SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS42S32160B-75TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TLI -
RFQ
 ECAD 5177 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 144 133 мг Nestabilnый 512 мб 5,5 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS42S32800G-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BLI 7.8889
RFQ
 ECAD 5734 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 240 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 32 Парлель -
IS61VPS102436B-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250TQLI-TR 87.8500
RFQ
 ECAD 6611 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS102436 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 мг Nestabilnый 36 мб 2,8 млн Шram 1m x 36 Парлель -
IS42VM16200C-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16200C-75BLI-TR -
RFQ
 ECAD 8564 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16200 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 32 мб 6 м Ддрам 2m x 16 Парлель -
IS43R16320E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-6TLI-TR 6.3636
RFQ
 ECAD 4004 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS61NLP204818B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204818B-200TQLI-TR 74.6250
RFQ
 ECAD 5525 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 36 мб 3.1 м Шram 2m x 18 Парлель -
IS43TR82560DL-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560DL-107MBL-TR 4.1340
RFQ
 ECAD 6752 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43TR82560DL-107MBL-TR 2000 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS25LQ512B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ512B-JVLE -
RFQ
 ECAD 4734 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25LQ512 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 8-VVSOP - Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS25LQ512B-JVLE Ear99 8542.32.0071 100 104 мг NeleTUSHIй 512 8 млн В.С. 64K x 8 SPI - Quad I/O 800 мкс
IS66WVQ4M4DALL-200BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVQ4M4DALL-200BLI 3.4400
RFQ
 ECAD 480 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS66WVQ4M4 PSRAM (Psewdo sram) 1,7 В ~ 1,95 В. 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS66WVQ4M4DALL-200BLI 3A991B2A 8542.32.0041 480 200 мг Nestabilnый 16 марта Псром 4m x 4 SPI - Quad I/O 40ns
IS61WV10248EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV10248EDBLL-10TLI-TR 10.2585
RFQ
 ECAD 6309 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS37SML01G1-LLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS37SML01G1-LLI 4.0752
RFQ
 ECAD 9803 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 85 ° C. Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o IS37SML01 Flash - nand (SLC) 2,7 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 480 104 мг NeleTUSHIй 1 Гит 8 млн В.С. 128m x 8 SPI -
IS43R16800E-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800E-6TL-TR 2.1360
RFQ
 ECAD 6934 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS43R16800 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 166 мг Nestabilnый 128 мб 700 с Ддрам 8m x 16 Парлель 12NS
IS43TR82560C-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560C-15HBLI-TR 5.7744
RFQ
 ECAD 9816 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS43R86400E-5TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-5TL -
RFQ
 ECAD 3925 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширин 10,16 мм) SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43R86400E-5TL 108 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 64 м х 8 SSTL_2 15NS
IS45S32200L-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7TLA2-TR 4.4516
RFQ
 ECAD 4715 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 86-tfsop (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 86-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43DR86400E-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400E-25DBL 3.6400
RFQ
 ECAD 868 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1558 Ear99 8542.32.0028 242 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 64 м х 8 Парлель 15NS
IS25WP064-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064-JBLE -
RFQ
 ECAD 3176 0,00000000 Issi, ина - Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WP064 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1442 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 7 млн В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS42S32400F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BL-TR 4.6129
RFQ
 ECAD 1205 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR 8.5785
RFQ
 ECAD 7042 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV102416FBLL-10B2LI-TR 2500 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS34MW02G084-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34MW02G084-TLI 6 8500
RFQ
 ECAD 1 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS34MW02 Flash - nand (SLC) 1,7 В ~ 1,95 В. 48 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1637 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 2 Гит 45 м В.С. 256 м х 8 Парлель 45NS
IS25LP128F-JLLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128F-JLLA3-TR 2.2238
RFQ
 ECAD 5087 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 8-wdfn otkrыtaina-o Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Wson (8x6) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS25LP128F-JLLA3-TR 4000 166 мг NeleTUSHIй 128 мб 6,5 млн В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 40 мкс, 800 мкс
IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EDBLL-10BLI-TR 3.0281
RFQ
 ECAD 8859 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS61WV25616 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 256K x 16 Парлель 10NS
IS42S16320B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-6TLI -
RFQ
 ECAD 5904 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS65WV12816BLL-55TLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV12816BLL-55TLA3-TR 4.1685
RFQ
 ECAD 7668 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS65WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS42S16160D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-6TL -
RFQ
 ECAD 6365 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS63LV1024-12KL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024-12KL-TR -
RFQ
 ECAD 9656 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 32-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS63LV1024 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 32-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2B 8542.32.0041 800 Nestabilnый 1 март 12 млн Шram 128K x 8 Парлель 12NS
IS42S32160F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7BL-TR 11.2050
RFQ
 ECAD 6647 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS61NLP204818A-166TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204818A-166TQ-TR -
RFQ
 ECAD 1018 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 мг Nestabilnый 36 мб 3,5 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS62WV12816BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55TLI 2.6700
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS42RM16800H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM16800H-6BLI 4.6611
RFQ
 ECAD 1412 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42RM16800 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,5 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть