SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В приземлении Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS49NLC96400A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400A-18WBL 52.0065
RFQ
 ECAD 8723 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC96400A-18WBL 104 533 мг Nestabilnый 576 мб 15 млн Ддрам 64M x 9 HSTL -
IS43TR16640BL-125JBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125JBLI -
RFQ
 ECAD 3830 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 190 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR16512BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512BL-125KBL-TR 17.7555
RFQ
 ECAD 7740 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16512BL-125KBL-TR 2000 800 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS46TR16256AL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-15HBLA1 -
RFQ
 ECAD 3553 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS25WP256D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JMLE 5.3900
RFQ
 ECAD 263 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25WP256 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 104 мг NeleTUSHIй 256 мб В.С. 32 м х 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS64WV25616EDBLL-10BA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV25616EDBLL-10BA3 -
RFQ
 ECAD 9888 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS64WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS25WP064A-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JMLE -
RFQ
 ECAD 9518 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25WP064 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS42S16100C1-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-5TL -
RFQ
 ECAD 1225 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 200 мг Nestabilnый 16 марта 5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61NLP102436B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102436B-200TQLI-TR 69 6500
RFQ
 ECAD 2715 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP102436 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 36 мб 3.1 м Шram 1m x 36 Парлель -
IS22TF16G-JCLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JCLA1-TR 25.1370
RFQ
 ECAD 6117 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA Flash - nand (TLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS22TF16G-JCLA1-TR 2000 200 мг NeleTUSHIй 128 Гит В.С. 16G x 8 EMMC_5.1 -
IS43LR32100D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100D-6BL-TR 2.6516
RFQ
 ECAD 9540 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32100 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 32 мб 5,5 млн Ддрам 1m x 32 Парлель 15NS
IS34MW02G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW02G084-TLI 6 8500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34MW02 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1637 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 2 Гит 45 м В.С. 256 м х 8 Парлель 45NS
IS43TR16128DL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBL-TR 4.3745
RFQ
 ECAD 3701 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16128DL-107MBL-TR 1500 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS46R16160F-5TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16160F-5TLA1 4.5028
RFQ
 ECAD 9585 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS43LR16200D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200D-6BL 2.6732
RFQ
 ECAD 6198 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43LR16200 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 60-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 32 мб 5,5 млн Ддрам 2m x 16 Парлель 15NS
IS42S32800J-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-7BLI 7.8300
RFQ
 ECAD 2 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS46TR16256AL-125KBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA25-TR -
RFQ
 ECAD 4583 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 115 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46TR16256AL-125KBLA25-TR Ear99 8542.32.0036 1500 800 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS63LV1024-12J ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12J -
RFQ
 ECAD 1404 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,300 ", шIRINA 7,62 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 22 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS29GL032-70BLED ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL032-70BLE 2.7864
RFQ
 ECAD 1313 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA Flash - нет (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS29GL032-70BLE 480 NeleTUSHIй 32 мб 70 млн В.С. 2m x 16 CFI 70NS
IS61LV256AL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV256AL-10TLI-TR 1.0839
RFQ
 ECAD 6350 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28-tssop (0,465 ", ширина 11,80 мм) IS61LV256 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 28-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 256 10 млн Шram 32K x 8 Парлель 10NS
IS43LD16128C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128C-25BLI-TR -
RFQ
 ECAD 6441 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LD16128C-25BLI-TR 2000 400 мг Nestabilnый 2 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 16 HSUL_12 15NS
IS43QR16256A-093PBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBLI-TR -
RFQ
 ECAD 1601 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM - DDR4 1,14 n 1,26 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 1 066 ГОГ Nestabilnый 4 Гит Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS62WV12816BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TLI 2.6700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS45S16100C1-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100C1-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 2089 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS45S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 117 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61VPS102418A-250TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-250TQL-TR -
RFQ
 ECAD 4781 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS42S16320D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6BL-TR 12.7950
RFQ
 ECAD 4200 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS34ML04G081-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML04G081-TLI 11,7000
RFQ
 ECAD 8 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34ML04 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1634 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 4 Гит 25 млн В.С. 512M x 8 Парлель 25NS
IS49NLC36800A-25WBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-25WBLI 30.5534
RFQ
 ECAD 1005 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-TWBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49NLC36800A-25WBLI 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 8m x 36 HSTL -
IS61DDP2B44M18A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDP2B44M18A-400M3L 100.1770
RFQ
 ECAD 2889 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDP2 SRAM - Synchronous, DDR IIP 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 105 400 мг Nestabilnый 72 мб Шram 4m x 18 Парлель -
IS25WE01G-RILE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE01G-RILE 12.5055
RFQ
 ECAD 2855 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-lbga Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-LFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WE01G-RILE 480 104 мг NeleTUSHIй 1 Гит 10 млн В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 2 мс
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть