SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS43TR16256A-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 6520 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61LV25616AL-10LQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10LQI-TR -
RFQ
 ECAD 6057 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-LQFP IS61LV25616 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-LQFP (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS25WP080D-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JBLE-TR 0,6025
RFQ
 ECAD 5785 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WP080 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS61WV51216EDALL-20BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDALL-20BLI 12.1000
RFQ
 ECAD 9506 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV51216 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 8 марта 20 млн Шram 512K x 16 Парлель 20ns
IS61LV12816L-10LQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12816L-10LQI -
RFQ
 ECAD 3301 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-LQFP IS61LV12816 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-LQFP (10x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 160 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS61WV204816ALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-10TLI -
RFQ
 ECAD 5990 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV204816 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 32 мб 10 млн Шram 2m x 16 Парлель 10NS
IS61NLP102418B-250B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-250B3L 19.2532
RFQ
 ECAD 8538 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS46TR16640A-15GBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640A-15GBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8407 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 667 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42S32800J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BL-TR 5.3250
RFQ
 ECAD 6045 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61WV102416FALL-20TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FALL-20TLI 9.5453
RFQ
 ECAD 7469 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV102416FALL-20TLI 96 Nestabilnый 16 марта 20 млн Шram 1m x 16 Парлель 20ns
IS45S16100H-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7TLA2-TR 2.4051
RFQ
 ECAD 9948 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS45S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS25LD040-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JKLE-TR -
RFQ
 ECAD 8299 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LD040 В.С. 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 100 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI 5 мс
IS42S16160D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1702 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43DR86400D-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400D-3DBLI 6.0805
RFQ
 ECAD 8535 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 242 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS46DR81280C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-25DBLA1-TR -
RFQ
 ECAD 6296 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS42VM32200K-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32200K-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 4154 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 64 марта 6 м Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S16800E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-6BL -
RFQ
 ECAD 7063 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS45S16320F-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7BLA1-TR 12.6600
RFQ
 ECAD 6158 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS62WV12816DBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45BLI -
RFQ
 ECAD 8645 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 2 марта 45 м Шram 128K x 16 Парлель 45NS
IS43R32160D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32160D-5BL-TR -
RFQ
 ECAD 4141 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-LFBGA IS43R32160 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 144-LFBGA (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 16m x 32 Парлель 15NS
IS42VM32800E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800E-75BLI -
RFQ
 ECAD 6111 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61QDPB24M18A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB24M18A-333M3L 100.1770
RFQ
 ECAD 6045 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB24 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 333 мг Nestabilnый 72 мб 8,4 млн Шram 4m x 18 Парлель -
IS61LV12824-10TQI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQI -
RFQ
 ECAD 5358 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LV12824 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 Nestabilnый 3 марта 10 млн Шram 128K x 24 Парлель 10NS
IS43R16320D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6TLI 8.3985
RFQ
 ECAD 7474 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS61NLF51236B-6.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236B-6.5TQLI 17.5600
RFQ
 ECAD 72 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP Sram - Синроннн, ЗБТ 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS61NLF51236B-6.5TQLI 72 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32160F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7TLI-TR 12.0000
RFQ
 ECAD 9351 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61LF51236A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-7.5TQI-TR -
RFQ
 ECAD 1606 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3,135 ЕГО 3,6 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S81600D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600D-6TL-TR -
RFQ
 ECAD 6785 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S81600 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 8 Парлель -
IS61LV25616AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10KLI -
RFQ
 ECAD 8389 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61LV25616 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 16 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS64WV51216BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10CTLA3 16.3574
RFQ
 ECAD 9852 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV51216 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 512K x 16 Парлель 10NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть