SIC
close
Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS43LD16640A-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-25BLI -
RFQ
ECAD 8049 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1355 Ear99 8542.32.0002 171 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS39LV010-70VCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV010-70VCE -
RFQ
ECAD 8104 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,488 ", шIRINA 12,40 ММ) IS39LV010 Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 32-VSOP СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1349 Ear99 8542.32.0071 208 NeleTUSHIй 1 март 70 млн В.С. 128K x 8 Парлель 70NS
IS62WV12816BLL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55BI-TR -
RFQ
ECAD 1855 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV12816 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 48-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2500 Nestabilnый 2 марта 55 м Шram 128K x 16 Парлель 55NS
IS45S16320F-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-6BLA1-TR 13.0500
RFQ
ECAD 9168 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TW-BGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 2500 167 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
IS64WV20488BLL-10CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV2048888BLL-10CTLA3 25.7125
RFQ
ECAD 3213 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS64WV20488 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 2m x 8 Парлель 10NS
IS62WV25616BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI-TR -
RFQ
ECAD 8017 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS43R16160D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-5TL-TR 3.4412
RFQ
ECAD 3875 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 1500 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS42S16100H-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BL 1.4521
RFQ
ECAD 5348 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 286 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS42S16100F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6BL-TR -
RFQ
ECAD 4831 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS43R16320F-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320F-6BLI 6.1065
RFQ
ECAD 1036 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 190 166 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS61NLP25672-250B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-250B1I -
RFQ
ECAD 3107 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 209-BGA IS61NLP25672 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 209-LFBGA (14x22) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 84 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 256K x 72 Парлель -
IS45S16100C1-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100C1-7BLA1-TR -
RFQ
ECAD 7471 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS45S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-Minibga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS62WV25616DALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DALL-55TLI-TR -
RFQ
ECAD 5771 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV25616 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1 Nestabilnый 4 марта 55 м Шram 256K x 16 Парлель 55NS
IS46LQ32640AL-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ32640AL-062BLA1-TR -
RFQ
ECAD 9194 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200 VFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ32640AL-062BLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 64M x 32 Lvstl 18ns
IS43DR16320E-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320E-25DBLI 4.8898
RFQ
ECAD 5009 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1556 Ear99 8542.32.0028 209 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is66wvs4m8all-104nli-tr 2.3566
RFQ
ECAD 2349 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) PSRAM (Psewdo sram) 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS66WVS4M8ALL-104NLI-TR 3000 104 мг Nestabilnый 32 мб 7 млн Псром 4m x 8 SPI, QPI -
IS41LV16100C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50KLI-TR -
RFQ
ECAD 9629 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 42-BSOJ (0,400 ", шIRINA 10,16 ММ) IS41LV16100 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 42-Soj СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 Nestabilnый 16 марта 25 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS49RL36160A-093FBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160A-093FBL 94.2300
RFQ
ECAD 119 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 168-lbga IS49RL36160 Rldram 3 1,28 В ~ 1,42 В. 168-FBGA (13,5x13,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS49RL36160A-093FBL Ear99 8542.32.0032 119 1 066 ГОГ Nestabilnый 576 мб 7,5 млн Ддрам 16m x 36 Парлель -
IS61LPS12836EC-200B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836EC-200B3LI-TR 7.3500
RFQ
ECAD 3928 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPS12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 4,5 мб 3.1 м Шram 128K x 36 Парлель -
IS61WV5128FBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128FBLL-10BLI-TR 2.9427
RFQ
ECAD 4168 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 36-TFBGA SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 36-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS61WV5128FBLL-10BLI-TR 2500 Nestabilnый 4 марта 10 млн Шram 512K x 8 Парлель 10NS
IS61NLF102418-6.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-6.5B3 -
RFQ
ECAD 2951 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLF102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 133 мг Nestabilnый 18 марта 6,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS41LV16256C-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16256C-35TLI -
RFQ
ECAD 1422 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширина 10,16 мм), 40 проводников. IS41LV16256 Драм - эdo 3 В ~ 3,6 В. 40 т СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 135 Nestabilnый 4 марта 18 млн Ддрам 256K x 16 Парлель -
IS43TR82560BL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560BL-15HBLI-TR -
RFQ
ECAD 3682 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0036 2000 667 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 256 м х 8 Парлель 15NS
IS43LD16640C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BLI 10.0900
RFQ
ECAD 3 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 171 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS61NLP204818A-166TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP204818A-166TQ-TR -
RFQ
ECAD 1018 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP204818 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 166 мг Nestabilnый 36 мб 3,5 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS62LV256AL-45ULI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62LV256AL-45ULI-TR 1.1254
RFQ
ECAD 6303 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 28 SOIC (0,330 дюйма, Ирин 8,38 мм) IS62LV256 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 28-Sop СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 256 45 м Шram 32K x 8 Парлель 45NS
IS42S16160J-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-6BL 3.0525
RFQ
ECAD 2420 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 348 166 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS46LD16640A-25BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD16640A-25BLA2 -
RFQ
ECAD 9224 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 134-TFBGA IS46LD16640 SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 171 400 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS43TR81280B-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125JBL-TR -
RFQ
ECAD 4852 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3 1425 ЕГО ~ 1575 a. 78-TWBGA (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 2000 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 128m x 8 Парлель 15NS
IS45S16320F-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320F-7TLA2-TR 15.3000
RFQ
ECAD 9029 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16320 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 32 м х 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе