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42S16800D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-6B-TR -
RFQ
 ECAD 3335 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-VFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-минуя (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть