SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ На Pogruehenee На В конце
IS42S86400D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400D-7TLI-TR 13.5300
RFQ
 ECAD 1205 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S86400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 64 м х 8 Парлель -
IS49NLC36160A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160A-25EWBLI 54 4856
RFQ
 ECAD 6084 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC36160A-25EWBLI 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 16m x 36 HSTL -
IS42S16160J-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6TL 2.9622
RFQ
 ECAD 1797 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS25LQ512B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JNLE -
RFQ
 ECAD 6270 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1325 Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS49NLC96400A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-25WBLI 51.8860
RFQ
 ECAD 6386 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC96400A-25WBLI 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 64M x 9 HSTL -
IS66WV51216DBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216DBLL-5555BLI-TR -
RFQ
 ECAD 9320 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 55 м Псром 512K x 16 Парлель 55NS
IS31LT3910-GRLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3910-GRLS2-TR -
RFQ
 ECAD 5261 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Подцетка Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) DC DC Controller IS31LT3910 - 8-Sop - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 - 1 Не UniversitteTTeTTeTTET (DOLLARR) 450 Аналог, Pwm 8в -
IS61WV10248BLL-10MLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248BLL-10MLI 13.5201
RFQ
 ECAD 4997 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 210 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS25LP01G-RILA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP01G-RILA3-TR 12.3291
RFQ
 ECAD 1835 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 24-lbga Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 24-LFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP01G-RILA3-TR 2500 133 мг NeleTUSHIй 1 Гит 8 млн В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 1 мс
IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV5128EDBLL-10BLA3-TR 7,5000
RFQ
 ECAD 5923 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA IS64WV5128 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS43DR86400E-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-3DBLI-TR 4.7347
RFQ
 ECAD 2036 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2000 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS42S32400D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-7B-TR -
RFQ
 ECAD 1839 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS63LV1024L-10HL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10HL -
RFQ
 ECAD 2494 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 234 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
IS61LF51236A-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3-TR -
RFQ
 ECAD 4948 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LF51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS45S16800F-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800F-7TLA1 4.2419
RFQ
 ECAD 4386 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61VPS51236A-200B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200B3 -
RFQ
 ECAD 8169 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS43TR81280BL-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125JBLI-TR -
RFQ
 ECAD 4124 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS42S32800B-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7T-TR -
RFQ
 ECAD 3102 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS46DR16320E-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA2 5.8923
RFQ
 ECAD 2259 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR16640B-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640B-125KBLI-TR -
RFQ
 ECAD 5136 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61LV2568L-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-10KLI-TR -
RFQ
 ECAD 8715 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS61LV2568 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 36-SOJ СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 256K x 8 Парлель 10NS
IS63LV1024-8KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-8KL-TR -
RFQ
 ECAD 2079 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 800 Nestabilnый 1 март 8 млн Шram 128K x 8 Парлель 8ns
IS61WV102416FBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-8TLI-TR 10.0200
RFQ
 ECAD 4794 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV102416 Sram - dvoйnoй port 2,4 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 16 марта 8 млн Шram 1m x 16 Парлель 8ns
IS46TR16256B-107MBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-107MBLA2-TR 9.2887
RFQ
 ECAD 2650 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46TR16256B-107MBLA2-TR 1500 933 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS46TR16640CL-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640CL-125JBLA2 4.1436
RFQ
 ECAD 8859 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16640CL-125JBLA2 Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43LR32320B-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-5BLI -
RFQ
 ECAD 3659 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS43LR32320 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 240 200 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 32 м x 32 Парлель 15NS
IS42S32800D-75EBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EBI -
RFQ
 ECAD 5644 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS46LQ32256A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32256A-062BLA2 24.8268
RFQ
 ECAD 5507 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32256A-062BLA2 136 1,6 -е Nestabilnый 8 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 32 Lvstl 18ns
IS25LQ010B-JKLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JKLE -
RFQ
 ECAD 4456 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LQ010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1321 Ear99 8542.32.0071 570 104 мг NeleTUSHIй 1 март В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS43DR16128A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128A-3DBLI-TR -
RFQ
 ECAD 6618 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-LFBGA IS43DR16128 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-LFBGA (10,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 333 мг Nestabilnый 2 Гит 450 с Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть