SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ На Pogruehenee На В конце
IS41C16105C-50KLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41C16105C-50 Кли -
RFQ
 ECAD 6552 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 42-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS41C16105 DRAM - FP 4,5 n 5,5. 42-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 16 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61LV2568L-8TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-8TL-TR -
RFQ
 ECAD 9160 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61LV2568 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 2 марта 8 млн Шram 256K x 8 Парлель 8ns
IS25LP016D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP016D-JLLE 0,8679
RFQ
 ECAD 8108 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25LP016 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LP016D-JLLE Ear99 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS42S16800F-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-5TLI-TR 3.9209
RFQ
 ECAD 6687 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 200 мг Nestabilnый 128 мб 5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS62WV5128BLL-55QLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55QLI-TR 3.6397
RFQ
 ECAD 5988 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) IS62WV5128 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 32-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 512K x 8 Парлель 55NS
IS43TR82560B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560B-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 6165 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR82560B-125KBL-TR Ear99 8542.32.0036 2000 800 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is66wvs4m8all-104nli-tr 2.3566
RFQ
 ECAD 2349 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PSRAM (Psewdo sram) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR 3000 104 мг Nestabilnый 32 мб 7 млн Псром 4m x 8 SPI, QPI -
IS62WV25616DALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TLI-TR -
RFQ
 ECAD 5771 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS61NVF51236-6.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF51236-6.5b3-tr -
RFQ
 ECAD 9019 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVF51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS61LPD51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3I-TR -
RFQ
 ECAD 9092 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 3.135V ~ 3.465V 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS25LD040-JVLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LD040-JVLE-TR -
RFQ
 ECAD 8308 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LD040 В.С. 2,3 В ~ 3,6 В. 8-VVSOP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 3500 100 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI 5 мс
IS49NLC18320-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-25B -
RFQ
 ECAD 5005 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC18320 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 32 м х 18 Парлель -
IS43LR32800G-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32800G-6BLI 6.3864
RFQ
 ECAD 6355 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS43LR32800 SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
IS42S16160B-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160B-7BL-TR -
RFQ
 ECAD 6247 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-LFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61QDPB42M36A-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A-500B4L 111.7063
RFQ
 ECAD 1500 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 мг Nestabilnый 72 мб 8,4 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR 10.5203
RFQ
 ECAD 7306 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16128AL-062TBLA2-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS34ML02G081-BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G081-BLI-TR 4.3621
RFQ
 ECAD 8907 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 63-VFBGA Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 63-VFBGA (9x11) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS34ML02G081-BLI-TR 2500 NeleTUSHIй 2 Гит 20 млн В.С. 256 м х 8 Парлель 25NS
IS25LQ010B-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ010B-JNLE -
RFQ
 ECAD 4301 0,00000000 Issi, ина - МАССА Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ010 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1322 Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 1 март В.С. 128K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS43TR16640BL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640BL-125KBL-TR -
RFQ
 ECAD 1743 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16640BL-125KBL-TR Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS49NLC96400-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC96400-25BLI -
RFQ
 ECAD 1412 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC96400 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 104 400 мг Nestabilnый 576 мб 20 млн Ддрам 64M x 9 Парлель -
IS46TR16256A-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256A-15HBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 9203 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 1500 667 мг Nestabilnый 4 Гит 20 млн Ддрам 256 м x 16 Парлель 15NS
IS61NVF25672-6.5B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVF25672-6.5b1i -
RFQ
 ECAD 3918 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NVF25672 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 256K x 72 Парлель -
IS61WV10248EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EEBLL-10TLI 7.2875
RFQ
 ECAD 9846 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV10248EEBLL-10TLI 135 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS46LD32128A-25BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128A-25BPLA2-TR -
RFQ
 ECAD 8671 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 168-VFBGA IS46LD32128 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 n 1,3,, 1,7 -1,95 168-VFBGA (12x12) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS46LD32128A-25BPLA2-TR Управо 1 400 мг Nestabilnый 4 Гит 5,5 млн Ддрам 128m x 32 HSUL_12 15NS
IS29GL256-70DLEB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL256-70DLEB 6 9600
RFQ
 ECAD 263 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-lbga IS29GL256 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 64-LFBGA (9x9) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS29GL256-70DLEB 3A991B1A 8542.32.0071 260 NeleTUSHIй 256 мб 70 млн В.С. 32 м х 8 Парлель 200 мкс
IS46R16320D-6TLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-6TLA2 11.0031
RFQ
 ECAD 6109 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS46R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS62WV12816BLL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55BI-TR -
RFQ
 ECAD 1855 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS42RM32800D-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800D-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 5387 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 3 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 133 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS43LQ16128A-062BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128A-062BLI-TR -
RFQ
 ECAD 7431 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LQ16128A-062BLI-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS31LT3173-GRLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31LT3173-GRLS2-TR -
RFQ
 ECAD 4279 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Ох Пефер 8 SOIC (0,154 д.Ма, Ирина 3,90 мм). Илинен IS31LT3173 - 8-Sop-Ep СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 200 май 1 В дар - 5,5 В. Шyr 2,5 В. 42
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть