SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS25LQ080-JNLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080-JNLE-TR -
RFQ
 ECAD 2085 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ080 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3000 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS43R16320D-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5TLI 8.3656
RFQ
 ECAD 3870 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,5 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS61VVF409618B-7.5TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VVF409618B-7.5TQL 142.2603
RFQ
 ECAD 7785 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VVF409618 SRAM - Synchronous, SDR 1,71 В ~ 1,89 В. 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 72 мб 7,5 млн Шram 4m x 18 Парлель -
IS43TR16128A-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128A-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 2042 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS42VM16160D-8BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16160D-8BLI-TR -
RFQ
 ECAD 3587 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16160 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 125 мг Nestabilnый 256 мб 6 м Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43QR81024A-075VBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-075VBLI 20.0067
RFQ
 ECAD 4622 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 78-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43QR81024A-075VBLI 136 1 333 г Nestabilnый 8 Гит 18 млн Ддрам 1G x 8 Парлель 15NS
IS42S32160F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7TLI-TR 12.0000
RFQ
 ECAD 9351 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61QDP2B44M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B44M18A-400M3L 100.1770
RFQ
 ECAD 6065 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDP2 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 мг Nestabilnый 72 мб 8,4 млн Шram 4m x 18 Парлель -
IS42S16100F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7BLI -
RFQ
 ECAD 6205 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS66WVE2M16EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVE2M16EBLL-55BLI -
RFQ
 ECAD 9294 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WVE2M16 PSRAM (Psewdo sram) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 32 мб 55 м Псром 2m x 16 Парлель 55NS
IS64WV12816EDBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV12816EDBLL-10CTLA3-TR 5.0336
RFQ
 ECAD 8312 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV12816 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 2 марта 10 млн Шram 128K x 16 Парлель 10NS
IS42S16800D-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-7TI -
RFQ
 ECAD 4208 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS42VM32800E-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM32800E-6BLI -
RFQ
 ECAD 8084 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42VM32800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS25LQ512B-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JULE-TR -
RFQ
 ECAD 5781 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 5000 104 мг NeleTUSHIй 512 В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS43TR16256A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-15HBLI-TR -
RFQ
 ECAD 3798 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS46LQ16128AL-062BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062BLA2-TR -
RFQ
 ECAD 1942 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16128AL-062BLA2-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS42RM32100D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32100D-6BLI-TR 2.4320
RFQ
 ECAD 7979 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32100 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 32 мб 5,5 млн Ддрам 1m x 32 Парлель -
IS25WQ080-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ080-JBLE -
RFQ
 ECAD 9031 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WQ080 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 90 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI 700 мкс
IS42S32200C1-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7TLI -
RFQ
 ECAD 6228 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42SM16200C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16200C-75BLI -
RFQ
 ECAD 2528 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16200 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 133 мг Nestabilnый 32 мб 6 м Ддрам 2m x 16 Парлель -
IS49NLS18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BI -
RFQ
 ECAD 4395 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLS18160 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 300 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 16m x 18 Парлель -
IS42S16100C1-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 8672 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть