SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES Baзowый nomer prodikta Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодар ТАКТОВА ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный
IS61NLF102418-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF102418-7.5b3i-tr -
RFQ
 ECAD 3795 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NLF102418 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 117 мг Nestabilnый 18 марта 7,5 млн Шram 1m x 18 Парлель -
IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR 11.0390
RFQ
 ECAD 3818 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS64WV10248EEBLL-10CTLA3-TR 1000 Nestabilnый 8 марта 10 млн Шram 1m x 8 Парлель 10NS
IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 12.8611
RFQ
 ECAD 6093 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 TFBGA (10x14.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS46LQ16256AL-062TBLA1-TR 2500 1,6 -е Nestabilnый 4 Гит 3,5 млн Ддрам 256 м x 16 Lvstl 18ns
IS61LPD51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPD51236A-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 3461 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61LPD51236 SRAM - Quad Port, Синронн 3.135V ~ 3.465V 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32200C1-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BL-TR -
RFQ
 ECAD 8512 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 90-bga (13x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS46DR16320C-25DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-25DBLA1 8.2104
RFQ
 ECAD 4126 0,00000000 Issi, ина - Поднос В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 84-TWBGA (8x12,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 209 400 мг Nestabilnый 512 мб 400 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS43LQ16128A-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16128A-062BLI -
RFQ
 ECAD 5070 0,00000000 Issi, ина - МАССА Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 200-WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4 1,06 - ~ 1,17 В, 1,7 -1,95 200 VFBGA (10x14,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43LQ16128A-062BLI 136 1,6 -е Nestabilnый 2 Гит 3,5 млн Ддрам 128m x 16 Lvstl 18ns
IS61QDPB42M36A1-500B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A1-500B4L 111.7063
RFQ
 ECAD 5269 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 500 мг Nestabilnый 72 мб 8,4 млн Шram 2m x 36 Парлель -
IS46TR16640AL-125JBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640AL-125JBLA2-TR -
RFQ
 ECAD 3437 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 1500 800 мг Nestabilnый 1 Гит 20 млн Ддрам 64 м х 16 Парлель -
IS61NLP51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200TQLI 17.2425
RFQ
 ECAD 9873 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLP51236 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32400F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-6BL 5.1693
RFQ
 ECAD 8335 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 4m x 32 Парлель -
IS49NLC36800-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-33BL -
RFQ
 ECAD 8387 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 144-TFBGA IS49NLC36800 Rldram 2 1,7 В ~ 1,9 В. 144-FCBGA (11x18,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 104 300 мг Nestabilnый 288 мб 20 млн Ддрам 8m x 36 Парлель -
IS61WV102416DALL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-10TLI -
RFQ
 ECAD 6196 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS61WV102416 SRAM - Асинров 1,65, ~ 2,2 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 96 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS61NLF25636A-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF25636A-7.5TQLI 15.4275
RFQ
 ECAD 8799 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NLF25636 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 мг Nestabilnый 9 марта 7,5 млн Шram 256K x 36 Парлель -
IS25LP032D-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JMLE -
RFQ
 ECAD 8681 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP032 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 32 мб В.С. 4m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS25WP064A-JMLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064A-JMLE -
RFQ
 ECAD 9518 0,00000000 Issi, ина - Трубка Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25WP064 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 16 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 44 133 мг NeleTUSHIй 64 марта В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS25WP064-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP064-JBLE -
RFQ
 ECAD 3176 0,00000000 Issi, ина - Трубка Пркрэно -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,209 ", шIRINA 5,30 мм) IS25WP064 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1442 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 мг NeleTUSHIй 64 марта 7 млн В.С. 8m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS42S16100H-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-7TLI-TR 1.5600
RFQ
 ECAD 6 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 50 тфу (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 50-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 1000 143 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS61NVP51236-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-200B3I-TR -
RFQ
 ECAD 7807 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61NVP51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-tfbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS62WV10248DBLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248DBLL-55TLI -
RFQ
 ECAD 8382 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS62WV10248 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 135 Nestabilnый 8 марта 55 м Шram 1m x 8 Парлель 55NS
IS25LQ040B-JULE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JULE-TR -
RFQ
 ECAD 4804 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 МАССА Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8-ufdfn otkrыtai-anpeщaudka Flash - нет (SLC) 2,3 В ~ 3,6 В. 8-Uson (2x3) СКАХАТА Ear99 8542.32.0071 1 104 мг NeleTUSHIй 4 марта 8 млн В.С. 512K x 8 SPI - Quad I/O 25 мкс, 800 мкс
IS61VPS51236A-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3-TR -
RFQ
 ECAD 4370 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S32160B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-6BLI -
RFQ
 ECAD 2558 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-WBGA (11x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 144 166 мг Nestabilnый 512 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 32 Парлель -
IS25WP080D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JNLE 0,8600
RFQ
 ECAD 4 0,00000000 Issi, ина - Трубка Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 8 SOIC (0,154 дюйма, Ирина 3,90 мм) IS25WP080 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 8 лейт СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0071 100 133 мг NeleTUSHIй 8 марта В.С. 1m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS61VPS102418A-250TQL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102418A-250TQL-TR -
RFQ
 ECAD 4781 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS102418 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS42S32200C1-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BI-TR -
RFQ
 ECAD 5931 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-LFBGA IS42S32200 SDRAM 3,15 В ~ 3,45 90-bga (13x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42RM32200M-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32200M-6BLI -
RFQ
 ECAD 9155 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42RM32200 Сдрам - Мобилнг 2,3 В ~ 2,7 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS42S16100F-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-6BL-TR -
RFQ
 ECAD 4831 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 1000 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
IS43DR82560C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560C-3DBL-TR 6.3808
RFQ
 ECAD 3776 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Пефер 60-TFBGA SDRAM - DDR2 1,7 В ~ 1,9 В. 60-twbga (8x10,5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) 706-IS43DR82560C-3DBL-TR 2000 333 мг Nestabilnый 2 Гит 450 с Ддрам 256 м х 8 SSTL_18 15NS
IS62WV51216ALL-70BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216ALL-70BLI 7.1992
RFQ
 ECAD 9435 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV51216 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (7,2x8,7) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 312 Nestabilnый 8 марта 70 млн Шram 512K x 16 Парлель 70NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Средний объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть