SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS42S16160D-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7TL -
RFQ
 ECAD 2753 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS61VPS51236A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3I-TR -
RFQ
 ECAD 2959 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS43TR16128D-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-107MBLI 5.1550
RFQ
 ECAD 2070 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1719 Ear99 8542.32.0036 190 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS25LX512M-JHLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX512M-JHLE 7.3874
RFQ
 ECAD 6281 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25LX512M В.С. 2,7 В ~ 3,6 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LX512M-JHLE 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 мг NeleTUSHIй 512 мб В.С. 64 м х 8 Spi - ВОСИМИВОД/ВВОД -
IS25WP128-JMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JMLE-TY -
RFQ
 ECAD 6659 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) Flash - нет (SLC) 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WP128-JMLE-TY 176 133 мг NeleTUSHIй 128 мб 7 млн В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS25WP016D-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP016D-JKLE-TR 0,8067
RFQ
 ECAD 4323 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS25WP016 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8-Wson (6x5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 4500 133 мг NeleTUSHIй 16 марта В.С. 2m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS61WV102416FBLL-8BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-8BLI 9.7363
RFQ
 ECAD 1319 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV102416FBLL-8BLI 480 Nestabilnый 16 марта 8 млн Шram 1m x 16 Парлель 8ns
IS46DR16320D-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-3DBLA1 6.4315
RFQ
 ECAD 4911 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 209 333 мг Nestabilnый 512 мб 450 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS46TR16128B-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-15HBLA2 -
RFQ
 ECAD 5762 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 190 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS42S16160D-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-7BI -
RFQ
 ECAD 4213 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43TR16512B-107MBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-107MBLI 21.2818
RFQ
 ECAD 9274 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 96-TWBGA (10x14) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR16512B-107MBLI 136 933 мг Nestabilnый 8 Гит 20 млн Ддрам 512M x 16 Парлель 15NS
IS62WV51216ALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216ALL-70BLI 7.1992
RFQ
 ECAD 9435 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV51216 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (7,2x8,7) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 312 Nestabilnый 8 марта 70 млн Шram 512K x 16 Парлель 70NS
IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR 116.5500
RFQ
 ECAD 4916 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS64LF204818 SRAM - Асинров 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 мг Nestabilnый 36 мб 7,5 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS21ES32G-JCLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES32G-JCLI -
RFQ
 ECAD 9123 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 153-VFBGA IS21ES32 Flash - nand (MLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 153-VFBGA (11,5x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS21ES32G-JCLI 3A991B1A 8542.32.0071 152 200 мг NeleTUSHIй 256 Гит В.С. 32G x 8 EMMC -
IS61LV25616AL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV25616AL-10BLI 5.2700
RFQ
 ECAD 393 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61LV25616 SRAM - Асинров 3,135 ЕГО 3,6 В. 48-TFBGA (8x10) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 220 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS62WV1288FBLL-45HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV1288FBLL-45HLI 1.7723
RFQ
 ECAD 1543 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS62WV1288 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 234 Nestabilnый 1 март 45 м Шram 128K x 8 Парлель 45NS
IS41LV16100D-50TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100D-50TLI-TR 5.4502
RFQ
 ECAD 2356 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50-тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм), 44 Свина IS41LV16100 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61LPD51236A-250B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3LI 20.9750
RFQ
 ECAD 2754 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPD51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42VM16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800G-6BLI-TR -
RFQ
 ECAD 9058 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61NVP51236-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 5817 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVP51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32800D-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7BLI -
RFQ
 ECAD 5268 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS45S32400F-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7TLA1 5.7340
RFQ
 ECAD 2238 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 108 143 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61LPS25636B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636B-200TQLI-TR 11.4000
RFQ
 ECAD 9806 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS25WE01G-RILE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE01G-RILE 12.5055
RFQ
 ECAD 2855 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-lbga Flash - нет (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-LFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25WE01G-RILE 480 104 мг NeleTUSHIй 1 Гит 10 млн В.С. 128m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 50 мкс, 2 мс
IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EFBLL-45BLI-TR 4.6281
RFQ
 ECAD 6802 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-VFBGA IS62WV51216 SRAM - Асинров 2,2 В ~ 3,6 В. 48-VFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 8 марта 45 м Шram 512K x 16 Парлель 55NS
IS25LQ080B-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ080B-JBLE-TR -
RFQ
 ECAD 9400 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25LQ080 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 2000 104 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O 1 мс
IS42S32160A-75BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75BL -
RFQ
 ECAD 9680 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-LFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1061 Ear99 8542.32.0024 144 133 мг Nestabilnый 512 мб 6 м Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS25LQ020B-JULE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JULE -
RFQ
 ECAD 5860 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka IS25LQ020 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LQ020B-JULETR Ear99 8542.32.0071 5000 104 мг NeleTUSHIй 2 марта 8 млн В.С. 256K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS43LD16640A-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-25BL -
RFQ
 ECAD 9054 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно 0 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1354 Ear99 8542.32.0002 171 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS42SM32400G-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32400G-75BLI -
RFQ
 ECAD 1200 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42SM32400 Сдрам - Мобилнг 2,7 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 133 мг Nestabilnый 128 мб 6 м Ддрам 4m x 32 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть