SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар Ток - ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ На Pogruehenee На В конце
IS46LQ32640A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640A-062BLA2 -
RFQ
 ECAD 4944 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32640A-062BLA2 136 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит Ддрам 64M x 32 Lvstl -
IS34MW02G084-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW02G084-BLI-TR 4.3621
RFQ
 ECAD 4179 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS34MW02G084-BLI-TR 2500 NeleTUSHIй 2 Гит 30 млн В.С. 256 м х 8 Парлель 45NS
IS61VPD51236A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD51236A-250B3 -
RFQ
 ECAD 5772 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS31FL3719-QFLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3719-QFLS4-TR -
RFQ
 ECAD 2943 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) О том, как Пефер 32-wfqfn otkrыtai-aip-o Илинен - 32-qfn (4x4) СКАХАТА 3 (168 чASOW) 2500 - 9 Не Пост вейн. Ток 5,5 В. I²C 2,7 В. -
IS25WX064-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX064-JHLA3 2.5760
RFQ
 ECAD 9562 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WX064 В.С. 1,7 В ~ 2 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WX064-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 200 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS25WQ020-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 9850 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WQ020-JBLE-TR 2000 104 мг NeleTUSHIй 2 марта 8 млн В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 25 мкс, 1 мс
IS25WP040E-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP040E-JBLE-TR 0,3889
RFQ
 ECAD 3193 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP040E-JBLE-TR 2000 104 мг NeleTUSHIй 4 марта 8 млн В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O, QPI 40 мкс, 1,2 мс
IS46TR16640C-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA25-TR -
RFQ
 ECAD 5165 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640C-125JBLA25-TR Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43R16320D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TL-TR 5.1123
RFQ
 ECAD 6886 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR16128D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBLI 5.1550
RFQ
 ECAD 2070 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1719 Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS49RL36320-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36320-107EBL 109.1224
RFQ
 ECAD 4558 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL36320-107EBL 119 933 мг Nestabilnый 1152 Гит 8 млн Ддрам 32 м х 36 Парлель -
IS43DR82560C-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-25DBL-TR 6.3808
RFQ
 ECAD 2362 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43DR82560C-25DBL-TR 2000 400 мг Nestabilnый 2 Гит 400 млн Ддрам 256 м х 8 SSTL_18 15NS
IS43TR16640ED-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640ED-15HBLI 5.8300
RFQ
 ECAD 6587 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16640ED-15HBLI 190 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 SSTL_15 15NS
IS25WJ064F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WJ064F-JBLE-TR 0,9320
RFQ
 ECAD 6199 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 -~ 2 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25WJ064F-JBLE-TR 2000 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 6 м В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1,6 мс
IS62WV5128EBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45BLI-TR 2.6189
RFQ
 ECAD 3451 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 45 м Шram 512K x 8 Парлель 45NS
IS46TR16128AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128AL-125KBLA1 -
RFQ
 ECAD 7204 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25LP256D-RGLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RLAL-TR -
RFQ
 ECAD 5263 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LP256 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 7 млн В.С. 32 м х 8 Серриал 800 мкс
IS42S16160G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-6BL-TR 3.5682
RFQ
 ECAD 8069 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS42SM32200K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32200K-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5920 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32200 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS62WV5128BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TI -
RFQ
 ECAD 6645 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 156 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS22TF16G-JQLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JQLA1-TR 25.4030
RFQ
 ECAD 5678 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-lbga Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 100-LFBGA (14x18) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF16G-JQLA1-TR 1000 200 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 EMMC_5.1 -
IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 12.8611
RFQ
 ECAD 6093 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 16 Lvstl 18ns
IS21TF16G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21TF16G-JCLI 33 7200
RFQ
 ECAD 107 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA IS21TF16G Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21TF16G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 MMC -
IS46LQ32640AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 9194 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32640AL-062BLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 64M x 32 Lvstl 18ns
IS25LP512MG-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MG-RMLE-TR 6.9200
RFQ
 ECAD 360 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 166 мг NeleTUSHIй 512 мб 5,5 млн В.С. 64 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS43TR85120B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120B-125KBLI 8.3085
RFQ
 ECAD 6531 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR85120B-125KBLI 242 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 512M x 8 Парлель 15NS
IS62WV12816BLL-55B2I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55B2I -
RFQ
 ECAD 9201 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS62WV12816BLL-55B2I Управо 480 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS42S32400F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7TL 4.6500
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1272 Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61NVP25672-200B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25672-200B1I -
RFQ
 ECAD 2985 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NVP25672 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS25LQ080B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JBLE -
RFQ
 ECAD 3862 0,00000000 Issi, ина - Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LQ080 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1329 Ear99 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть