SIC
close

Ингрированов

Ибрагейн Nomerprodookta ЦEnы (DOLLARR) Колист Ecad Колист Вер (К.) Млн В припании Упако Степень Продукта Rraboч -yemperatura Прилонья МОНТАНАНГИП PakeT / KORPUES ТИП Baзowый nomer prodikta ЧastoTA Тела Napraheneee - posta ПАКЕТИВАЕТСЯ Техниль Статус Ройс Вернояж Доусейн Статуса Дрогин ИНЕНА Eccn Htsus Станодадж Ток - ТАКТОВА Колист ТИП ПАМАТИ Raзmerpmayti Вернее Формат пэмаи Органихая ИНЕРФЕРСП Верный Внутронни ТОПОЛОГЯ На Pogruehenee На В конце
IS45S16160G-7CTLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7CTLA2-TR 8.1900
RFQ
 ECAD 2777 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS65WV1288FBLL-55HLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS65WV1288FBLL-55HLA3 -
RFQ
 ECAD 1964 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Поднос Актифен -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS65WV1288 SRAM - Синронн 2,2 В ~ 3,6 В. 32-stsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS65WV1288FBLL-55HLA3 Ear99 8542.32.0041 234 Nestabilnый 1 март 55 м Шram 128K x 8 Парлель 55NS
IS61VPS25636A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25636A-200TQLI-TR 12.7500
RFQ
 ECAD 7454 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS25636 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 9 марта 3.1 м Шram 256K x 36 Парлель -
IS61LPS12836A-250TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-250TQL 8.3815
RFQ
 ECAD 1366 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61LPS12836 SRAM - Synchronous, SDR 3.135V ~ 3.465V 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 250 мг Nestabilnый 4,5 мб 2,6 м Шram 128K x 36 Парлель -
IS25WP128-RHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-RHLE-TR 2.1682
RFQ
 ECAD 3399 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 24-TBGA IS25WP128 Flash - нет 1,65 ЕГО ~ 1,95 24-TFBGA (6x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 2500 133 мг NeleTUSHIй 128 мб В.С. 16m x 8 SPI - Quad I/O, QPI, DTR 800 мкс
IS45S16160D-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-7TLA1 -
RFQ
 ECAD 9423 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS45S16160 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 108 143 мг Nestabilnый 256 мб 5,4 млн Ддрам 16m x 16 Парлель -
IS43R16160F-5TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5TLI 3.0344
RFQ
 ECAD 2438 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 108 200 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS45S16800E-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-6BLA1-TR -
RFQ
 ECAD 9657 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16800 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 128 мб 5,4 млн Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS61VPD102418A-250B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPD102418A-250B3I-TR -
RFQ
 ECAD 3106 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPD102418 SRAM - Quad Port, Синронн 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 2000 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 1m x 18 Парлель -
IS61WV12816BLL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816BLL-12TLI-TR 3.2261
RFQ
 ECAD 4968 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 44-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV12816 SRAM - Асинров 3 В ~ 3,6 В. 44-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1000 Nestabilnый 2 марта 12 млн Шram 128K x 16 Парлель 12ns
IS61VPS51236A-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-200TQLI-TR -
RFQ
 ECAD 5568 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 мг Nestabilnый 18 марта 3.1 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS45S32200E-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7BLA2 -
RFQ
 ECAD 5107 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS45S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 240 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,5 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43R16320E-5TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320E-5TLI-TR 6.6681
RFQ
 ECAD 3428 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 66-tssop (0,400 ", ширина 10,16 мм) IS43R16320 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 66-tsop II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0028 1500 200 мг Nestabilnый 512 мб 700 с Ддрам 32 м х 16 Парлель 15NS
IS42SM16800G-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800G-75BI-TR -
RFQ
 ECAD 1481 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42SM16800 Сдрам - Мобилнг 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 128 мб 6 м Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS42S32200L-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200L-6BLI-TR 4.1562
RFQ
 ECAD 3963 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 90-TFBGA IS42S32200 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 90-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 2m x 32 Парлель -
IS43R16160D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160D-6BLI-TR 5.5050
RFQ
 ECAD 3422 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) В аспекте -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS43R16160 SDRAM - DDR 2,3 В ~ 2,7 В. 60-TFBGA (8x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0024 2500 166 мг Nestabilnый 256 мб 700 с Ддрам 16m x 16 Парлель 15NS
IS45S16400F-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA1 -
RFQ
 ECAD 1658 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS45S16400 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0002 348 143 мг Nestabilnый 64 марта 5,4 млн Ддрам 4m x 16 Парлель -
IS61VPS51236A-250B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3 -
RFQ
 ECAD 4919 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 165-TBGA IS61VPS51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 165-pbga (13x15) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 мг Nestabilnый 18 марта 2,6 м Шram 512K x 36 Парлель -
IS25LP256D-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256D-RMLE-TR 3.7624
RFQ
 ECAD 4683 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Пефер 16 SOIC (0,295 ", Ирина 7,50 мм) IS25LP256 Flash - нет 2,3 В ~ 3,6 В. 16 лейт СКАХАТА Rohs3 1 (neograniчennnый) DOSTISH 3A991B1A 8542.32.0071 1000 133 мг NeleTUSHIй 256 мб 7 млн В.С. 32 м х 8 Серриал 800 мкс
IS61QDPB42M18A-400M3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M18A-400M3I -
RFQ
 ECAD 8245 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 165-LBGA IS61QDPB42 Sram - Синроннн, Quadp 1,71 В ~ 1,89 В. 165-LFBGA (15x17) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 мг Nestabilnый 36 мб 8,4 млн Шram 2m x 18 Парлель -
IS43LD16640A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640A-3BLI -
RFQ
 ECAD 6668 0,00000000 Issi, ина - Поднос Пркрэно -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - Mobile LPDDR2 1,14 В ~ 1,95. 134-TFBGA (10x11.5) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0032 171 333 мг Nestabilnый 1 Гит Ддрам 64 м х 16 Парлель 15NS
IS63WV1288DBLL-10HLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1288DBLL-10HLI 1.8062
RFQ
 ECAD 7731 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 32-TFSOP (0,465 ", шIRINA 11,80 ММ) IS63WV1288 SRAM - Асинров 2,4 В ~ 3,6 В. 32-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.32.0041 234 Nestabilnый 1 март 10 млн Шram 128K x 8 Парлель 10NS
IS43TR16128DL-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128DL-107MBLI-TR 4.8164
RFQ
 ECAD 2666 0,00000000 Issi, ина Автомобиль, AEC-Q100 Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Пефер 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM - DDR3L 1283 ЕГО 1,45 96-twbga (9x13) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-IS43TR16128DL-107MBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1500 933 мг Nestabilnый 2 Гит 20 млн Ддрам 128m x 16 Парлель 15NS
IS31FL3216A-QFLS2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3216A-QFLS2-TR -
RFQ
 ECAD 7164 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - Пефер 28-wfqfn otkrыtai-anploщaudka Илинен IS31FL3216 - 28-QFN (4x4) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH Ear99 8542.39.0001 2500 20 май 16 В дар - 5,5 В. Шyr 2,7 В. -
IS42VM16800H-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800H-75BLI-TR 3.8060
RFQ
 ECAD 5461 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-TFBGA IS42VM16800 Сдрам - Мобилнг 1,7 В ~ 1,95 В. 54-TFBGA (8x8) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 2500 133 мг Nestabilnый 128 мб 6 м Ддрам 8m x 16 Парлель -
IS29LV032B-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS29LV032B-70TLI -
RFQ
 ECAD 1009 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-tfsop (0,724 ", Ирина 18,40 мм) IS29LV032B Flash - нет 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tsop i СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 706-1353 3A991B1A 8542.32.0071 96 NeleTUSHIй 32 мб 70 млн В.С. 4m x 8, 2m x 16 Парлель 70NS
IS62WV10248BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248BLL-55BI -
RFQ
 ECAD 1863 0,00000000 Issi, ина - Поднос Управо -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 48-TFBGA IS62WV10248 SRAM - Асинров 2,5 В ~ 3,6 В. 48-Minibga (7,2x8,7) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 312 Nestabilnый 8 марта 55 м Шram 1m x 8 Парлель 55NS
IS61WV102416FBLL-10T2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416FBLL-10T2LI-TR 10.0200
RFQ
 ECAD 5240 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 54-gentr (0,400 ", ширин 10,16 мм) IS61WV102416 Sram - dvoйnoй port 2,4 В ~ 3,6 В. 54-TSOP II СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 1500 Nestabilnый 16 марта 10 млн Шram 1m x 16 Парлель 10NS
IS61NVP51236B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236B-200TQLI 17.2425
RFQ
 ECAD 3182 0,00000000 Issi, ина - Поднос Актифен -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Пефер 100-LQFP IS61NVP51236 SRAM - Synchronous, SDR 2 375 $ 2625 100-LQFP (14x20) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 мг Nestabilnый 18 марта 3 млн Шram 512K x 36 Парлель -
IS42S16100H-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100H-6BL-TR 1.3591
RFQ
 ECAD 6310 0,00000000 Issi, ина - Lenta и катахка (tr) Актифен 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Пефер 60-TFBGA IS42S16100 SDRAM 3 В ~ 3,6 В. 60-tfbga (6,4x10,1) СКАХАТА Rohs3 3 (168 чASOW) DOSTISH 3A991B2A 8542.32.0002 2500 166 мг Nestabilnый 16 марта 5,5 млн Ддрам 1m x 16 Парлель -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Среднесуточный объем RFQ

  • Standard Product Unit

    30 000 000

    Стандартный продукт

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Мировые производители

  • In-stock Warehouse

    15 000 м2

    На складе

Список запросов (0 пунктов)
Список тележек (0 пунктов)
WishlistСписок желаний (0 пунктов)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA PAD

Количество: 1

Сравните список (0 пунктов)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть