SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61NLP25636A-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B3LI 15.5879
RFQ
 ECAD 9730 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLP25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS25WQ040-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WQ040-JULE-TR 0,2500
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka IS25WQ040 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Uson (2x3) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DoStiчsh и napormaцiю, dostupnuюpo зaprosue Ear99 8542.32.0071 1 104 мг NeleTUSHIй 4 марта В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS61VPS102436B-166B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-166B3LI 87.0000
RFQ
 ECAD 4199 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS102436 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 166 мг Nestabilnый 36 мб 3,5 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS42S16800F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-6TLI 2.5379
RFQ
 ECAD 8874 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61C5128AS-25QLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25QLI 4,5000
RFQ
 ECAD 999 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-SOIC (0,445 ", шIRINA 11,30 мм) IS61C5128 SRAM - Асинров 4,5 n 5,5. 32-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 Nestabilnый 4 марта 25 млн Шram 512K x 8 Парлель 25NS
IS46DR16640B-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16640B-25DBLA1 8.9157
RFQ
 ECAD 3449 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16640 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 209 400 мг Nestabilnый 1 Гит 400 с Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42S16320F-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6TL 11.1649
RFQ
 ECAD 7691 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS43TR81280C-125JBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280C-125JBLI-TR 3.4178
RFQ
 ECAD 1087 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR81280C-125JBLI-TR 2000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS43R32800B-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32800B-5BL-TR -
RFQ
 ECAD 4094 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-LFBGA IS43R32800 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 144-минуя (12x12) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 8m x 32 Парлель 15NS
IS43LR32320C-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320C-5BLI 8.9852
RFQ
 ECAD 2599 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR 1,7 В ~ 1,95 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LR32320C-5BLI 240 208 мг Nestabilnый 1 Гит 5 млн Ддрам 32 м x 32 Парлель 14.4ns
IS61LPS12836A-250TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-250TQL 8.3815
RFQ
 ECAD 1366 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 250 мг Nestabilnый 4,5 мб 2,6 м Шram 128K x 36 Парлель -
IS42SM16160D-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160D-7BLI-TR -
RFQ
 ECAD 3526 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16160 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS49NLC93200-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200-25BL -
RFQ
 ECAD 7720 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC93200 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 400 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 32 м х 9 Парлель -
IS45S16160J-7CTLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7CTLA2 5.6109
RFQ
 ECAD 2256 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS45S32200L-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-6BLA1-TR 4.8260
RFQ
 ECAD 5207 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF102436B-7.5TQLA3-TR 116.5500
RFQ
 ECAD 3458 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS64LF102436 SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS61DDB42M18-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M18-250M3 -
RFQ
 ECAD 7712 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61DDB42 SRAM - Synchronous, DDR II 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 мг Nestabilnый 36 мб 5,85 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS62LV256-70U ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256-70U -
RFQ
 ECAD 6944 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 28-Sop IS62LV256 SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 28-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 25 Nestabilnый 256 70 млн Шram 32K x 8 Парлель 70NS
IS29GL128-70FLEB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29GL128-70FLEB-TR 4.5047
RFQ
 ECAD 3464 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 64-lbga Flash - нет (SLC) 3 В ~ 3,6 В. 64-LFBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS29GL128-70FLEB-TR 2000 NeleTUSHIй 128 мб 70 млн В.С. 16m x 8 CFI 70NS, 200 мкс
IS45S32200E-6TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-6TLA1 -
RFQ
 ECAD 2701 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S16800F-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800F-7TLI-TR 2.2538
RFQ
 ECAD 6321 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS63LV1024L-10HL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10HL-TR -
RFQ
 ECAD 4041 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 2000 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
IS42S16100C1-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7TL-TR -
RFQ
 ECAD 7497 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61LPS51236A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS51236A-200B3-TR -
RFQ
 ECAD 7366 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS43LD32320D-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320D-18BLI 9.5600
RFQ
 ECAD 2811 0,00000000 Issi, ина * Поднос Актифен - Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LD32320D-18BLI 171
IS43TR16128DL-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBLI 6.6300
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1723 Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS61VPS51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 4370 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS66WV51216EBLL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70BLI 2.6973
RFQ
 ECAD 9806 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (Psewdo sram) 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 480 Nestabilnый 8 марта 70 млн Псром 512K x 16 Парлель 70NS
IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR 9.0440
RFQ
 ECAD 4756 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS65WV102416EBLL-55BLA3-TR 2500 Nestabilnый 16 марта 55 м Шram 1m x 16 Парлель 55NS
IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102436A-7.5TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 8557 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF102436 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 1m x 36 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть