SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS25LQ020B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 3848 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LQ020 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 104 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS25WD020-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JNLE-TR -
RFQ
 ECAD 2259 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25WD020 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 80 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 3 мс
IS42S16800F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6BL-TR 2.2334
RFQ
 ECAD 5208 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61NLP102418B-200B3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-200B3L 15.7469
RFQ
 ECAD 1601 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS63LV1024-8KI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-8KI-TR -
RFQ
 ECAD 5264 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3,15 В ~ 3,45 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 800 Nestabilnый 1 март 8 млн Шram 128K x 8 Парлель 8ns
IS43TR16128B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128B-107MBLI -
RFQ
 ECAD 2772 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 2 Гит 195 ps Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS42S32800D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-6TLI-TR -
RFQ
 ECAD 6492 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61LPS25618A-200B2I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25618A-200B2I-TR -
RFQ
 ECAD 6044 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 119-BBGA IS61LPS25618 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 119-pbga (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 256K x 18 Парлель -
IS49NLC93200-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25WBLI -
RFQ
 ECAD 1258 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS42VM32800E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800E-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 1505 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61LV25616AL-10KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10KLI -
RFQ
 ECAD 8389 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61LV25616 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 16 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS43DR16160B-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-37CBLI-TR 3.9938
RFQ
 ECAD 8610 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 266 мг Nestabilnый 256 мб 500 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVC4M16ECLL-7010BLI-TR 4.2932
RFQ
 ECAD 9029 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 54-VFBGA IS66WVC4M16 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 54-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 64 марта 70 млн Псром 4m x 16 Парлель 70NS
IS45VM16800H-75BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45VM16800H-75BLA1 -
RFQ
 ECAD 9311 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS42S32400F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6TL 4.2963
RFQ
 ECAD 4896 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61WV10248BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248BLL-10MLI 13.5201
RFQ
 ECAD 4997 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 210 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS42S32800J-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7TLI-TR 5.6329
RFQ
 ECAD 8740 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS46LR32160C-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR32160C-6BLA1 10.4878
RFQ
 ECAD 6904 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS46LR32160 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 240 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель 12NS
IS61NVP25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP25636A-200TQLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 4341 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVP25636 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS63WV1024BLL-12HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12HLI 1.8965
RFQ
 ECAD 5670 0,00000000 Issi, ина - Поднос Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS63WV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 234 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS25WQ020-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ020-JKLE -
RFQ
 ECAD 2444 0,00000000 Issi, ина - Трубка Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WQ020 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 570 104 мг NeleTUSHIй 2 марта В.С. 256K x 8 SPI 1 мс
IS45S16400F-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA2 -
RFQ
 ECAD 3416 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61LPS51236A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200B3LI -
RFQ
 ECAD 1667 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS25LQ025B-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ025B-JBLE -
RFQ
 ECAD 3880 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LQ025 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1326 Ear99 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 256 В.С. 32K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS25WP016-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 3420 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI 800 мкс
IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EDBLL-10CTLA3-TR 6 8508
RFQ
 ECAD 4351 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS43R86400D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5BL-TR 7,5000
RFQ
 ECAD 8668 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R86400 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS42S32800B-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7B-TR -
RFQ
 ECAD 8739 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS62WV5128BLL-55HI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55HI -
RFQ
 ECAD 8909 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 234 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS41LV16105D-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105D-50TLI-TR 5.3797
RFQ
 ECAD 1138 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Активна -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50-тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм), 44 Свина IS41LV16105 DRAM - FP 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть